cmos靜態(tài)門電路的功耗(完整版)
【正文】 ut 常規(guī) 2021/6/17 對(duì)于深亞微米器件，存在泄漏電流 Ileakage VDD Ileakage Vout 漏極擴(kuò)散結(jié)漏電流 亞閾值漏電流 柵極漏電流 隨著特征尺寸的減小，泄漏電流功耗變得不可忽視，減小泄漏電流功耗是目前的研究熱點(diǎn)之一。 2021/6/17 作業(yè)： ?名詞解釋：靜態(tài)功耗，動(dòng)態(tài)功耗 ?簡(jiǎn)述 CMOS反相器功耗的構(gòu)成。 ) ,39。 Ipn=A?JS 由越過溝道區(qū)的少數(shù)載流子擴(kuò)散電流引起的 2021/6/17 反向偏置二極管漏電流 2021/6/17 亞閾值漏電流 源極 (S) 漏極 (D) 柵極 (G) VG VD ID 由少數(shù)載流子的擴(kuò)散引起，類似橫向晶體管 )1](/)([ )/( kTDSqVof f s e tTGS en k TVVVqss u b eII?????－ ～ 亞閾值振幅系數(shù) VT降低， Isub增大 但 VT增加，速度減慢 存在速度和功耗的折中考慮 2021/6/17 降低待機(jī)功耗的方法舉例： ? 正常工作時(shí)采用低閾值電壓，以減少 CMOS電路的延
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