【正文】 到的結(jié)果基本一致 研究分子間的相互作用 甲基丙烯酸甲酯 甲基丙烯酸共聚物 /聚氧化乙烯（ P(MMAMAA)/PEO）復合物的超分子結(jié)構(gòu) Xray diffraction spectra of PEO, unplexed and plexed P(MMAMAA) / PEO systems. 當 P(MMAMAA ) / PEO中 MAA含量較低時 ， P(MMAMAA ) / PEO中分子間氫鍵作用很弱以至于 不能形成復合物 。 (c) Effect of additional thickness fluctuations。它是小角散射的基本公式，該式給出了小角散射強度 I與散射角 ε的關(guān)系。可見，小角散射的實質(zhì)是由于體系內(nèi)電子云密度起伏所引起。 方差函數(shù)法 Wilson方差法 ：衍射譜線相對譜線重心偏離的均方值稱為方差，用符號 W表示。g /c t g k??? ?k? = 。由于實驗測得的樣品衍射線形 h(x)是由含有物理因素和幾何因素疊加所構(gòu)成的衍射線形。然而由于 u， v， c正交，因此 1c osc osc os ,2,2,2 ????????? zczvzu ???加之，晶體存在對稱軸與對稱面，從而可以大大簡化計算 例如 ：等規(guī)立構(gòu)聚丙烯（ iPP）是單斜晶系，晶格常數(shù) a = nm， b = nm， c = nm， ? = ?（ b是單斜軸， b⊥ ac）。類似方法計算得 C110(?) : C200(?) : Cj(?)＝ 1 : : ， ki＝ ，故 Kx = Cj(?)ki = % 202210202210c, ?????ax IIIIIW 高聚物取向度 在取向態(tài)下，結(jié)晶聚合物材料分子鏈擇優(yōu)取向，分為單軸取向（如纖維）和雙軸取向（如雙向拉伸膜）以及三維取向（如厚壓板）。 S5, S6—Receiving slits 測量時可選擇發(fā)散狹縫為 1?，接收狹縫 S5 = S6 = ~ mm，滿足條件 可得較滿意衍射圖形。 Diffraction pattern of a randomly oriented POM (Hexagonal). Flat plate film camera (transmission cameras) method. )2/2(t a n 121 Lx???x是衍射環(huán)半徑，為測量準確，常測環(huán)的直徑 2x，故有 2x/2L的關(guān)系； L系樣品至底片間距離 Bragg公式 )]2/2(t a ns i n [2 121 Lxd?? ?d是衍射晶體的平面距離 ?系入射 X射線波長 若使用單軸取向樣品，沿 POM纖維軸拉伸，此時微晶 c軸（纖維軸）沿拉伸方向擇優(yōu)取向，其他軸是無規(guī)取向，使用平面底片照相得到入射 X射線垂直纖維軸的照片（常簡稱纖維圖） (a) (b) (c) Flat plate pattern of oriented POM (a), nth layer lines (b), Geometry for measurement of flat plate pattern, Fibre axis vertical (Ni filtered Cu radiation) (c). 圓筒底片法 （旋轉(zhuǎn)晶體法）基于底片沿著圓筒相機壁安裝，使纖維軸與圓筒形底片軸一致，入射 X射線垂直于纖維軸，得到的衍射斑點排列在一些平行直線上（稱層線）。 K ?1/197。高聚物晶胞由一個或若干高分子鏈段構(gòu)成，一個高分子鏈可以穿過若干個高聚物微晶晶胞。然而在高聚物的 X射線衍射方法中所使用的 X射線波長一般在 ~ nm左右（最常用的是 CuK? = nm），因為這個波長與高聚物晶胞尺寸（ ~ 2 nm）大致相同。 照相法 ：最常使用的照相機是平面底片照相機，或稱平板照相機 (常被誤稱為Laue相機 )。 測出各衍射線對的4?角所對應(yīng)的弧間距 S，可算出各條線的衍射角 ?