原子的不規(guī)則排列b(完整版)
【正文】 邊界即為不全位錯 。 167。dx=τ 塞積位錯達(dá)到 n后 ， 外加力與塞積群反作用力平衡 ， 外力不足以開動位錯源 ， 這時(shí)近似： Gblkn 0???式中： τ0為外加分切應(yīng)力； l為位錯源距障礙物的距離； k=（ 1v） （ 注：上式推導(dǎo)見參考書 《 金屬學(xué) 》 ， 上海交大出版社出版 ） 可見 ， n取決于位錯源到障礙物的距離 l和外加分切應(yīng)力 ， l一定時(shí) ， n與 τ0成正比 。 冷加工狀態(tài)金屬的位錯密度為 1010~1012/cm2， 說明位錯增殖 。 ? 引用最多的位錯增殖機(jī)制 ， 為 FR源機(jī)制 （ 弗蘭克 瑞德源 ） ， 如圖 5）位錯的萌生與增殖 B、晶體中位錯的 增殖 → b ? 螺型位錯 AB，位錯線段兩端固定，在外加切應(yīng)力作用下變彎并向外擴(kuò)張，當(dāng)兩端彎出來的線段相互靠近時(shí)， C、 D兩點(diǎn)分別為正、負(fù)刃型位錯，抵消并形成一閉合位錯環(huán)和環(huán)內(nèi)一小段彎曲位錯線，然后繼續(xù)。 經(jīng)計(jì)算 ， 塞積群中任一位錯 i距障礙物的距離 xi（ n很大時(shí) ） 為： 20)1(16 ?? iKnGbx i ?? Gblkn 0???xi表示第 i個位錯距障礙物的距離 ， 若以 為 xi的單位 ， 可見在塞積群中每個位錯距障礙物不是等距離排列 ， 而是成 指數(shù)關(guān)系 。b 實(shí)際晶體中的位錯 ?全位錯與不全位錯 ?柏氏矢量等于點(diǎn)陣矢量或其整數(shù)倍的位錯稱為 “ 全位錯 ” ，其中柏氏矢量等于單位點(diǎn)陣矢量的位錯稱為 “ 單位位錯 ” ，故全位錯滑移后晶體原子排列不變。 表： 某些金屬和合金的層錯能 金屬 Ni Al Cu Au Ag 黃銅（ Zn的摩爾分?jǐn)?shù)為 ） 不銹綱 層錯能/J 3） 不全位錯的柏氏矢量亦可通過柏氏回路的方法確定 ， 但 回路的起點(diǎn)應(yīng)選擇在層錯面上 。 ? ?1113ab ? 3 面缺陷（ Plane Defect） 晶 界 孿晶界 相 界 小角度晶界 大角度晶界 外表面 內(nèi)表面 堆垛層錯 表面和自由界面 ? 晶體表面指金屬與真空或氣體、液體等外部介質(zhì)相接觸的界面 ? 外部和內(nèi)部原子的作用力不同 導(dǎo)致晶格畸變。 亞晶界 —— 一個晶粒內(nèi)位向差很小的 亞結(jié)構(gòu)間的交界 亞晶界 溶質(zhì)原子優(yōu)先聚集和第二相優(yōu)先析出的地方可阻礙位錯運(yùn)動，影響材料力學(xué)性能 孿晶界 —— 相鄰兩個晶界或一個晶粒內(nèi)部相鄰兩部分的原子相對于一個公共晶面 呈鏡面對稱排列 相 界 —— 相鄰 兩相 之間的界面 分類： 相界點(diǎn)陣完全重合 — 共格 相界點(diǎn)陣基本重合 —— 部分共格 +位錯 —— 半共格 相界點(diǎn)陣完全不重合 —— 非共格 小角度晶界能 EB：可由位錯模型計(jì)算 EB=E0θ（ Alnθ）， E0=Gb/4π（ 1γ）， A=EC4π（ 1γ） /Gb2 EC為位錯中心能量 ,金屬晶界能與晶粒位向差 θ的關(guān)系 晶界能 —— 晶界上非正常結(jié)點(diǎn)位臵原子引發(fā)晶格畸變， 使能量升高。 根據(jù)結(jié)合鍵的不同，我們通常把工程材料分為 金屬材料、高分子（聚合物）材料及陶瓷材料 3類。點(diǎn)缺陷是 擴(kuò)散及與擴(kuò)散有關(guān)的塑性形變 、 化學(xué)熱處理 、相變 等過程的基礎(chǔ)。 若給出晶體中具體的晶向、晶面時(shí)會標(biāo)注“指數(shù)”；若給出具體的“指數(shù)”時(shí)，能在三維空間圖上找出其位臵。 注意位錯線和柏氏矢量，位錯線移動方向、晶體滑移方向與外加切應(yīng)力之間的關(guān)系。主要討論了 位錯的特征 （分類）、 柏氏矢量的性質(zhì) 、作用在位錯上的
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