【正文】 多數(shù)企業(yè)的研發(fā)能力有限，很難進行需要若干年的大量資金投入的項目，AMOLED產(chǎn)業(yè)的開發(fā)需要由具有在OLED和TFT方面擁有技術(shù)優(yōu)勢的企業(yè)結(jié)成聯(lián)盟，這方面首先需要政府的引導(dǎo)與支持，而且支持要集中火力以獲取重點突破。同國際前沿有機發(fā)光顯示技術(shù)比較，我國大陸在AMOLED研發(fā)上還遠(yuǎn)遠(yuǎn)落后于日本、韓國及我國臺灣地區(qū)，AMOLED是今后OLED發(fā)展的方向，如果我們不能加快發(fā)展，就會重蹈TFT重復(fù)引進的覆轍。 全色有機EL 顯示器為多層結(jié)構(gòu)，一般超過三層。 而且，在器件的制備過程中，材料的缺陷電極的純度以及不同材料界面對發(fā)光強度和整體性能都有很大的影響?！L ED 的發(fā)光過程當(dāng)電極上加有電壓時，發(fā)光層就產(chǎn)生光輻射。只有使注入的電子和空穴最大限度地在發(fā)光層處復(fù)合, 才能提高器件的發(fā)光效率。　有機電致發(fā)光器件結(jié)構(gòu)圖EL 2發(fā)光材料。其特點是造價低，能大面積制備，對溫度不很敏感。單層結(jié)構(gòu)器件制作相對簡單，主要用來研究發(fā)光材料的基本性能。 有機電致發(fā)光器件有機電致發(fā)光屬于注入式的有機分子激子復(fù)合發(fā)光，它能將電能直接轉(zhuǎn)化為光能。 響應(yīng)速度快, 圖像穩(wěn)定, 圖像刷新率比液晶顯示器快100 倍～1000 倍。 所示。目前，中國內(nèi)地主要有昆山維信諾、汕尾信利、四川虹視、佛山彩虹等企業(yè)從事小尺寸OLED生產(chǎn)。尤其未來的趨勢是要在輕巧的柔性體上輸送大量的信息和影像，而現(xiàn)今的平板顯示器顯然已不符合需求。此后，為了發(fā)展聚合物EL技術(shù)，在美國和歐洲進行了大量的研究工作。被動方式下由行列地址選中的單元被點亮。而且OLED顯示屏幕可以做得更輕更薄，OLED技術(shù)發(fā)展(15張)可視角度更大，并且能夠顯著節(jié)省電能。通過非晶硅底板驅(qū)動的2. 2 英寸有機EL 面板, 176 像素220 像素, 亮度為120cd/㎡, 色表現(xiàn)范圍與N TSC 相比達65% 以上。目前還沒有很適合大尺寸OLED驅(qū)動的IC,而且大尺寸面板成品率低, 生產(chǎn)工藝不成熟, 仍處于研發(fā)階段,預(yù)計2008 年才能夠達到實用化水平。目前主要采用三色發(fā)光法和白光加濾光片法。 ,藍色發(fā)光聚合物,發(fā)光效率可達到20cd/197。目前小分子OL ED 器件的發(fā)光效率已經(jīng)超過15lm/W ,器件壽命(半衰期) 已經(jīng)超過50000h。 由于他們的工作, 又引起了人們對有機電致發(fā)光研究的再度關(guān)注。電子在固體中加速的固態(tài)陰極射線發(fā)光(SSCL)。重點介紹一種具有陰極作為底層接觸層，陽極ITO薄膜作為頂部電極的表面發(fā)射型或者說有機“反轉(zhuǎn)”的LED(OILED)。本文將系統(tǒng)介紹OLED的發(fā)展背景、發(fā)展史、制備及應(yīng)用，介紹了有機電致發(fā)光器件(OLED) 的結(jié)構(gòu)和發(fā)光機理。它們分別是基于PN異質(zhì)結(jié)的無機發(fā)光二級管(LED)。其中, 有機電致發(fā)光顯示器件由于響應(yīng)速度快, 適合于全彩色的動態(tài)圖象顯示, 同時驅(qū)動電壓低, 能與數(shù)字圖象VLSI 技術(shù)兼容, 也便于實現(xiàn)動態(tài)圖象的顯示驅(qū)動, 并且聚合物材料可以通過低成本的工藝做成柔性的大面積平板顯示, 所以它是實現(xiàn)未來超薄型可卷壁掛式彩色電視的關(guān)鍵技術(shù), 現(xiàn)被公認(rèn)為是繼液晶顯示LCD、等離子顯示PBD 后的新一代圖形圖象顯示器件。