內(nèi)絕緣新型mosfet的介紹-文庫吧
2025-04-16 22:46 本頁面
【正文】 流程 提高了生產(chǎn)效率 ? 提高可靠性 避免因?yàn)榻^緣粒因?yàn)楦邷鼗蚱屏讯a(chǎn)生的可靠性問題 所有內(nèi)絕緣 MOSFET TO220S封裝出廠前都是經(jīng)過 100%的絕緣耐壓測試，客戶不需要再做絕緣耐壓測試，從而避免了客戶端做絕緣耐壓測試而產(chǎn)生的可靠性問題 TO220S封裝已經(jīng)經(jīng)過約 1年左右時間的終端客戶實(shí)際使用驗(yàn)證（主要用于 EBIKE控制板），產(chǎn)品成熟可靠 ? TO220S封裝經(jīng)過實(shí)際測試對比，比全包封 TO220封裝的散熱性能好 ，與半包封 +絕緣片的散熱性能差不多 TO220S與半包封 TO220對比 RUPAK(TO220S)可直接安裝到鋁條散熱器上 ,無需增加絕緣片和絕緣粒 ,建議采用組合螺絲（組合螺絲的彈簧片可以減少螺絲對 MOSFET的應(yīng)力）。 TO220安裝到鋁條散熱器上，需要加絕緣片和絕緣粒以達(dá)到絕緣目的 從上面的裝配工藝看，內(nèi)絕緣新型 TO220S MOSFET相當(dāng)于把傳統(tǒng)型 TO220 MOSFET安裝在 Heat Sink上時的絕緣片做到了 MOS管內(nèi)部，因此導(dǎo)致結(jié)溫到 Case的熱阻變大，但卻因安裝在 Heat Sink時不再需要絕緣片而降低了 Case到 Heat Sink的熱阻 ，只要我們能在以下幾個條件下測試 Heat Sink上的溫度就能說明那種封裝的總熱阻?。? ； ； Heat Sink； ； 最終 Heat Sink溫度越高的說明熱量越容易傳遞到 Heat Sink， 證明總熱阻越小 TO220S熱阻 為了對比半包封，全包封和絕緣版 MOSFET的散熱性能（熱阻），我們請研發(fā)工程師做如下實(shí)驗(yàn) 條件 1：使用同一芯片而采用不同的封裝形式 ,我們使用同一芯片封成以下三種形式： TO220S實(shí)驗(yàn)對比 條件 2：在同一時間內(nèi)消耗同樣的功率， 為了能使 MOSFET消耗同樣的功率，我們需要設(shè)計一個恒功率的電路，如下電路圖： 此電路中我們設(shè)置： 電源 Vcc= 電流
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