【摘要】低頻放大電路設(shè)計(jì)制作1、實(shí)驗(yàn)?zāi)康?、能根據(jù)一定的技術(shù)指標(biāo)要求設(shè)計(jì)出低頻放大電路,學(xué)習(xí)低頻放大電路的一般設(shè)計(jì)方法。2、學(xué)習(xí)低頻放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的設(shè)置與調(diào)整方法;學(xué)習(xí)放大電路的電壓放大倍數(shù)、最大不失真輸出電壓、輸入電阻、輸出電阻及頻率特性等基本性能指標(biāo)的測(cè)試方法。二、設(shè)計(jì)內(nèi)容及要求根據(jù)一定的技術(shù)指標(biāo)要求設(shè)計(jì)出低頻放大電路。參數(shù)要求:在f=1kH
2025-08-04 14:06
【摘要】一、中國(guó)半導(dǎo)體器件型號(hào)命名方法半導(dǎo)體器件型號(hào)由五部分(場(chǎng)效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號(hào)命名只有第三、四、五部分)組成。五個(gè)部分意義如下:第一部分:用數(shù)字表示半導(dǎo)體器件有效電極數(shù)目。2-二極管、3-三極管第二部分:用漢語(yǔ)拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時(shí):A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時(shí):A
2025-06-26 01:37
【摘要】陜西理工學(xué)院物理與電信工程學(xué)院課程考核目錄(以下章節(jié)名稱為參考)摘要………………………………………………………………………………………IAbstract…………………………………………………………………………………...II1課題背景(
2025-01-21 18:08
【摘要】※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※※****級(jí)電子信息工程專業(yè)電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)電子技術(shù)課程設(shè)計(jì)報(bào)告書
2025-01-13 15:00
【摘要】1高頻LC諧振功率放大器原理圖1諧振功率放大器的基本電路圖1是一個(gè)采用晶體管的高頻功率放大器的原理線路。除電源和偏置電路外,它是由晶體管,諧振回路和輸入回路三部分組成。高頻功放中常采用平面工藝制造的NPN高頻大功率晶體管,它能承受高電壓和大電流,并有較高的特征頻率。晶體管作為一個(gè)電流控制器件,它在較小的激勵(lì)信號(hào)電壓作用下,形成基極電流iB,iB控制了較大的集電極電流iC,iC
2025-06-30 10:25
【摘要】本質(zhì)安全電路設(shè)計(jì)要求本質(zhì)安全型:是指電路、系統(tǒng)及設(shè)備在正常狀態(tài)下和規(guī)定的故障狀態(tài)下,產(chǎn)生的任何電火花或任何熱效應(yīng)都不能引起規(guī)定的爆炸混合物爆炸的電氣設(shè)備。這個(gè)定義中的正常狀態(tài)是指電氣設(shè)備在設(shè)計(jì)規(guī)定條件下的正常工作(試驗(yàn)時(shí)在試驗(yàn)裝置中產(chǎn)生的短路或斷路視為正常狀態(tài));故障狀態(tài)是指在試電路,非保護(hù)性元件損壞或產(chǎn)生短路、斷路、接地及電源故障等情況。這種設(shè)備的防爆原理,就是設(shè)法減小電路火花的能量及
2025-06-30 05:04
【摘要】汽車電子保護(hù)電路設(shè)計(jì)????????????????汽車環(huán)境對(duì)電子產(chǎn)品而言是非常苛刻的:任何連接到12V電源上的電路都必須工作在9V至16V的標(biāo)稱電壓范圍內(nèi),其它需要迫切應(yīng)對(duì)的問題包括負(fù)載突降、冷車發(fā)動(dòng)、電池反向、雙電
2025-06-30 05:13
【摘要】電力電子課程設(shè)計(jì)直流斬波電路的設(shè)計(jì)系、部:電氣與信息工程學(xué)院學(xué)生姓名:劉宗泉指導(dǎo)教師:肖文英職稱副教授專業(yè):自動(dòng)化班級(jí):1102班完成時(shí)間
2025-02-04 15:23
【摘要】電路設(shè)計(jì)合同范本 電路設(shè)計(jì)合同范本 甲方:_________ 乙方:_________ 甲方委托乙方為其設(shè)計(jì)制作電路,為保質(zhì)保量完成任務(wù),經(jīng)甲乙雙方協(xié)商達(dá)成如下協(xié)議: ,甲方應(yīng)向乙方提供詳...
2024-12-15 22:31
【摘要】24目錄1、EDA技術(shù)發(fā)展及介紹.........................................................................................................1技術(shù)的介紹..............................................................
2025-01-18 13:37
【摘要】微型計(jì)算機(jī)原理課程設(shè)計(jì)目錄一、設(shè)計(jì)目的 2二、設(shè)計(jì)內(nèi)容 2三、整體設(shè)計(jì)方案設(shè)計(jì) 2四、設(shè)計(jì)任務(wù) 3五、硬件設(shè)計(jì)及器件的工作方式選擇 31、硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)方框圖: 32、中斷實(shí)現(xiàn):8259A工作方式選擇及初始化 43、定時(shí)功能實(shí)現(xiàn):8253的工作方式及初始化 44、數(shù)碼管顯示及ADC的數(shù)據(jù)傳輸:8255的工作方式及初始化 55、模擬電壓轉(zhuǎn)換為數(shù)字量:ADC
2025-06-30 03:32
【摘要】帶通濾波電路設(shè)計(jì)一.設(shè)計(jì)要求(1)信號(hào)通過頻率范圍f在100Hz至10kHz之間;(2)濾波電路在1kHz的幅頻響應(yīng)必須在±1dB范圍內(nèi),而在100Hz至10kHz濾波電路的幅頻衰減應(yīng)當(dāng)在1kHz時(shí)值的±3dB范圍內(nèi);(3)在10Hz時(shí)幅頻衰減應(yīng)為26dB,而在100kHz時(shí)幅頻衰減應(yīng)至少為16dB。二.電路組成原理
2025-06-30 01:09
【摘要】1.驅(qū)動(dòng)條件驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)于目前的IGBT和MOSFET而言,此電壓一般被限定為20V。推薦使用的柵極驅(qū)動(dòng)電壓推薦使用值須達(dá)到MOSFET:VGS=+10VIGBT:VGG+=+15V,VGG-=-15VIGBT驅(qū)動(dòng)負(fù)偏電壓的作用是,在整個(gè)關(guān)斷過程中維持一個(gè)足夠大的反向柵極電流。利用關(guān)斷過程中的高dvCE/dt值,來(lái)吸
2025-08-27 11:09
【摘要】專業(yè)與班級(jí):中興121姓名:黃鵬飛學(xué)號(hào):61002121971溫度控制電路設(shè)計(jì)一、設(shè)計(jì)任務(wù)設(shè)計(jì)一溫度控制電路并進(jìn)行仿真。二、設(shè)計(jì)要求基本功能:利用AD590作為測(cè)溫傳感器,TL為低溫報(bào)警門限溫度值,TH為高溫報(bào)警門限溫度值。當(dāng)T小于TL時(shí),低溫警報(bào)L
2025-06-04 05:43
【摘要】目錄摘要..................................錯(cuò)誤!未定義書簽。Abstract.........................................................................錯(cuò)誤!未定義書簽。1.緒論.................
2024-12-07 10:18