按照驅(qū)動方式不同,OL ED 可分為有源驅(qū)動OL ED (active2 matrix OLED) 和無源驅(qū)動OL ED (passive2 matrix OLED)。最近佳能在S ID2004上宣布,初始亮度為100cd/㎡時,壽命可達25000h, 初始亮度100cd/㎡,發(fā)光效率達26lm/W。磷光材料(三線態(tài)材料)充分利用了激發(fā)三線態(tài)的能量,可以明顯提高器件的外量子效率,是一類比較看好的發(fā)光材料。(4) 大尺寸面板制作大尺寸技術(shù)被認(rèn)為是OLED能否用于電視機的關(guān)鍵技術(shù)。 單色、多色驅(qū)動IC 已經(jīng)比較成熟, 但款式有限, 一般只有通用的幾款。1990 年，Burroughes 等人發(fā)現(xiàn)了以共軛高分子PPV 為發(fā)光層的OLED，從此在全世界范圍內(nèi)掀起了OLED 研究的熱潮。 　　為了形像說明OLED構(gòu)造，可以將每個OLED單元比做一塊漢堡包，發(fā)光材料就是夾在中間的蔬菜。今天，高效率(15 lm/w)和高穩(wěn)定性(發(fā)光強度為150 cd/m2時，工作壽命10,000小時)的有機EL器件已經(jīng)研制出來。從1997～l999年，OLED顯示器的惟一市場是在車載顯示器上，2000年以后，產(chǎn)品的應(yīng)用范圍逐漸擴大到手機顯示屏。OLED手機顯示屏僅是OLED的一種應(yīng)用，實際上它的應(yīng)用范圍非常廣，涉及許多領(lǐng)域：消費類電子產(chǎn)品：主要應(yīng)用有裝飾用品(軟屏)與燈具、各類音響設(shè)備、計算器、數(shù)碼相機、數(shù)碼攝像機、便攜式DVD、便攜式電視機、電子鐘表、掌上游戲機、各種家用電器(OLED電視)等產(chǎn)品的顯示屏。摻雜染料為我們首次采用的9, 10二苯乙炔基蒽( 9, 10bis ( pheny lethny ) anthracene,BPEA ) 。 而將利用高分子作為電致發(fā)光材料制成的器件稱為高分子電致發(fā)光器件, 簡稱PLED。(5) 全固態(tài)結(jié)構(gòu), 抗震性能好, 因而可以適應(yīng)巨大的加速度和劇烈振動等惡劣環(huán)境。有機電致發(fā)光器件中的發(fā)光層是決定電致發(fā)光性能的最重要的一層。“小分子”技術(shù)是將“小分子”薄膜和電極用蒸發(fā)法淀積在玻璃襯底上。由于金屬的電子逸出功函數(shù)影響電子的注入效率, 因此要求其功函數(shù)盡可能低。 E IL 2電子注入層。3)激子的形成和遷移:電子和空穴在發(fā)光層中相遇結(jié)合，形成激子，激子在電場作用下遷移，將能量傳遞給發(fā)光材料的發(fā)光分子，并激發(fā)電子從基態(tài)能級躍遷到激發(fā)態(tài)。在能量釋放時，這些不同形式的能量耗散過程是一個相互競爭的過程。 由于激子產(chǎn)生的幾率與電子和空穴濃度的乘積成正比，在空穴進入層后與電子界面處結(jié)合而產(chǎn)生激子的幾率很大，因而幾乎所有的激子都是在界面處與層一側(cè)很狹窄的區(qū)域(約36nm)內(nèi)產(chǎn)生。這些也是影響中國大陸OLED產(chǎn)業(yè)能否一鳴驚人、持續(xù)發(fā)展的基礎(chǔ)環(huán)境因素。在關(guān)鍵技術(shù)領(lǐng)域，政府要制定引導(dǎo)性計劃，主導(dǎo)產(chǎn)業(yè)鏈的建設(shè)，加快產(chǎn)業(yè)配套的建設(shè)速度，加強產(chǎn)業(yè)競爭力。國家各級政府對包括OLED在內(nèi)的新型平板顯示器等一批重大高技術(shù)產(chǎn)業(yè)化的研究的越來越重視，支持力度越來越集中，而且采取了加大政府采購對自主創(chuàng)新產(chǎn)品的支持等鼓勵企業(yè)研發(fā)的有力措施。 