【正文】 ■ 驅(qū)動電路具體形式可為 分立元件 的，但目前的趨勢是采用專用 集成驅(qū)動電路 。 √電路的電源由高頻電源經(jīng)二極管整流后提供， VD1和 C1提供+5V電壓， VD VD C C3構(gòu)成 倍壓整流電路 提供 +15V電壓， VD4和 C4提供 15V電壓。 ◆ 為快速建立驅(qū)動電壓，要求驅(qū)動電路具有較小的輸出電阻。（ 12V~15V） 12/75 2．負偏壓－ VGS的影響： 門極負偏壓可以減小漏極浪涌電流，避免發(fā)生鎖定效應，但對關斷特性影響不大。 (4)IGBT多用于高壓場合，故驅(qū)動電路應與整個控制電路在電位上嚴格隔離。 16/75 17/75 18/75 三、常用 PWM控制芯片： TL494， SG3524， SG1525， MC3520， MC34060， VC1840， SL64等。 22/75 M57962L型 IGBT驅(qū)動器的原理和接線圖 三菱驅(qū)動模塊 M57962L 23/75 與 EXB841相比， M57962AL需要雙電源(+15V，一 1OV)供電，外周電路復雜。 IGBT器件的保護 29/75 IGBT的保護要從以下 4個方面著手： 集電極發(fā)射極間過電壓保護； 柵極過電壓保護； 過流保護； 過熱保護。 33/75 34/75 采用電流互感器和霍爾元件進行過流檢測及過流保護： 35/75 短路（過流）保護 （ 1）短路模式 單臂短路 接地短路 輸出短路 橋臂直通短路 36/75 （ 2）電流檢測法保護 37/75 （ 3） Vce（ sat）檢測法保護 38/75 降額應用 39/75 散熱考慮 功率模塊內(nèi)部熱阻分布 1200V (Al2O3） IGBT模塊內(nèi)部熱阻分布比例 40/75 安裝加工 （ 1） 預防 ESD損傷 IGBT的柵氧 厚度比功率 MOSFET要厚，這使 得它對靜電不如后者敏感。 51/75 SiC材料器件目前狀態(tài)及趨勢： ? 生長過程緩慢（數(shù) um/h），且位錯、堆垛層錯等缺陷密度較大，影響實用穩(wěn)定性，目前主要用于制造二極管； ? 目前價格昂貴。 三、緩沖電路 53/75 b) t u CE i C O d i d t 抑制電路時 無 d i d t 抑制電路時 有 有緩沖電路時 無緩沖電路時 u CE i C 圖 914 di/dt抑制電路和充放電型 RCD緩沖電路及波形 a) 電路 b) 波形 ■ 緩沖電路 ◆ 圖 914a給出的是一種緩沖電路和 di/dt抑制電路的電路圖。 ◆ 另外兩種常用的緩沖電路形式 ? RC緩沖電路 主要用于小容量器件，而 放電阻止型 RCD緩沖電路 用于中或大容量器件。 ◆ RC3和 RCD為抑制 內(nèi)因過電壓 的措施。 ? 選擇快熔時應考慮 √電壓等級應根據(jù)熔斷后快熔實際承受的電壓來確定。 ◆ 常在全控型器件的驅(qū)動電路中設置 過電流保護環(huán)節(jié) ，器件對電流的 響應是最快的。 ◆ 晶閘管并聯(lián)就會分別因 靜態(tài) 和 動態(tài) 特性參數(shù)的差異而存在電流分配不均勻的問題。 ◆ 在器件參數(shù)和特性選擇、電路布局和走線、散熱條件等方面也應盡量一致。此外，驅(qū)動電阻應分立，以防止出現(xiàn)振蕩， 驅(qū)動電路、發(fā)射極的雜散電感對并聯(lián)影響尤其重要，應盡可能地對稱。 ◆ 當需要同時串聯(lián)和并聯(lián)晶閘管時，通常采用 先串后并 的方法聯(lián)接。 ■ 晶閘管的串聯(lián) ◆ 當晶閘管的 額定電壓 小于實際要求時，可以用兩個以上同型號器件相串聯(lián)。 √快熔的 t值應小于被保護器件的允許 t值。 ◆ 對大容量的電力電子裝置，可采用圖 912所示的 反向阻斷式 RC電路。 三、緩沖電路 55/75 50A 200A 200A 三、緩沖電路 56/75 緩沖電路參數(shù)估算： 緩沖電容： 220)( dC E PS EVLIC?? L—— 主回路雜散電感（與配線長度有關） I0—— 關斷時漏極電流 VCEP—— 緩沖電容上電壓穩(wěn)態(tài)值（有安全區(qū)確定） Ed—— 直流電源電壓 緩沖電阻：在關斷信號到來前，將緩沖電容上電荷放凈 fCR SS ???? 321 f ：開關頻率 緩沖電阻功率： 220 fILP SS??? LS：緩沖電路電感 57/75 一、靜音式變頻調(diào)速系統(tǒng) IGBT器件的應用電路 58/75 二、工業(yè)加熱電源： 59/75 三、逆變弧焊電源： 60/75 四、不間斷電源： UPS 61/75 五、有源功率濾波器： 62/75 電力電子器件的保護 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護 過電流保護 63/75 過電壓的產(chǎn)生及過電壓保護 ■ 過電壓分為 外因過電壓 和 內(nèi)因過電壓 兩類。 ◆ 在有緩沖電路的情況下 ? V開通時， Cs先通過 Rs向V放電，使 iC先上一個臺階，以后因為 Li的作用， iC的上升速度減慢。 ■ 分類 ◆ 分為 關斷緩沖電路 和 開通緩沖電路 ? 關斷緩沖電路：又稱為 du/dt抑制電路，用于吸收器件的關斷過電壓和換相過電壓，抑制 du/dt，減小關斷損耗。m ? 6,3 181。 (3)利用溫度傳感器檢