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模塊三變壓器的原理及應(yīng)用(完整版)

  

【正文】 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) ③ 磁滯性 磁性材料在交變磁場(chǎng)中反復(fù)磁化,其 BH關(guān)系曲線是一條回形閉合曲線,稱為 磁滯回線 。 ② 磁飽和性 BJ 磁場(chǎng)內(nèi)磁性物質(zhì)的磁化磁場(chǎng) 的磁感應(yīng)強(qiáng)度曲線; B0 磁場(chǎng)內(nèi)不存在磁性物質(zhì)時(shí)的 磁感應(yīng)強(qiáng)度直線; B BJ曲線和 B0直線的縱坐標(biāo)相 加即磁場(chǎng)的 BH 磁化曲線。 磁 疇 外 磁 場(chǎng) 在沒有外磁場(chǎng)作用的普通磁性物質(zhì)中,各個(gè)磁疇排列雜亂無章,磁場(chǎng)互相抵消,整體對(duì)外不顯磁性。 解: 根據(jù)安培環(huán)路定律,有 lSlHlNI ??? ??? B? ?? IlH d設(shè)磁路的平均長(zhǎng)度為 l,則有 引例 S x ? Hx I N匝 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) mRF??式中: F=NI 為磁通勢(shì),由其產(chǎn)生磁通; Rm 稱為磁阻,表示磁路對(duì)磁通的阻礙作用; l 為磁路的平均長(zhǎng)度; S 為磁路的截面積。 安培環(huán)路定律 電流正負(fù)的規(guī)定 : ? ?? IlH d( 1)安培環(huán)路定律(全電流定律) I1 H I2 安培環(huán)路定律將 電流與磁場(chǎng)強(qiáng)度聯(lián)系起來。 如鐵、鎳、鈷、鋼及其合金等。 說明 : 如果不是均勻 磁場(chǎng),則取 B的平均值。 磁感應(yīng)強(qiáng)度 B的大小 : 磁感應(yīng)強(qiáng)度 B的方向 : 與電流的方向之間符合右手螺旋定則。 0r ??? ?磁導(dǎo)率 ? 的單位: 亨 /米( H/m) 0BB?HH0???退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 根據(jù)相對(duì)磁導(dǎo)率 μ r值的不同,自然界的物質(zhì)大致可分為兩大類: ① 非磁性物質(zhì) 如空氣、塑料、銅、鋁、橡膠等。 ② 鐵磁性物質(zhì) 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) ( 4)磁場(chǎng)強(qiáng)度 磁場(chǎng)強(qiáng)度 H : 介質(zhì)中某點(diǎn)的磁感應(yīng)強(qiáng)度 B 與介質(zhì) 磁導(dǎo)率 ? 之比。 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) ( 2)磁路的歐姆定律 ① 磁路的概念 在電機(jī)、變壓器及各種鐵磁元件中常用磁性材料做成一定形狀的鐵心。 由于 lNIH SΦB ?? , O H B ? ? ? 0 ? r ? 1 B = ? 0 H (? ) ( I ) 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) (2) 磁性物質(zhì) 磁性物質(zhì)內(nèi)部形成許多小區(qū)域,其分子間存在的一種特殊的作用力使每一區(qū)域內(nèi)的分子磁場(chǎng)排列整齊,顯示磁性,稱這些小區(qū)域?yàn)榇女牎? 放有鐵心。 O H B B0 BJ B ? a ? b 有磁性物質(zhì)存在時(shí), B 與 H不成 正比,磁性物質(zhì)的磁導(dǎo)率 ?不是常數(shù),隨 H而變。 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 幾種常見磁性物質(zhì)的磁化曲線 a 鑄鐵 b 鑄鋼 c 硅鋼 片 O ?103 H/(A/m) H/(A/m) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 ?103 B/T a b a b c c 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 按磁性物質(zhì)的磁性能,磁性材料分為三種類型: ① 軟磁材料 具有較小的矯頑磁力,磁滯回線較窄。常用的有鎂錳鐵氧體等。 ② 鐵損( ?PFe) 在交流鐵心線圈中,處于交變磁通下的鐵心內(nèi)的功率損耗稱鐵損,用 ?PFe 表示。 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 渦流損耗( ?Pe) 渦流損耗 : 由渦流所產(chǎn)生的功率損耗。 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 1. 變壓器的結(jié)構(gòu)與分類 變壓器是一種常見的電氣設(shè)備,在電力系統(tǒng) 和電子線路中應(yīng)用廣泛。 ??2 i2 + – e2 + – e?2 + – u2 ??Z ? dd 2tiLe σ2σ2 ??退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) ( 2)電壓變換 (設(shè)加正弦交流電壓) t)s i n(tNtN m111 ??? d ddde ????tN ??? c o sm1??)90t(s i nm1 ??? ?E1m1 NfE ??222111mm fNEE ??? ?有效值 : 同 理: )90t(s i nm22 ??? ?Ee2m2 NfE ??主磁通按正弦規(guī)律變化,設(shè)為 則 t,??? s i nm?① 一次、二次側(cè)主磁通感應(yīng)電動(dòng)勢(shì) 退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 根據(jù) KVL: 1111111111j EIXIREEIRU σ?????????????變壓器一次側(cè)等效電路如圖 1m1111 444 ?????? ?? 由于電阻 R1 和感抗 X1 (或漏磁通 )較小 ,其兩端的電壓也較小 ,與主磁電動(dòng)勢(shì) E1比較可忽略不計(jì),則 1E?1R1I?1U? 1?E?– – – + + + ② 一次、二次側(cè)電壓 式中 R1 為 一次側(cè) 繞組的電阻 。 空載 : m10 ??Ni有載: m2211 ??? NiNi+ – |Z | 2i1u2e1iΦ1e1N2N+ – + – + – 2u退出 實(shí)用電工電子技術(shù)基礎(chǔ) 一般情況下: I0 ? (2~3)%I1N 很小可 忽 略。 單相: 三相: N1N1N2N2N IUIUS ??N1N1N2N2N 33 IUIUS ??容量 SN ? 輸出功率 P2 一次側(cè)輸入功率 P1 ? 輸出功率 P2 注意:變壓器幾個(gè)功率的關(guān)系(單相) 效率 N1N1N IUS ??容量: ?21PP ?一次側(cè)輸入功率:
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