結(jié)論及建議　　國際上OLED 的開發(fā)相當(dāng)熱門，當(dāng)前OLED 的研究重點主要集中在大尺寸、柔性及透明技術(shù)方面。盡管仍然面對著許多的困難，光電集成器件由于它的潛在生命力還是在蓬蓬勃勃地發(fā)展著，預(yù)計不久就會進入實用階段。然而，SiO壓隧道界面較大地增加了器件的工作電壓。 OILED結(jié)構(gòu) 有機層的成膜在570℃下恒溫20分鐘后真空沉積1500197。/s到5197。用橢圓偏振儀測得PVK:TPD混合物薄膜的厚度約為100O197。該器件的亮度隨電壓的升高而迅速增大。、2000197。 結(jié)構(gòu)為Si/Al/Alq/PVK:TPD/PTCDA/ITO，Alq厚度為500197。 結(jié)構(gòu)為Si/Al/Alq/ PVK:TPD/PCDA/ITO，Alq厚度為2000197?？梢钥闯龃诵酒奶匦郧€非?！坝病?，漏電很小，測得開啟電壓約為10V。 利用DW4822型晶體管特性圖示儀測試器件Ⅰ—V特性時觀察到的負(fù)阻現(xiàn)象在較低正向偏壓下，我們設(shè)想從陽極注入的空穴不可能穿過器件內(nèi)部而到達陰極，但如果外加電壓不斷升高，貫穿器件的電場有可能很高，使得空穴有可能渡躍到陰極，同樣對電子也有類似情況。這就是我們觀察到負(fù)阻轉(zhuǎn)折時電壓突然降到很低而電流卻很大的原因。 具有負(fù)阻區(qū)段的I一V特性曲線上式是在認(rèn)為兩種載流子壽命是一樣的，即=的條件下得到的，然而實際情況兩種載流子壽命并不一定相等，大多情況下采用Lalllpert和Ashley模型。芯片面積約為4㎜.由圖可看出這些特性與以前報道的傳統(tǒng)的OLED類似。根據(jù)這個觀點，大功率沉積ITO會使TPD的性能衰退，因為這使TPD直接暴露于濺射的等離子體中，TPD損傷更加嚴(yán)重。以前曾有人用CuPc覆蓋ITO陽極制造了傳統(tǒng)的OLED也觀察到了同樣的工作電壓的降低。盡管對有PL和沒有PL的OILED的之間的差別還不清楚，但我們推測PTCDA/。厚的PTCDA作為PL)和傳統(tǒng)OLED的EL譜 頂電極(陽極)面積對載流子注入效率的影響 三個分別具有2mm頂電極面積的結(jié)構(gòu)器件的IⅤ特性曲線，頂電極ITO面積分別為2mm的器件的IV特性曲線。這種不對稱可歸因于接觸界面處化學(xué)勢的不同和它們的粗糙度的不同。這些團狀顆粒對HTL層來說都是缺陷，而對空穴來講則是陷阱，增大了空穴被俘獲的幾率，降低了空穴的遷移，從而降低了器件的效率:而具有PL層的樣品表面較為平整，島狀形態(tài)的顆粒較少，表面起伏較低，大約只有100nln，因此由圖可以直觀的看到，濺射ITO對表面損傷還是很大的，PTCDA作為PL對器件表面起到了保護作用，有效的減少了最上面有機空穴傳輸層的缺陷。多層有機薄膜電致發(fā)光顯示技術(shù)以其卓越的技術(shù)性能，正在全力沖擊著液晶顯示(LCD)在平板顯示的主流地位，并大有取而代之之勢。，非常適合應(yīng)用在微顯示設(shè)備中；，可以做成能彎曲的可折疊的便攜式顯示器。I一V特性曲線不以PL厚度和結(jié)構(gòu)的變化而變化。即使一些自稱突破了壽命難題的公司的OLED產(chǎn)品，實際壽命也遠(yuǎn)非其宣稱的那么長。載流子注入效率低。LCD雖也有知識產(chǎn)權(quán)，但核心專利己被大大分散，或己到期。但OLED自身還存在一些缺點，因此如何克服這些缺點是研究的焦點?；谧灾骷夹g(shù)的中國大陸OLED產(chǎn)業(yè)的興起對提升我國顯示產(chǎn)業(yè)的國際競爭力具有重要意義。相信5年內(nèi)，壁畫般的顯示產(chǎn)品也將會在市場內(nèi)出現(xiàn)，拭目以待吧。感謝所有曾經(jīng)關(guān)心和幫助過我的人。