值 π24360 ???RS?R為圓筒底片半徑，底片上測得圓或圓弧的直徑 S值 X射線衍射儀法 由于各種輻射探測器（計數(shù)法）廣泛應(yīng)用于記錄衍射強度，并在許多領(lǐng)域中已經(jīng)代替經(jīng)典照相法來記錄多晶樣品衍射圖，因此衍射儀測量具有快速、方便、準確等優(yōu)點 Schematic representation of an Xray diffraeter (D/max2022PC, Rigaku Denki, Japan). S1, S4—Soller slits。用 X射線衍射方法測得的結(jié)晶度，用 Wc,x表示 acc,c IKIIWxx ??Ic及 Ia分別為在適當角度范圍內(nèi)的晶相及非晶相散射積分強度； Kx為校正常數(shù)，若樣品存在各向異性，樣品必須適當被消除取向，求取平均倒易空間的衍射強度 多組分 聚合物材料的結(jié)晶度 %100)()()()()()(,)(11,)(11,)(11,c ?????????????????????liliiMNlMijijiMPjMijijiMPjMixICkICICWM代表聚合物組分數(shù)； P是某組分所具有的結(jié)晶衍射峰數(shù)； N是某組分所含有的非晶峰個數(shù)；Ci,j(?)是與衍射角有關(guān)的第 i個組分第 j個衍射峰的校正因子； Ci,l(?)是第 i個組分第 l個非晶峰校正因子； Ii,j(?)是第 i個組分第 j個衍射峰強度； Ii,l(?)是第 i個組分第 l個非晶峰強度； ki為校正系數(shù)， ki = ?Ii,cal / ?Ii,total (ki ≤1)，系計算時所采用第 i個組分衍射強度與全部可能觀察到的衍射強度之比 i校正因子 C(?)值 (代表結(jié)晶及非晶峰校正因子 ) 2)/( s i n22221 ec oss i n2c os1)( ?????? BfC ?? ?????2)/( s i n2222 ec oss i nc os1 ????? Bii fN???????f是每個重復單元中所含有全部原子散射因子； Ni是每個重復單元中含有的第 i種原子數(shù)目； ?為衍射角； (1 + cos22?) / (sin2? ? cos?)是角因子（ LP）； 是溫度因子（ T）；定義 Kx = k i? Ci,l(?)， Kx稱總校正系數(shù)；原子散射因子 fi 2)/(sin2e ??B?caf jbji ??? ? 2)/( s i n2e)/( s i n ????aj， bj， c值可由文獻查得 對于 單一組分 聚合物 %100)()(k)()()()(i,c ??????ijjjh k lih k liih k lih k liix kICICICW ??????i， j分別為計算的結(jié)晶衍射峰數(shù)目和非晶衍射峰數(shù)目； Ci,hkl(?)、 Ii,hkl(?)分別是 hkl晶面校正因子及衍射峰積分強度； Cj(?)， Ij(?)分別系非晶峰校正因子和散射峰積分強度， Kx = k iCj(?) Resolution of the st1,2PB curve. Amorphous peak point C (2? = ), where the intensity of amorphous portion is large and crystalline intensity is assumed by drop to zero. 間規(guī) 1,2聚丁二烯（ st1,2PB） 總的原子散射因子 f2 = 4 fC2 + 6 fH2，它的 4個主要衍射晶面位于 2?010 = ， 2?010200 = ， 2?210 = ， 2?111201 = ， 2?a = 176。設(shè) a， b， c是聚合物微晶的三個晶軸 , 晶軸與 OZ軸（拉伸方向）的夾角分別為 ?a， ?b， ?c。用 X射線衍射方法測得的晶體 X射線衍射線形理論上應(yīng)是一個很尖銳的衍射峰，但實際上的衍射峰總是被寬化了。對于這種 Cauchy衍射線形且僅由微晶大小造成的譜線增寬，Scherrer給出了衍射峰寬度（ ?）和微晶尺寸（ L）之間的關(guān)系式 Lhkl = k?/?cos? Lhkl 是垂直于（ hkl）晶面的平均微晶尺寸（ nm）， ?