【正文】 凝膠或晶粒的粒徑和比表面積 ,使其物化特性受到影響 ,從而影響薄膜質(zhì)量。通常 ITO的功函數(shù)大約為 ,與有機(jī)物所 具有的功函數(shù)相比略低。在 Wu等人的實(shí)驗(yàn)中 ,第一次驗(yàn)證了在用 O2plasma處理 ITO時(shí)能使 OLEDs的整體性能得到很大的提高。在有機(jī)污染雜質(zhì)沒有去除之前 , ITO的功函數(shù)始終保持在很低的范圍內(nèi) ,且具有較高的氧空位電阻率較低。目前國內(nèi)多條 ITO 薄膜生產(chǎn)線的 ITO 靶材都是從國外進(jìn)口 ,并且國外對 ITO 靶材的制備技術(shù)嚴(yán)格保密。因?yàn)槿嵝砸r底導(dǎo)電膜具有可撓曲、重量輕、不易碎、易于大面積生產(chǎn)和便于運(yùn)輸?shù)葍?yōu)點(diǎn)。其它方法如 : PVD、 CVD、 MOCVD、 PCVD、 LCVD 及真空反應(yīng)蒸發(fā)等技術(shù)均處于實(shí)驗(yàn)室階段 。近期 ITO 薄膜的產(chǎn)業(yè)化將是稀有金屬銦深加工和新型電子功能材料的主要方向之一。還可以用作烹調(diào)用加熱板的發(fā)熱體 ,也可以用于爐門、冷凍食品的顯示器及圖 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 25 低壓鈉燈等。 紫外薄膜 還 應(yīng)用于各種準(zhǔn)分子激光及 Nd:YAG 激光的 3 倍頻 (355nm)， 4 倍頻激光 (266nm)等領(lǐng)域 ,它的激光損傷閾值是關(guān)鍵 。但金屬通常比介質(zhì)存在更大的吸收 , 因而反 射率不會(huì)很高 , 且損傷閾值偏低 , 一定 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 26 程度上限制了金屬膜的應(yīng)用范圍。 在真空紫外波段 , 薄膜材料的本征吸收增加 , 各種微觀缺陷如雜質(zhì)引起的吸收、膜層表面的非理想性引起的散射、水分和 CH 的污染等都會(huì)對膜層的光學(xué)性能造成很大影響。 增光膜擴(kuò)散膜的作用 由于液晶面板本身不發(fā)光，必須借助背光模組（ backllight modiule)提供的光源及分布均勻的亮度才能使液晶顯示器顯示影像。背光模組實(shí)際上是由一層層光學(xué)膜片所組成，通過 CCFL 或 LED光源，經(jīng)過模組中各種膜片材料對光的功能作用，實(shí)現(xiàn)對光能的重新分配，使我們的 LCD 顯示器能夠看到影像。 背光模組光學(xué)部件量產(chǎn)需要解決的關(guān)鍵技術(shù)問題 增光膜光學(xué)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì) 背光模組光路設(shè)計(jì) 輥筒精密加工技術(shù)與設(shè)備 模具表面處理技術(shù) 擴(kuò)散膜的光學(xué)擴(kuò)散粒子配方設(shè)計(jì) 擴(kuò)散板技術(shù)參數(shù)及擠出工藝技術(shù)的開發(fā)研究 真空鍍膜技術(shù)的發(fā)展趨勢 科技發(fā)展愈來愈快，信息高速公路，數(shù)字地球等新概念的提出，影響和帶動(dòng)了全球高科技的發(fā)展，目前，生命科學(xué)，環(huán)?？萍?，材料科學(xué)和納米科技使高科技重點(diǎn)研究的領(lǐng)域；納米科技中又以納米電子學(xué)為優(yōu)先研究領(lǐng) 域。光學(xué)薄膜應(yīng)用與各種反射和投射的光學(xué)元件，薄膜技術(shù)是光學(xué)技術(shù)的一個(gè)重要組成部分。回想這段日子的經(jīng)歷和感受，我感慨萬千，在這次畢業(yè)設(shè)計(jì)的過程中，我擁有了無數(shù)難忘的回憶和收獲。在寫作過程中遇到困難我就及時(shí)和導(dǎo)師聯(lián)系，并和同學(xué)互相交流，請教專業(yè)課老師。在論文中我充分地運(yùn)用了大學(xué)期間所學(xué)到的知識(shí)?；舳? 《光學(xué)生產(chǎn)工藝》 北京：科學(xué)出版社 王潤孝 《先進(jìn)制造技術(shù)導(dǎo)論》 北京：科學(xué)出版社， 20xx. 陳達(dá) 《磁控濺射法制備 TiNxOy 光譜選擇性吸收膜》 廣州 :華南理工大學(xué)， 20xx 李春領(lǐng) 《反應(yīng)磁控濺射 法制備玻璃基 TiO 復(fù)合多層薄膜的研究》 武漢 :武漢理工大學(xué)，20xx 王軍華 《用磁控濺射法在柔性襯底上制備 ZnO 透明導(dǎo)電膜》 濰坊學(xué)院學(xué)報(bào)， 20xx 楊武保 《磁控濺射鍍膜技術(shù)最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢預(yù)測》 石油機(jī)械， 20xx 徐萬勁 《磁控濺射技術(shù)進(jìn)展及應(yīng)用 (上 )》 現(xiàn)代儀器：綜述與專論， 20xx 1 愈亮燕 《反應(yīng)濺射制備納米 ZnO 功能紡織材料及其性能表征》 江蘇：江南大學(xué)， 20xx 1 張繼成 ，吳衛(wèi)東，許華，唐曉紅 《磁控濺射技術(shù)新進(jìn)展及應(yīng)用》 材料導(dǎo)報(bào)， 20xx 1 李翠香 《新結(jié)構(gòu)蒸發(fā)鍍膜材料》 