襯底制備ppt課件(完整版)
【正文】 ③ 收頸 ? 目的：抑制位錯從籽晶 向晶體延伸； ? 直徑： 23mm； ? 長度： 20mm； ? 拉速： ④ 放肩 ? 溫度：降 1540℃ ； ? 拉速： ； ⑤ 收肩 ? 當(dāng)肩部直徑比所需直徑小 35mm時 ， 提高拉速： ? 拉速： ； ⑥ 等徑生長 ? 拉速： ； ? 熔硅液面在溫度場保持相對固定； ⑦ 收尾 ? 熔硅料為 ，停止坩堝跟蹤。 晶片加工 晶片加工 2. 磨片 ? 目的： ① 使各片厚度一致； ② 使各硅片各處厚度均勻； ③ 改善平整度 。 ? 典型拋光液： SiO2+ NaOH (SiO2化學(xué)機械拋光 ) Si+ 2NaOH+H2O=Na2SiO3+2H2↑ 典型的化學(xué)機械 拋光原理示意圖 晶片加工 芯片制造、芯片測試與揀選、裝配與封裝以及終測 芯片制造、芯片測試與揀選、裝配與封裝以及終測 。 ② 種類： Al2O SiC、 ZrO、 SiO MgO等 晶片加工 3. 拋光 ? 目的：進一步消除表面缺陷 ， 獲得高度平整 、光潔及無損層的 “ 理想 ” 表面 。 單晶的制備 水平區(qū)熔法 （布里吉曼法） GaAs單晶 襯底制備 ? 襯底制備包括：整形、晶體定向、晶面標(biāo)識、晶面加工。第一章 襯底制備 主 講：毛 維 西安電子科技大學(xué)微電子學(xué)院 第一章 襯底制備 襯底材料 襯底材料的類型 ? 1. 元素半導(dǎo)體 Si、 Ge、 C（ 金剛石 ） ? 2. 化合物半導(dǎo)體 G
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