內(nèi)絕緣新型mosfet的介紹(完整版)
【正文】 試 Heat Sink上的溫度就能說(shuō)明那種封裝的總熱阻?。? ； ； Heat Sink； ； 最終 Heat Sink溫度越高的說(shuō)明熱量越容易傳遞到 Heat Sink， 證明總熱阻越小 TO220S熱阻 為了對(duì)比半包封，全包封和絕緣版 MOSFET的散熱性能（熱阻），我們請(qǐng)研發(fā)工程師做如下實(shí)驗(yàn) 條件 1：使用同一芯片而采用不同的封裝形式 ,我們使用同一芯片封成以下三種形式： TO220S實(shí)驗(yàn)對(duì)比 條件 2：在同一時(shí)間內(nèi)消耗同樣的功率， 為了能使 MOSFET消耗同樣的功率，我們需要設(shè)計(jì)一個(gè)恒功率的電路，如下電路圖： 此電路中我們?cè)O(shè)置： 電源 Vcc= 電流 Id=， 因此， MOSFET消耗的功率為： P=（ ） *Id=9W 8 TO220S實(shí)驗(yàn)對(duì)比 條件 4：一個(gè)密閉的環(huán)境內(nèi) 我們采用的是一個(gè)小紙盒，尺寸如下： 長(zhǎng) *寬 *高 =130mm*100mm*55mm 9 TO220S實(shí)驗(yàn)對(duì)比 首先，我們按照條件 2調(diào)試好電源電壓和流過(guò) MOSFET的電流，如下圖： 電源電壓設(shè)置為 調(diào)整電路參數(shù)使得流過(guò) MOS管的電流 Id=， 因此，此時(shí) MOSFET共消耗的功率為： P=()*Id=9W 10 TO220S實(shí)驗(yàn)對(duì)比 其次，分別換裝不同的 MOSFET并按照相同的方式粘貼溫度檢測(cè)線，其中 傳統(tǒng)的 TO220我們采用了兩種不同的絕緣片，分別為： 第一種：市面上最常見(jiàn)的藍(lán)色絕緣片，厚度 ； 溫度線粘貼如下圖： TO220S實(shí)驗(yàn)對(duì)比 CH1：漏極（ 2腳）溫度 CH2： MOS管漏極 HS CH3：總 HS溫度 CH4：環(huán)境溫度 第二種：目前電動(dòng)自行車控制器常用的黃色絕緣片，厚度 。 2 5 2 4 80 60 6 . 5 8 150 75 3100 75R U 7 5 8 8 R 3 T O 2 2 0 S S i n g l e
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