【正文】 純凈的、具有晶體結構的半導體，稱為本征半導體。 第 14章半導體器件 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 學會用工程觀點分析問題，就是根據實際情況，對器件的數學模型和電路的工作條件進行合理的近似，以便用簡便的分析方法獲得具有實際意義的結果。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 半導體的導電特性 半導體的導電特性： (可做成溫度敏感元件，如熱敏電阻 )。 自由電子 在外電場的作用下，空穴吸引相鄰原子的價電子來填補，而在該原子中出現(xiàn)一個空穴，其結果相當于空穴的運動（相當于正電荷的移動）。 在 N 型半導體中 自由電子是多數載流子，空穴是少數載流子。 （ a. 電子電流、 ） b a 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 PN結及其單向導電性 PN結的形成 多子的擴散運動 內電場 少子的漂移運動 濃度差 P 型半導體 N 型半導體 內電場越強，漂移運動越強，而漂移使空間電荷區(qū)變薄。 內電場 P N + + + － － － － － － + + + + + + + + + － － － － － － － － － + + + + + + － － － 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 二極管 基本結構 (a) 點接觸型 (b)面接觸型 結面積小、結電容小、正向電流小。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 主要參數 1. 最大整流電流 IOM 二極管長期使用時，允許流過二極管的最大正向平均電流。 ，失去單向導電性。 若忽略管壓降，二極管可看作短路， UAB = 0 V 例 2: D1承受反向電壓為 － 6 V 流過 D2 的電流為 mA43122D ??I求： UAB 在這里， D2 起鉗位作用， D1起隔離作用。 實質 : 用一個微小電流的變化去控制一個較大電流 的變化，是 CCCS器件 。 為什么要研究特性曲線： (1)直觀地分析管子的工作狀態(tài) (2)合理地選擇偏置電路的參數 ,設計性能良好的電路 重點討論應用最廣泛的共發(fā)射極接法的特性曲線 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 發(fā)射極是輸入回路、輸出回路的公共端 共發(fā)射極電路 輸入回路 輸出回路 測量晶體管特性的實驗線路 mA ?A V V IC EC IB RB + UBE ? + UCE ? EB C E B 3DG100 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 1. 輸入特性 常數?? CE)( BEB UUfI特點 :非線性 正常工作時發(fā)射結電壓： NPN型硅管 UBE ? ~ PNP型鍺管 UBE ? ? ~ ? 3DG100晶體管的 輸入特性曲線 O IB/?A UBE/V UCE≥ 1V 60 40 20 80 死區(qū)電壓：硅管 ，鍺管 。A 80181。A 80181。 (ICEO) 截止區(qū) 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 IC/mA UCE/V 100 181。 當 UCE UBE 時， 集電結處于正向偏置 (UBC 0)， 晶體管工作于飽和狀態(tài)。 ?IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC / mA 1 2 3 4 UCE /V 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 點，有 由 Q1 和 Q2點，得 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 基極反向截止電流 ICBO ICBO是由少數載流子的漂移運動所形成的電流，受溫度的影響大。 PC ? PCM =IC UCE 硅 管允許結溫約為 150?C， 鍺 管約為 70?90?C。 溫度 ??ICEO?， 所以 IC也相應增加。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 ?0 ? ~ ? ~ ? ? ? 硅管 (NPN) 鍺管 (PNP) 可靠截止 開始截止 UBE/V UBE/V UCE/V UBE/V 截 止 放大 飽和 工 作 狀 態(tài) 管 型 晶體管結電壓的典型值 主要參數 表示晶體管特性的數據稱為晶體管的參數，晶體管的參數也是設計電路、選用晶體管的依據。A 60 181。A 40 181。A 40 181。A 80181。 (b) PNP 型晶體管 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO 基區(qū)空穴向發(fā)射區(qū)的擴散可忽略。 V s i n18i tu ??8V 例 3： 二極管的用途： 整流、檢波、 限幅、鉗位、開 關、元件保護、 溫度補償等。 下一頁 返回 上一頁 退出 章目錄 二極管電路分析舉例 定性分析： 判斷二極管的工作狀態(tài) 導通截止 否則，正向管壓降 硅 ~ ~ 分析方法： 將二