光催化降解小分子有機(jī)污染物甲醛的研究(完整版)
【正文】 （ O2） N 型V2O5） O2→ O2 O,O22,O2 V4+ → V5+ 負(fù)離子 吸附在高價(jià) 金屬上 ↘ ↗ ↘ P型 Cu2O O2→ O2 O,O22,O2 Cu+→ Cu2+ 負(fù)離子 吸附在高價(jià) 金屬上 ↘ ↗ ↗ 施電子氣體（ H2） N型 ZnO 1/2H2→ H+ Zn2+→ Zn+ 正離子 氣體吸附在 低價(jià)金屬離子上 ↗ ↘ ↗ P型 NiO 1/2H2→ H+ Ni3+→ Ni2+ 正離子 氣體吸附在 低價(jià)金屬離子上 ↗ ↘ ↘ P型半導(dǎo)體和它的 EF能級(jí) ?當(dāng)過(guò)渡技術(shù) 形成低價(jià)氧化物如 NiO， Cu2O， CoO等，常形成金屬陽(yáng)離子缺位的非計(jì)量化合物。如 ZnO中加入 Al3+由于費(fèi)米能級(jí)升高而使逸出功降低。 ?用導(dǎo)電率來(lái)判斷 ?對(duì)于 n型，凡是使導(dǎo)電率增加的物質(zhì)為施主型雜質(zhì)，相反則為受主型雜質(zhì)。 ?C)向晶格摻入電負(fù)性大的間隙原子。 金屬催化劑與氧化物催化劑催化特點(diǎn) ?部分氧化對(duì)于 CC鍵斷裂的催化過(guò)程，反應(yīng)的關(guān)鍵是氧的活化，表面物種為親電子的 O2和 O對(duì)于無(wú) CC斷裂的主要采用 O2晶格氧。 ?CO氧化用 N型半導(dǎo)體 ZnO加入 Li， CO氧化活化能增加，加入 Al3+活化能減小。而 O2是親核試劑是通過(guò)親核插入到反應(yīng)物中缺電處的。對(duì)于 d1， d2， d3， d9和 d10這種影響是一致的，只有一種穩(wěn)定的分布。如在巖鹽型結(jié)構(gòu)氧化物（ 100）表面金屬離子的配位構(gòu)型 退過(guò)吸附會(huì)從正方錐體五配位變成八面體（六配位）。 。相反對(duì)反應(yīng)物脫附來(lái)說(shuō)則弱場(chǎng)中的 d4和 d9離子和對(duì)強(qiáng)場(chǎng)中的 d2， d7， d9離子有利。 晶體場(chǎng)穩(wěn)定化能（ CFSE） ? d電子處于未分裂的 d軌道的總能量和它們進(jìn)入分裂的 d軌道的總能之差。 ? 對(duì)于在八面體場(chǎng)作用下而使原來(lái)由能量相同的簡(jiǎn)并軌道構(gòu)成的 d軌道變成能量不同的兩級(jí)軌道，即： eg組： dz2，dx2y2； t2g組： dxy， dxz， dyz 八面體場(chǎng) △為分離能 對(duì)于不同的配位體場(chǎng)下 d能級(jí)分裂 成對(duì)能與分離能關(guān)系 成對(duì)能：當(dāng)軌道上已經(jīng)被一個(gè)電所占據(jù)，若要將第二個(gè)電子進(jìn)入此軌道并與之配對(duì)時(shí)第二個(gè)電子與原有電子之間存在著一定的排斥作用克服這種排斥作用所需要的能量稱(chēng)之為電子成對(duì)能。 金屬氧化物催化劑氧化還原機(jī)理 （選擇性氧化（部分氧化）） ?表面氧種 ?OadO2—O—O2 ?O形成在第一類(lèi)過(guò)渡金屬氧化物（ p型）上，這類(lèi)氧化物具有
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