高頻電路clappt課件(完整版)
【正文】 圖 329是幾種常用的 LC匹配網(wǎng)絡(luò)。 并聯(lián)饋電的優(yōu)點(diǎn)是 回路一端處于直流地電位，諧振回路中 L、 C元件一端可以接地，安裝方便 。 飽和電壓的加大 ， 使工作于臨界狀態(tài)的放大器的輸出幅度下降 ， 因此輸出功率和效率也會(huì)降低 。 圖 325 載流子渡越時(shí)間對(duì)電流波形的影響 （ a）低頻工作時(shí)；（ b）高頻工作時(shí) ??CiEiBi（ a） （ b）t2. 非線性電抗效應(yīng) 功放管中存在集電結(jié)電容 Cb‘c,這個(gè)電容是隨集電結(jié)電壓 Ubc變化的非線性勢(shì)壘電容。高頻電子線路 王軍 汕頭大學(xué)電子工程系 高頻功率放大器的高頻效應(yīng) 1. 少數(shù)載流子的渡越時(shí)間效應(yīng) 由于晶體管基區(qū)內(nèi)的 不平衡 少數(shù)載流子向集電區(qū)擴(kuò)散時(shí)需要一定的時(shí)間 τ，這個(gè)時(shí)間稱為“ 渡越時(shí)間 ”。 （ 1）若為負(fù)反饋： 它的存在使的對(duì)高頻信號(hào)呈現(xiàn)出低阻通道，使 ib加大， rbb’上壓降增大， ub‘e減小， ic減小，輸出功率和效率下降。 圖 327 晶體管的飽和特性 b c e ? ?39。 2． 基極饋電線路 圖 328 基極饋電線路的幾種形式 + 自給偏壓 Eb=UCb 基極組合偏壓 Eb=ER1/(R1+R2) 零偏壓 Eb=0 自給偏壓的優(yōu)點(diǎn)是偏壓能隨激勵(lì)大小變化，使晶體管的各極 電流受激勵(lì)變化的影響減小，電路工作較穩(wěn)定。 圖 329 幾種常見的 LC匹配 (a) L型 。 改變 C1和 C2就可以實(shí)現(xiàn)調(diào)諧和阻抗匹配的目的。 圖 332 高頻功放實(shí)際線路 (a) 50 MHz諧振功放電路 。晶體管 V V2的集電極電壓 uce uce2波形示于圖 333(d)、 (e)。引起實(shí)際效率下降的主要原因有兩個(gè) : 另一個(gè)是激勵(lì)電壓大小總是有限的，且由于晶體管的電容效應(yīng)，由截止變飽和，或者由飽和變截止，電壓 uce1和 uce2實(shí)際上有 上升邊和下降邊 ，在此 過渡期間 已有集電極電流流通，有功率損耗。負(fù)載電阻 RL與 L0、 C0構(gòu)成一高 Q串聯(lián)諧振回路，這個(gè)回路對(duì)激勵(lì)信號(hào)頻率調(diào)諧。 )，所以 兩管的 直流電壓 和負(fù)載電流分別為 兩管的直流輸入功率為 c m a xc0 π1 iI ?c m a xc0c00 π1 iEIEP ??c m a xL iI ?兩個(gè)半波合成一個(gè)整波 應(yīng)該改為：流過直流電源的直流電流 （只有半周期有電流） 負(fù)載上的基波電壓 UL等于 uce2方波脈沖 中的基波電壓分量 。同時(shí)，還設(shè)法降低晶體管導(dǎo)通期間的集電極損耗。圖上除了信號(hào)源和負(fù)載外，還采用了兩種基 本器件 : 一種是用三角形代表的晶體管功率放大器 (有源器件 )，另 一種是用菱形代表的功率分配和合并電路 (無(wú)源器件 )。其中T2 和 T7 作為輸入端和輸出端的分配器和合并器 。 T5 和 T6作為阻抗變換器 。根據(jù)同樣原理， 也可擴(kuò)展至 8 個(gè)、 16個(gè)，甚至更多的晶體管。 各種高效功放的原理與設(shè)計(jì)為進(jìn)一步提高高頻功率放大器的集電極效率提高提供了方法和思路。 對(duì)輸入電壓濾波之后的基波電壓信號(hào)就等于基波電流在 RL上形成的電壓 此時(shí)匹配的負(fù)載電阻為 (342) 影響電壓開關(guān)型 D類放大器實(shí)際效率的因素與電壓開關(guān)型基本相同，即主要由 晶體管導(dǎo)通時(shí)的飽和壓降 uces不為零 和 開關(guān)轉(zhuǎn)換期間 (脈沖上升和下降邊沿 )的損耗功率所造成 。晶體管輸出端的電壓在零和 Ec間輪流變化，如圖 334(c)所示。這是限制 D類放大器工作頻率上限的一個(gè)重要因素。 在 V1(V2)截止期間的
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