【正文】 ? （ 2） 狹縫涂布（ slitcoating) ? （ 3） 利用毛細(xì)管現(xiàn)象（ CAP）的涂布 ? 對于 TFTLCD用光刻膠的涂布來說，為保證涂布膜厚的均勻性，主要采用甩膠涂布和狹縫涂布。 ? 負(fù)性光刻膠正好相反，在顯影劑中未曝光的區(qū)域?qū)⑷芙?，而曝光的區(qū)域被保留。涂敷后，在曝光之前需要將勻膠完的基板進(jìn)行預(yù)烘干，使光刻膠具有一定的硬 度。 液晶材料與技術(shù) 3 ? 曝光是精密地將掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)寫到光刻膠上的光化學(xué)反應(yīng) 。 液晶材料與技術(shù) 4 ? 光刻膠形成圖形后，根據(jù)圖形對下面的膜層進(jìn)行相應(yīng)刻蝕，形成滿足器件光電特性要求的膜層圖形。 液晶材料與技術(shù) 7 ? 根據(jù)光刻膠的極性可將光刻膠分為 正性光刻膠和 負(fù)性光刻膠 。當(dāng)溫度高于玻璃化轉(zhuǎn)換溫度，聚合體中相當(dāng)多的鏈條片以分子運(yùn)動形式出現(xiàn)，因此聚合體呈黏性流動 。 ? 旋涂設(shè)備增設(shè)一個(gè)與基板同時(shí)旋轉(zhuǎn)的旋涂內(nèi)筒，并由內(nèi)筒蓋封閉。 液晶材料與技術(shù) 21 ? 圖 液晶材料與技術(shù) 22 ? 除水干燥 ： ? 基板洗凈經(jīng)風(fēng)刀干燥后，表面仍有水分存在，為防止光刻膠涂敷前水分附著帶來的影響，首先進(jìn)行干燥處理，然后根據(jù)表面膜層的要求有選擇地進(jìn)行黏著強(qiáng)化劑涂敷，以增加光刻膠與基板的密著性。 ? 由光源發(fā)出的光照射掩膜板，通過掩膜板的光在一對凹面鏡和凸面鏡，以及臺形發(fā)射鏡的聯(lián)合反射作用下，最終將掩膜圖形轉(zhuǎn)寫在玻璃基板上。隨著分辨率的提升，鏡面投影曝光機(jī)使用開始普及。 陣列段的曝光機(jī)全球只有佳能和尼康能制造，一條月產(chǎn)能 6萬片的 8代線，陣列段曝光機(jī)總售價(jià)高達(dá)數(shù)億美元 。 ? 而且，藥液循環(huán)使用同樣會出現(xiàn)劣化，從而造成顯影圖形線條不合格，需要定期檢查。 ? 但是基本上都是利用 強(qiáng)酸 ，如磷酸 (H3PO4) ，硝酸 (HNO3) ，鹽酸 (HCl) ，冰醋酸 (CH3COOH)等 及其混合物對金屬的溶解和氧化還原過程，實(shí)現(xiàn)金屬膜的圖形化。 液晶材料與技術(shù) 48 濕刻方式 ? 濕刻的刻蝕方式主要有 3種 :噴淋方式、浸潤方式和浸泡方式 。而在低速刻蝕時(shí)，如圖 8. 3(b)所示，藥液在光 刻膠和對象膜層之間的浸入量較多。 ? 線寬控制 ： 源漏電極被刻蝕的量大，則溝道的寬長比 W/L越小 。 液晶材料與技術(shù) 59 ? 像素電極刻蝕殘余 ? 若刻蝕量不足，且存在 ITO膜的結(jié)晶不均勻時(shí)，易產(chǎn)生刻蝕殘余，導(dǎo)致點(diǎn)缺陷和短路，還會造成端子部的短路。 ? 傳導(dǎo)耦合性等離子體刻蝕 的優(yōu)勢在于 刻蝕速率高、良好的物理形貌和通過 對反應(yīng)氣體的選擇，達(dá)到針對光刻股和襯底的高選擇比。 ? （ 3）達(dá)到高真空后，通入刻蝕氣體。 ? 光刻膠 的刻蝕 （和硅島刻蝕） 采用的氣體是 氧氣和氨氣。 ? (3)刻蝕物質(zhì)吸附在基板表面上。 液晶材料與技術(shù) 73 ? 不同的干刻對象需要采用不同的干刻設(shè)備和干刻材料。 ? 像素電極光刻膠剝離以后 TFT的制作工藝進(jìn)入最后一個(gè)環(huán)節(jié)就是退火處理。 ? 請大家回憶一下都有哪些內(nèi)容。 ? 另外一個(gè) 防止金屬電極被腐蝕 。以光刻膠作為掩膜，通過濕法刻蝕或者干法刻蝕，在膜層上得到所需要的圖案。 ? (5 )刻性反應(yīng)副產(chǎn)物在離子轟擊下脫離基板表面。 ? 在 接觸孔 刻蝕中，不同部位的刻蝕量差異大，需要采用刻蝕速率快的 傳導(dǎo)藕合等離子體刻蝕 方式，采用 六氟化碳、氦氣和氧氣 (灰化用 )作為工藝氣體。 液晶材料與技術(shù) 66 ? 對于活性離子刻蝕中所使用的氣體有幾點(diǎn)要求： ? (1)氣體必須能被刻蝕材料表面所吸附，以形成化學(xué)鍵。 64 ? 反應(yīng)離子刻蝕 是上述兩種刻蝕方法相結(jié)合的產(chǎn)物，它是利用有 化學(xué)反應(yīng)性氣體 產(chǎn)生具有化學(xué)活性的基團(tuán)和離子。 液晶材料與技術(shù) 61 干法刻蝕 ? 利用等離子體或微波等使反應(yīng)氣體激發(fā)分解，生成離子及活性基，利用這些離子及活性基照射玻璃基板并與被刻蝕層發(fā)生反應(yīng)，實(shí)現(xiàn)刻蝕，完成圖形化的過程。 液晶材料與技術(shù) 57 ? 溝道寬長比與開口率有關(guān)，與 TFT的工作電流有關(guān)。若一旦出現(xiàn)逆梯形， 則在后面成膜時(shí)在梯形處容易發(fā)生斷裂其中最可能發(fā)生的是 D斷線。否則，氣泡被吸附在膜層上，具有與 Mask相似的功能，從而容易導(dǎo)致刻蝕殘余發(fā)生 。 液晶材料與技術(shù) 47 濕刻過程 ? (1)刻蝕液的移送。 ? 這種方式生產(chǎn)效率高，適合大批量生產(chǎn)，但需要采用短時(shí)間即可完成顯影的光刻膠，大型玻璃基板不適合采用這種方式顯影。 ? 將曝光后的玻璃基板放入顯影槽中，搖擺的噴頭將顯影液噴灑在玻璃基板的光刻膠面上，過一定的時(shí)間后顯出圖形，再通過水洗，將顯影液沖掉。 ? 在生產(chǎn)線上為了產(chǎn)品管理和工程管理，需要制作玻璃基板的產(chǎn)品管理信息，如批次編號、產(chǎn)品系列編號、生產(chǎn)日期等，如圖 。 液晶材料與技術(shù) 28 29 ? （ 3）透鏡步進(jìn)式分割曝光 ? 經(jīng)由 透鏡成像 ，但由于受到所使用投影透鏡有限直徑的限制，一次曝光不能完成對大型玻璃基板的全面圖形曝光。 ? 曝光工程對于 LCD的顯示性能及價(jià)格等有決定性的影響。 液晶材料與技術(shù) 16