【正文】 容C1的容量，則中頻電壓放大倍數(shù)|AVM|___。=200歐姆，VBE=,則該電路的最大不失真輸出的電壓幅值(設(shè)VCES=1V，ICEO=0)__。A、P溝道結(jié)型管 B、N溝道結(jié)型管 C、耗盡型PMOS管 D、耗盡型NMOS管1，能正常工作的是————。A、同相 B、反相 C、相差90176。=30,VBE=,rbb39。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等）,若在集電極串入一只直流電流表(直流電流表只能測量電流的平均值),在靜態(tài)時,電流表的讀數(shù)為ICQ,則Ic與ICQ的關(guān)系(大于、小于、等于)為：沒有失真時Ic__ICQ。A、截止失真 B、飽和失真 C、雙重失真 D、交越失真，其靜態(tài)工作點靠近截止區(qū)，當(dāng)除去旁路電容Ce后，該電路的最大不失真輸出電壓幅值Vom將____。，設(shè)Vcc=12V,三極管223。，開關(guān)與B相接，三極管處于__狀態(tài)。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定，僅當(dāng)Rb1增加時，VCEQ將____。設(shè)三極管的223。A、Vo=13V B、Vo= C、Vo=5V D、Vo=（40分）(注:答案清使用加上中文單位。，D1D3為理想二極管，A、B、C白熾燈泡功率相同，其中最暗的燈是___。C時， 則Vd的大小將是___。 （2）29mA＞IZM＝25mA，穩(wěn)壓管將因功耗過大而損壞。 （2）。圖b：對D1有陽極電位為 0V，陰極電位為－12 V，故D1導(dǎo)通，此后使D2的陰極電位為 0V，而其陽極為－15 V，故D2反偏截止，VAO=0 V。1V） 解（1）求二極管的電流和電壓（2）求vo的變化范圍，溫度 T＝300 K。圖中電壓表中流過的電流忽略不計。 A. 變窄 B. 基本不變 C. 變寬（3）設(shè)二極管的端電壓為vD，則二極管的電流方程是 c 。4．整 流 濾 波 電 路 如 圖 所 示， 變 壓 器 副 邊 電 壓 有 效 值， 負(fù) 載 電 阻， 電 容，當(dāng) 輸 出 電 壓 平 均 值 為: (1)14V。18. 當(dāng)三極管被接成共射極放大電路時，從輸出特性可劃分為三個工作區(qū)域，即_______________區(qū)，_______________區(qū)和 _______________區(qū) 。 C. 10/ V 9．橋式整流加電容濾波電路，設(shè)整流輸入電壓為20V，此時，輸出的電壓約為( ) 10．兩個硅穩(wěn)壓管，Uz1 = 6V，Uz2=9V, 下面那個不是兩者串聯(lián)時可能得到的穩(wěn)壓值（ ）。A．小 B．大 C．中等 D．為零7．測得晶體管三個電極的靜態(tài)電流分別為 ， 和 。則電壓U0等于（ ）。（a）12V （b）9V （c）3V2 ，所有二極管均為理想元件，則DDD3的工作狀態(tài)為（ ）。（a）3V （b）0V （c）－12V8 （1）所示電路中，二極管D為理想元件，設(shè)u1=2sinωtV,穩(wěn)壓二極管DZ的穩(wěn)定電壓為6V，正向壓降不計，則輸出電壓u0的波形為圖（2）中的波形（ ）。A. PNP鍺管 B. NPN硅管 C. NPN鍺管 D. PNP硅管 已知某三極管的三個電極電位為6V, , 2V, 則可判斷該三極管的類型及工作狀態(tài)為（ ）。 V 在穩(wěn)壓時一定要在電路中加入 限流。 變壓器變比 .試 求:(1) 變壓器副邊電壓有效值。（15分）（c）輸入電壓控制輸出電壓　　　　　　　第1章　半導(dǎo)體二極管習(xí)題選解。（1）（a）所示電路中二極管為理想器件，則D1工作在 狀態(tài)，D2工作在 狀態(tài)，VA為 V。+ +_vi_vo +_vi_voR R DD1 D2 3V3V+++__ ，已知vi＝5sinωt (V)，二極管導(dǎo)通電壓VD＝。解：。（b）當(dāng)vo＝vI=20 sinωt V時，vo波形如圖解2．