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論全日制材料工程專業(yè)學(xué)位碩士研究生培養(yǎng)方案(完整版)

2025-06-08 03:44上一頁面

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【正文】 池的主要無機(jī)半導(dǎo)體材料,如硅、IIIV族和IIVI族化合物半導(dǎo)體GaAs、CdTe、CuIn1xGaxSe2的性質(zhì)和制備工藝,以及這些半導(dǎo)體材料為主體的太陽能電池器件的基本結(jié)構(gòu)和制作。通過文獻(xiàn)閱讀及研討,培養(yǎng)學(xué)生文獻(xiàn)搜索及閱讀能力并掌握新型封裝材料的性能及用途,了解封裝技術(shù)的具體工藝及測(cè)試工具。(2)攻讀工程碩士專業(yè)學(xué)位研究生必須完成培養(yǎng)方案中規(guī)定的所有環(huán)節(jié),成績(jī)合格,方可申請(qǐng)參加學(xué)位論文答辯。2.論文基本要求(1) 應(yīng)對(duì)選題所涉及的工程技術(shù)問題或研究課題的國(guó)內(nèi)外狀況有清晰的描述與分析。本工程領(lǐng)域?qū)I(yè)碩士培養(yǎng)工作的開展能進(jìn)一步滿足上述企業(yè)對(duì)高層次人才的需求和在職人員在職進(jìn)修的迫切需要。(6) 論文形式:調(diào)研報(bào)告、應(yīng)用基礎(chǔ)研究、規(guī)劃設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開發(fā)、案例分析等形式。學(xué)位論文由學(xué)校具有工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的導(dǎo)師與工礦企業(yè)或工程部門內(nèi)業(yè)務(wù)水平高、責(zé)任心強(qiáng)的高級(jí)職稱技術(shù)、管理人員聯(lián)合指導(dǎo)。3.掌握一門外國(guó)語,能熟練閱讀本領(lǐng)域的科技資料與文獻(xiàn)。(3) 論文工作應(yīng)著重于應(yīng)用性、創(chuàng)新性、先進(jìn)性,技術(shù)難度。六、學(xué)位申請(qǐng)通過課程考試取得規(guī)定學(xué)分并通過學(xué)位論文答辯的研究生,經(jīng)校學(xué)位評(píng)定委員會(huì)審核批準(zhǔn)授予工程碩士專業(yè)學(xué)位。學(xué)位論文由學(xué)校具有工程實(shí)踐經(jīng)驗(yàn)的導(dǎo)師與工礦企業(yè)或工程部門內(nèi)業(yè)務(wù)水平高、責(zé)任心強(qiáng)的高級(jí)職稱技術(shù)、管理人員聯(lián)合指導(dǎo)。(6) 文形式:調(diào)研報(bào)告、應(yīng)用基礎(chǔ)研究、規(guī)劃設(shè)計(jì)、產(chǎn)品開發(fā)、案例分析、項(xiàng)目管理、文學(xué)藝術(shù)作品等形式。通過本課程的學(xué)習(xí)使學(xué)生掌握硅基VLSI的工藝技術(shù)和工藝設(shè)備的基本知識(shí),為集成電路的設(shè)計(jì)和制造打好必要的理論基礎(chǔ),并且能綜合應(yīng)用已學(xué)過的相關(guān)課程的知識(shí)去解決現(xiàn)代VLSI制造工藝中的實(shí)際問題。要求學(xué)生掌握各種平板顯示特點(diǎn)和應(yīng)用,重點(diǎn)掌握LCD,PDP和OLED的技術(shù)和應(yīng)用。選用教材:國(guó)內(nèi)外文獻(xiàn)資料主要參考書和文獻(xiàn):先修課程:適用專業(yè):集成電路工程專業(yè)。通過大量的文獻(xiàn)閱讀和討論,了解單電子器件、量子器件、自旋電子器件等微納電子器件的結(jié)構(gòu)、設(shè)計(jì)原理、制作工藝及應(yīng)用等。內(nèi)容包括:封裝技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)、微互聯(lián)技術(shù)、三維及新型封裝技術(shù)、新型封裝材料、封裝失效分析及測(cè)試技術(shù)、基板技術(shù)、焊接技術(shù)及封裝設(shè)計(jì)技術(shù)。4.論文的評(píng)審與答辯(1)學(xué)位論文的評(píng)審應(yīng)著重審核作者綜合運(yùn)用科學(xué)理論、方法和技術(shù)手段解決工程實(shí)際的能力;審核學(xué)位論文工作的技術(shù)難度、先進(jìn)性和工作量;審核其解決工程實(shí)際問題的新思想、新方法和新進(jìn)展;審核其新工藝、新技術(shù)和新設(shè)計(jì)的先進(jìn)性和實(shí)用性;審核其創(chuàng)造的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益或創(chuàng)造這些效益的可能性。五、實(shí)踐和論文工作1.學(xué)位論文選題應(yīng)來源于應(yīng)用課題或現(xiàn)實(shí)問題,必須要有明確的行業(yè)背景和應(yīng)用價(jià)值。該工程領(lǐng)域目前承擔(dān)了多項(xiàng)國(guó)家級(jí)、省市部委級(jí)課題,并注重與企業(yè)的廣泛聯(lián)系,已與Intel、中芯國(guó)際、宏力、華虹NEC、美國(guó)應(yīng)用材料、上廣電等多家國(guó)際知名集成電路相關(guān)企業(yè)建立了緊密的合作關(guān)系,建有Intel上海大學(xué)集成電路封裝失效分析聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,并受中芯國(guó)際等企業(yè)委托開展微電子相關(guān)領(lǐng)域的成人教育和人員培訓(xùn)工作。(5) 論文寫作要求概念清晰,結(jié)構(gòu)合理,層次分明,文理通順,符合有關(guān)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范。全日制專業(yè)學(xué)位研究生的培養(yǎng)方式為校企(廠)掛鉤、產(chǎn)學(xué)研三結(jié)合,采取集中學(xué)習(xí)與企業(yè)實(shí)踐相結(jié)合的靈活方式,課程學(xué)習(xí)實(shí)行學(xué)分制,要求在校學(xué)習(xí)的時(shí)間1年。二、學(xué)習(xí)年限材料工程專業(yè)學(xué)位碩士研究生學(xué)制為2年,學(xué)習(xí)年限最長(zhǎng)不超過4年。(4) 論文工作應(yīng)在導(dǎo)師指導(dǎo)下獨(dú)立完成,論文實(shí)際工作量一般應(yīng)
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