微細(xì)加工cvppt課件(完整版)
【正文】 (2) SiH4 + NO2 系統(tǒng)， T = 300 ~ 900 oC SiH4 + 4 NO2 SiO2 + 4 NO + 2 H2O 常壓 CVD 技術(shù)一般僅用于淀積 SiO2 膜，例如， 當(dāng)需要淀積含少量磷的 SiO2 膜（稱為磷硅玻璃 ， PSG），或含少量硼的 SiO2 膜（稱為硼硅玻璃， BSG）時(shí)，可以在反應(yīng)氣體中添加少量的磷烷或硼烷。 (1) SiH4 熱分解淀積 PolySi， T = 625 oC， p = ~ 1 Torr SiH4 Si + 2 H2 (2) SiH4 + NH3 系統(tǒng)淀積 Si3N4 ， T = 825 oC， p = Torr 3 SiH4 + 4 NH3 Si3N4 + 12 H2 低壓 CVD 技術(shù)可用于淀積 Poly Si、 Si3N SiO2 等多種薄膜，例如 (3) TEOS + O2 系統(tǒng)淀積 SiO2 ， T = 500 ~ 700 oC Si(OC2H5)4 + 12 O2 SiO2 + 8 CO2 + 10 H2O 化學(xué)汽相淀積的 Si3N4 的性質(zhì) 介電常數(shù)為 6 ~ 9， 遠(yuǎn)大于 SiO2 的 ， 絕緣層電容大； 導(dǎo)熱性能優(yōu)于 SiO2 ， 常用于多層布線的介質(zhì)； 抗氧化能力強(qiáng) ， 廣泛用于對(duì)氧化的掩蔽 。 等離子體增強(qiáng) CVD（ PECVD） PECVD 的 優(yōu)點(diǎn) 淀積溫度低，通常為 300 ~ 350 oC ，特別適宜于在淺結(jié)器件上和在金屬布線上作鈍化層之用； 所淀積的薄膜易于進(jìn)行等離子體刻蝕； 所淀積的薄膜的針孔密度小，臺(tái)階覆蓋性更好； 通過改變氣流可以使薄膜組分由氧化物連續(xù)地變化到氮化物，使技術(shù)上實(shí)現(xiàn)層疊及緩變薄膜成為可能。實(shí)際上由于芯片面積的不斷增大，有些互連線的長(zhǎng)度并不能按比例縮短。 金的抗電遷移能力很強(qiáng)，特別是采用金絲球形熱壓鍵合，鍵合點(diǎn)特別牢固，適于特殊要求的高可靠集成電路。 妨礙用銅作互連線的主要原因有 對(duì)于上述第（ 3）個(gè)困難，需采用特殊的可以避開刻蝕的方法來制作銅互連線，即所謂 “ 鑲嵌工藝 ” ，如下圖所示。 更先進(jìn)的技術(shù)是采用化學(xué)機(jī)械拋光（ CMP ）工藝來獲得足夠的表面平整度。通孔較少的地方可開設(shè)專門的散熱通孔，并在其中填充導(dǎo)熱性良好而不導(dǎo)電的材料如 AlN 。 LPCVD 工藝可用于淀積 Poly Si、 Si3N4 、 SiO2 等薄膜，由于低氣壓下淀積速率由 kS 控制，變得與溫度關(guān)系密切而與氣流關(guān)系不大，這使 LPCVD 具有一系列的優(yōu)點(diǎn)。 在絕緣層高低不平的整個(gè)硅片表面涂布光刻膠或聚酰亞胺，得到平坦的表面。 （ 1）銅的化學(xué)性質(zhì)不太活潑，與襯底的粘附性比鋁差； （ 2）銅容易擴(kuò)散進(jìn)入硅襯底，嚴(yán)重影響器件性能； （ 3）迄今為止尚無實(shí)用的刻蝕銅的有效方法。 雖然銀的電阻率是最低的，但是銀與硅的粘附性很差，在SiO2 中的擴(kuò)散很快，而且電遷移效應(yīng)嚴(yán)重。其主要影響是增大功耗、降低可用電壓和增大延遲時(shí)間。已經(jīng)對(duì)多種金屬進(jìn)行了試驗(yàn)，其中最成功的是鎢， WF6 + 3 H2
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