反相器電路版圖及特性(完整版)
【正文】 =5V, VGS1=0V |VGS2||Vthp|, VGS1Vthn PMOS導(dǎo)通 NMOS截止 output=‘1’ (2) 當(dāng) Vin=‘1’時(shí)， VGS2=0V, VGS1=+5V |VGS2||Vthp|, VGS1Vthn PMOS截止 NMOS導(dǎo)通 output=‘0’ Effects of changing the bn/bp Ratio 223。（ 負(fù)載也為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)倒相器）。 (2) 在反轉(zhuǎn)點(diǎn)流過 NMOS和 PMOS的電流相等。n= 223。p， 則必須要滿足 （ W/L)p=3(W/L)n， 我們定義一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)延遲單位的倒相器為： 223。 ?多級驅(qū)動用于改善大負(fù)載時(shí)的開關(guān)時(shí)間 . ?比例因子可以用 : ?優(yōu)化的驅(qū)動級的數(shù)目可以用公式表示： ?多級驅(qū)動器的延遲： 驅(qū)動大負(fù)載 (Driving Large Loads) Ninlo a dCCA 11???????1lninlo a dCCN ?? ???????????????????????111111 )(ininl o a do u tpnT o t a lP L HP H L
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