為入射 X射線的波長(nm)， ?為 Bragg角， ?為衍射線寬（用弧度表示）， k為 Scherrer形狀因子。當假設(shè)衍射線形符合 Cauchy函數(shù)時， 由應(yīng)力引起的線形寬化 01 /)()2( dmghk lLc ??? 2121 ct,π?由畸變引起的線形寬化 022 cp,21c /π dmghk lL ????當假設(shè)衍射線形符合 Gauss函數(shù)時， 由應(yīng)力引起的線形寬化 2022 gt,12g /)(π22 dmghk lL ????由畸變引起的線形寬化 2044 gp,422g /π1 dmgL h k l ????c(g) 代表除去儀器寬化后，以弧度（ S）為單位的積分寬度， m是衍射面的級次 , d0為 第一級衍射面間距。 小角 X射線散射 對于高聚物亞微觀結(jié)構(gòu)，即研究尺寸在數(shù)十埃乃至上千埃以下的結(jié)構(gòu)時，需采用 小角 X射線散射 （ SAXS）方法。對于稠密體系除了考慮每個粒子（或微孔）的散射外，還必須考慮粒子間相互干涉的影響，因而實驗曲線產(chǎn)生極大部分 [ (d)， (e)]，有長周期存在的纖維小角散射曲線常屬此類型。 10 ~ 12 197。 M和 Ze是樣品化學重復單元質(zhì)量和核外電子數(shù)。 (b) 2D SAXS along y。 Tc (a) (b) (c) xabcyzTc10 o C20 o Ca b 24 – 16 8 0 8 1 6 2 4241680 8 16 24qy(nm 1)qz(nm1) 24 – 16 8 0 8 1 6 2 4241680 8 16 24qz(n m 1)qx(nm1) 24 – 16 8 0 8 1 6 2 4241680 8 16 24qz(n m 1)qx(nm1) 24 – 16 8 0 8 1 6 2 4241680 8 16 24qy(nm 1)qz(nm1)cXray scattering pattern of shearaligned sample isothermally crystallized at 10 oC and 20 oC. (a) 2D WAXS pattern when the Xray beam is parallel to x。三螺旋鏈的三股鏈間通過三個一組強的 O(2)羥基間的氫鍵連接；而螺旋鏈是通過同樣強度的 O(4)和O(6)羥基間的氫鍵來維持的。結(jié)合離子濺射 ， 可作深度剖析 應(yīng)用范圍 ? 各種復合材料表面分析及界面分析 ? 各種固體材料表面的成分分析及元素化學態(tài)分析 ? 各種薄膜表面與界面分析 ? 器件、產(chǎn)品質(zhì)量分析及剖析 ? 金屬氧化與腐蝕 ? 各種固體表面化學問題的測定 ,等等。這種電荷效應(yīng)一般引起發(fā)射的光電子動能降低，使記錄的譜峰向高結(jié)合能方向位移（可達幾個電子伏特），影響準確測定。 能量關(guān)系： EA = EK (EL1 + EL2) AES一般采用電子束作激發(fā)源。 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11468101214 1 2 3O:ND( nm)取樣深度從 10nm降低到 ，樣品的 O : N原子比增加了約 3倍。 注意 ：影響定量分析的因素很多，如：樣品表面組分不均勻，表面污染，化學狀態(tài)不同對光電離截面的影響等，所以誤差一般較大。根據(jù)軟硬段的結(jié)構(gòu)，就說明軟段在表面富集。 特點： 結(jié)構(gòu)簡單、體積小 ?靈敏 ?有機物、高分子領(lǐng)域應(yīng)用發(fā)展快 ?譜圖分析困難 紫外光電子能譜 (UltraViolet Photoelectron Spectroscopy, UPS)，原理與 XPS相同，區(qū)別在于采用紫外光作激發(fā)光源。 M和N層都有光電子產(chǎn)生，分別記為 Ag3s, Ag3p1/2, Ag3p3/2, Ag3d3/2, Ag3d5/2, Ag4s, Ag4p1/2, Ag4p3/2, Ag4d3/2, Ag4