4．13b所示。 ，二極管導(dǎo)通電壓VD＝，常溫下VT≈26mV，電容C對交流信號可視為短路；vi為正弦波，有效值為10mV。 （1）分別計算UI為10V、15V、35V三種情況下輸出電壓UO的值； （2）若VI＝35V時負(fù)載開路，則會出現(xiàn)什么現(xiàn)象?為什么？解：（1）當(dāng)UI＝10V時，若UO＝UZ＝6V，則穩(wěn)壓管的電流為4mA，小于其最小穩(wěn)定電流，所以穩(wěn)壓管未擊穿。若把電源電壓調(diào)到V1=10V，則電流的大小將是___。C下降到10176。為了減小溫度對穩(wěn)壓值的 影響，有人把同一型號的兩個穩(wěn)壓管正、反串聯(lián)，（A）和(B)所示。A、增大 B、減小 C、不變 D、不定。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等），三極管223。A、正半波削波 B、負(fù)半波削波 C、雙向削波 D、不削波，原來沒有發(fā)生非線性失真，然而在換上一個223。A、增大 B、減小 C、不變（或基本不變） D、變化不定，當(dāng)室溫升高時，其三極管的VCEQ___。=30,VBE=,rbb39。 D、不定，若輸入為正弦波形，用示波器觀察Vo和Vi的波形，當(dāng)放大電路為共集電路時，則Vo和Vi 的相位___。A、共射 B、共集 C、共基 D、不定、共基和共集三種基本放大電路組態(tài)中，輸入電阻最大的是___組態(tài)電路。，已知鍺三極管的223。,IDSS=16mA,Vp=4V,該電路的跨導(dǎo)gm為__。A、增加 B、減小 C、不變或基本不變，若減小電阻Rc,則上限頻率?H___。1=223。1=223。1=223。，總的通頻帶一定比它的任意一級都___。A、增大 B、減小 C、不變，增加電容C1,則中頻電壓放大倍數(shù)的絕對值|AVM|___。=100,Cb39。=50,rbe=2千歐，電路的中頻增益20lg|Avs|=20lg|Vo/Vs|=40dB，通頻帶寬為10Hz~100kHz，試確定Rc的值為___.模擬集成單元電路測試題（1），其中T1的偏置電路未畫出。A、0V B、9V C、9V D、任意，已知T4和T3的管子特性對稱，VBE4=VBE5=。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)，已知T4和T3的管子特性對稱，VBE4=VBE5=。，D1D4為硅二極管，T1T4為硅三極管，其中TT4的PCW=1W，VCES=2V,ICM=,V(BR)CEO30V。A、正確 B、錯誤。A、正確 B、錯誤。試計算電源供給的功率Pv為___.、設(shè)三極VCES=0V,ICEO=0,Re上的壓降可以忽略不計，輸出變壓器的效率nT=1,變比n=N1/N2=2。A、輸入級 B、中間級 C、輸出級 D、增益最高的一級，差模電壓增益是___。，TT2和T3管的特性都相同，且223。A、|Avd|不變，|Avc|增大 B、|Avd|減小，|Avc|不變C、|Avd|減小，|Avc|增大 D、|Avd|增大，|Avc|減小，差模電壓增益Avd2=50,共模電壓增益Avc=,若輸入電壓Vs1=80mV，Vs2=60mV，輸出電壓Vo2=___。該電路的Avd2=___。A、只能是電阻元件 B、只能是三極管、集成運放等有源器件C、只能是無源器件 D、可以是無源器件，也可以是有源器件。A、直流負(fù)反饋 B、交流負(fù)反饋 C、交流正反饋 D、直流負(fù)反饋和交流負(fù)反饋，為了抑制溫漂，可以引入___。，試計算電壓增益Vo/Vi為___。A、AF=0 B、AF=1 C、AF=無窮 D、AF=1。試判斷電路圖中的反饋極性和組態(tài)（類型）。，若希望通過電壓串聯(lián)負(fù)反饋能使通頻帶展寬為1Hz~50MHz,問所需的反饋深度為___dB。A、同相 B、反相。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等）,試求Av1=Vo1/VI=___。