老師知識淵博，治學(xué)嚴(yán)謹(jǐn)，為人師表，對待同學(xué)和藹可親，是我終生的表率。我國大陸很多地方和企業(yè)加大對OLED產(chǎn)業(yè)的投入,加快了OLED技術(shù)的發(fā)展和產(chǎn)業(yè)規(guī)模的擴大,將會快速培養(yǎng)起一批能夠盡早參與國際競爭的企業(yè),形成突破點和帶動效應(yīng),大大縮短“中國創(chuàng)造”屹立于世界先進行列的進程,使中國成為國際光電顯示產(chǎn)業(yè)強國。 為了能夠與在OLED的產(chǎn)業(yè)化過程中占據(jù)一席之地，在研發(fā)OLED新型材料的同時，積極開發(fā)低溫多晶硅技術(shù)是重中之重。配套產(chǎn)品滯后。電子一空穴對缺乏有效的復(fù)合，由于較難選擇匹配的電子和空穴傳輸材料，使得受激電子一空穴對的復(fù)合有時發(fā)生在陰極附近，即產(chǎn)生激子的淬滅，導(dǎo)致激子不能有效地激活發(fā)光材料。其次，OLED的彩色是靠不同的材料實現(xiàn)的，不同材料的壽命是不同的，一般藍、綠色的材料壽命稍長，而紅色材料最短，有機材料的電導(dǎo)率低，電阻大，使得器件在工作過程中產(chǎn)生較大的熱效應(yīng)，加上穿透電流所導(dǎo)致的溫度的升高，加速了器件內(nèi)部化學(xué)反應(yīng)的進程，從而縮短了器件的工作壽命。當(dāng)PL厚度降低到50A以下時，工作電壓突然有所增加。發(fā)現(xiàn)一個很值得注意的問題:在大電壓下I一V特性曲線出現(xiàn)了負(fù)阻特性。 與目前占主流地位的CRT及LCD技術(shù)相比，OLED與OILED具有以下更多的優(yōu)點:，比液晶器件小得多。最新研制的OLED其核心部分厚度只有幾十個納米，將其應(yīng)用于有機薄膜電致發(fā)光顯示器中能提供真正象紙一樣薄的顯示器。而很明顯的是具有相對低的升華溫度的Alq分子沉積到Al表面形成底層接觸時這種化學(xué)反應(yīng)被大大地減小了。我們發(fā)現(xiàn)電流(l)與外加電壓(v)的關(guān)系與Alq膜層中的陷阱限制電荷的傳導(dǎo)一致。 PL對EL發(fā)射譜的影響具有50197。 不同PL厚度的OILED的發(fā)光強度與電流的關(guān)系曲線。PL的器件其對應(yīng)亮度為75cd/㎡，而對150197。由圖看出，盡管PTCDA層厚度變化，OILED仍然滿足這個關(guān)系，m=8，它既不依賴于這種器件特殊的結(jié)構(gòu)細(xì)節(jié)，也不受PTCDA的厚度的影響。顯然，因此在低場情況下空穴不可能渡躍到陰極，電流是空間電荷限制電流或陷阱限制電荷電流，滿足I關(guān)系，如m=8隨著電壓的升高和電場的增強，被俘獲的空穴數(shù)目不斷減少，即意味著不斷減小，空穴渡躍時間不斷縮短，在某一臨界電壓下，空穴能夠?qū)崿F(xiàn)從陽極到陰極的完全渡躍。這樣我們處理的就是等離子體的傳輸問題了。同時，注入的電子也會對陽極處的空穴電荷以及空穴的注入和傳導(dǎo)施予類似的作用，形成一個再造過程。)/TPD(1500)197。(b)L一V特性曲線 結(jié)構(gòu)為Si/Al/Alq/PVK:TPD/PTCDA/ITO，Alq厚度為2500197。(b)L一V特性曲線反之，當(dāng)我們增加Alq層到2000197。的OILED芯片作為比較，其Ⅰ一Ⅴ～。這一亮度值較傳統(tǒng)的OLED低，但開啟電壓也明顯降低。由圖可見，該器件同典型的OLED一致也具有發(fā)光二極管的IV特性，說明有機層的反轉(zhuǎn)并沒有改變其I一V特性。 陽極的濺射最后，將樣品放置在刻有圖形的掩模版下進行陽極磁控濺射(rfmagnetronsputtering)。接著，它有與TPD相類似的結(jié)果。然而，這種TOLED形成了陽極的底部接觸層，而通常對顯示驅(qū)動器是用的n溝場效應(yīng)晶體管，因此，理想的做法是OL