微電子學概論ch4集成電路制造工藝cmos工藝(完整版)
【正文】 ? 自對準離子注入磷或砷（需先形成多晶硅柵），形成 N管源漏區(qū) ? 去掉光刻膠（ Photoresist） 下一頁 上一頁 N襯底 P阱 PR 磷 下一頁 上一頁 N襯底 P阱 ? 形成 PMOS管的源漏區(qū) ? 在光刻膠上刻蝕出 PMOS管源漏區(qū)摻雜的窗口，利用光刻膠保護 NMOS管區(qū)域 ? 自對準離子注入硼，形成 P管源漏區(qū)、 P阱引出 ? 去掉光刻膠（ Photoresist） 硼 P+ P+ P+ 下一頁 上一頁 N襯底 P阱 硼 下一頁 上一頁 N襯底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ 下一頁 上一頁 N襯底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ ?形成自對準多晶硅 /硅化物（ salicide）：降低寄生電阻 低溫淀積氧化層 反應離子刻蝕氧化層，形成側(cè)壁氧化層 淀積難熔金屬 Ti或 Co等 低溫退火，形成難溶金屬硅化物 TiSi2或 CoSi 去掉氧化層上的沒有發(fā)生化學反應的 Ti或 Co 高溫退火，形成低阻穩(wěn)定的 TiSi2或 CoSi2 下一頁 上一頁 N襯底 P阱 P+ P+ P+ N+ N+ ?形成自對準多晶硅 /硅化物（ salicide）：降低寄生電阻 低溫淀積氧化層 反應離子刻蝕氧化層，形成側(cè)壁氧化層 淀積難熔金屬 Ti或 Co等 低溫退火，形成難溶金屬硅化物 TiSi2或 CoSi 去掉氧化層上的沒有發(fā)生化學反應的 Ti或 Co 高溫退火，形成低阻穩(wěn)定的 TiSi2或 CoSi2 下一頁 上一頁 NMOS結(jié)構(gòu) PMOS結(jié)構(gòu) N型 (100)襯底的原始硅片 P阱 (well) 隔離 閾值調(diào)整注入 柵氧化層和多晶硅柵 NMOS管源漏注入 PMOS管源漏注入 連線 下一頁 上一頁
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