集成運算放大器及應(yīng)用測試題（2）（60分），___在f=0和f=無窮時的電壓增益相等，且不為零。A、匹配 B、要求盡可能一致 C、只要求大致匹配 D、可以差別很大，起關(guān)鍵作用的是運算放大器___。，設(shè)Vi=15V,R==,試用虛短和虛斷的概念計算流過二極管的電流Id=___。A、10千歐 B、2千歐 C、4千歐 D、3千歐，其中Rb=470千歐，Rc=2千歐，若已知Ic=1mA，VCE=7V,VBE= ,rbe =，223。A、Rc開路 B、Rc短路 C、Re短路 D、Rb1開路，乙類OCL互補對稱功放得主要優(yōu)點是___。1=223。A、變寬 B、變窄 C、不變 D、與各單級放大電路無關(guān)，當(dāng)信號頻率恰好為上限頻率或下限頻率時，實際的電壓增益為__。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)。，才能正常工作。在晶體管構(gòu)成的三種基本放大電路中，輸入電阻最大的是（ ）放大電路，沒有電流放大作用的是（ ）放大電路。A、 增大 B、減小 C、基本不變用萬用表的“R1K” 檔和“R100”檔測量同一個二極管的正向電阻，兩次測得的值分別是R1和R2，則二者相比，（ ）。 C、等于360176。+UCCC1C2 ，試判斷電路能否產(chǎn)生振蕩，在電路中表明相關(guān)點的極性。（10分），已知晶體管的β=100，rbb′=200Ω，UBEQ=， RL=，試求：（1）靜態(tài)UCQ1；（2）差摸電壓放大倍數(shù)Aud；（3）差模輸入電阻Rid及輸出電阻Ro。（20分）1） 求靜態(tài)值IBQ、ICQ、UCEQ；2）畫放大電路的微變等效電路；3）計算放大電路的Au、Ri和Ro。下面關(guān)于負(fù)反饋對放大電路性能的影響的說法正確的是（ ）。A、NPN硅管 B、PNP鍺管 C、NPN鍺管 D、PNP硅管測得放大電路中的IB=30μA時,IC=,IB=40μA時,IC=3mA,則該管的交流電流放大系數(shù)為（ ）。放大電路引入負(fù)反饋后能夠 （ ）增益的穩(wěn)定性，（ ）通頻帶。=300歐姆，223。，單端輸出的差動放大電路中，共模抑制比越大，表明電路對___信號的抑制能力越強。A、125mV B、1000mV C、250mV D、500mV，假設(shè)ICEO1和ICEO2分別表示T1,T2單管工作時的穿透電流，則復(fù)合管的穿透電流ICEO=___。，調(diào)零電位器RP的動端處在中點位置,已知223。如：歐姆、毫安、微安、伏特、千伏、赫茲、千赫等)，已知Av1=20,Av2=10,Av3=1，總得的電壓增益Av=___。Rc/rbe=，可以在信號源與低阻負(fù)載間接入__。為了得到不同的量程，接入三個基準(zhǔn)電阻R1,R2和R3,設(shè)運放為理想器件。A、A1 B、A2 C、A3（40分）(注:答案清使用加上中文單位。A、低通濾波器 B、高通濾波器 C、帶通濾波器 D、帶阻濾波器=0和f=無窮時，電壓增益都等于零。F,若輸入信號為中頻正弦交流信號，當(dāng)Vi=,Vo=___。A、同相 B、反相，它具有Ri很大和Ro很小的特點，常用作緩沖器。，閉環(huán)電壓增益為___。試判斷電路圖中的反饋極性和組態(tài)（類型）。A、一定會產(chǎn)生高頻自激 B、可能會產(chǎn)生高頻自激C、一般不會產(chǎn)生高頻自激 D、一定不會產(chǎn)生高頻自激，試用瞬時（變化）極性法判斷圖中的極間反饋極性和組態(tài)。A、電壓負(fù)反饋 B、電流負(fù)反饋 C、串聯(lián)負(fù)反饋 D、并聯(lián)負(fù)反饋(a)、(b)、(c)所示三個電路圖中，圖___從信號源索取的電流最小。A、電壓負(fù)反饋 B、電流負(fù)反饋 C、串聯(lián)負(fù)反饋 D、并聯(lián)負(fù)反饋（40分）(注:答案清使用加上中文單位。A、只存在于阻容耦合電路中的負(fù)反饋 B、直流通路中的負(fù)反饋C、放大正弦波信號才存在的負(fù)反饋 D、變壓器耦合電路中的負(fù)反饋。當(dāng)Vs1=10mV,Vs2=20mV時，Vo=__