中國包裝 報(bào) 20xx 年 1 羅清岳 《光學(xué)薄膜制成技術(shù)與應(yīng)用》 電子資訊時(shí)報(bào) 20xx 年 1 史大道 《光學(xué)薄膜強(qiáng)度試驗(yàn)機(jī)》 光學(xué)儀器 1980 年 04 期 1 徐運(yùn)生 《第二屆光學(xué)薄膜技術(shù)交流會(huì)》 人工晶體學(xué)報(bào) 1985 年 01 期 1 王城 《介質(zhì)薄膜基體體系力學(xué)光學(xué)特性研究》 中國研究生院 20xx 年 1 李思琪 《電子轟擊薄膜和沉積速率的測定》 真空 1982 年 05 期 1 慈風(fēng)云 《塑料的濺射鍍膜》 真空 1982 年 06 期 史曉靈 《低輻射鍍膜玻璃》 中國建材報(bào) 20xx 年 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 34 致謝 在此論文撰寫過程中，我了解學(xué)習(xí)了很多，對自己學(xué)習(xí)到的東西進(jìn)行了總結(jié)，在幾個(gè)月的材料收集和總結(jié)中我鍛煉了自己，為我畢業(yè)走上社會(huì)有更好的發(fā)展。盡我所知，除文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，不包含其他人或組織已經(jīng)發(fā)表或公布過的研究成果，也不包含我為獲得 及其它教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或?qū)W歷而使用過的材料。感謝我的輔導(dǎo)員，謝謝他在這三年中為我們?nèi)嗨龅囊磺?，他不求回?bào)，無私奉獻(xiàn)的精神很讓我感動(dòng)，再次向他表示由衷的感謝。越是不懂的東西才要去學(xué)，在學(xué)習(xí)的過程中你會(huì)收獲很多，在學(xué)習(xí)之后你會(huì)感覺到很有成就感，這也是我在完成畢業(yè)設(shè)計(jì)之后體會(huì)到的。歷經(jīng)了幾個(gè)月的奮戰(zhàn)，緊張而又充實(shí)的畢業(yè)設(shè)計(jì)終于落下了帷幕。 在搜集資料的過程中，我認(rèn)真準(zhǔn)備了一個(gè)筆記本。要想提高我國 LCD 企業(yè)的利潤空間， 就必須盡快實(shí)現(xiàn) TFT－ LCD 原材料和輔助材料的國產(chǎn)化。納米電子器件有可能是以有機(jī)或無機(jī)復(fù)合晶體薄膜為主要原理，要求純度更高，結(jié)構(gòu)更完善。技術(shù)要求更高，國際流行的增光膜類似， CRT 背投電視機(jī)的光柵柱面鏡，只是齒型結(jié)構(gòu)不一樣，圖 圖 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 29 節(jié)距不一樣主要設(shè)計(jì)參數(shù)不一樣，導(dǎo)致輥筒加工方式不一樣，成型工藝技術(shù)不一樣，只要改造輥筒設(shè)計(jì)加工，完全可以批量生產(chǎn)增光膜。同時(shí)可以帶動(dòng)超精密機(jī)床，超精密模輥加工工藝技術(shù)、光學(xué)高分子材料、投影顯示光學(xué)器件等方面的基礎(chǔ)工業(yè)技術(shù)的提升。因此，提高光學(xué)薄膜的激光損傷閾值尤為重要。研究表明 ,SiO2 能起到最好的保護(hù)效果。 對于真 空紫外薄膜 , 全面考慮其光學(xué)性質(zhì)、機(jī)械性能及化學(xué)穩(wěn)定性 , 比較適用的材料并不多 , 主要包括金屬材料和介質(zhì)材料 , 金屬材料中最有潛力的是鋁 , 介質(zhì)材料主要包括氧化物材料和氟化物材料。研究表明 ,EC玻璃可使建筑物內(nèi)暖氣、冷氣和照明等能耗減少 50%以上。目前 ,在各類顯示器中 ,LCD的產(chǎn)值僅次于顯像管 (CRT)。隨著國內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)技術(shù)的發(fā)展 ,從 1998 年起 ,國產(chǎn)液晶顯示器、點(diǎn)陣顯示器都已躍居世界產(chǎn)量 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 23 第一 ,但與其相配套的 ITO 透明導(dǎo)電膜技術(shù)還沒有完全國產(chǎn)化。此外在核物理領(lǐng)域采用 ITO 薄膜與通道板構(gòu)成位置靈敏探測器具有較好的線性、探測效率及位置分辨率。隨著薄膜晶體管和液晶顯示等高新技術(shù)的不斷發(fā)展 ,對 ITO 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 22 性能及結(jié)構(gòu)的認(rèn)識(shí)也在不斷地深入。通常認(rèn)為 ,對功函數(shù)的影響來說 ,氧的含量就大于有機(jī)污染雜質(zhì) ,有機(jī)污染雜質(zhì)應(yīng)大于 Sn的含量 [8]。這些現(xiàn)象表明 ,在經(jīng) 過不同的等離子處理后 ,ITO發(fā)生了變化 。提高功函數(shù)的行之有效的方法主要有 O2等離子處理 ,UVozone輻射處理 ,化學(xué)酸堿處理等。目前對 ITO的處理方法主要分為物理和化學(xué)兩種方法 :物理方法主要是等離子處理 ,包括 O2和 Ar,UVozone,氧輝光放電 (OGDT)。 5) 無需真空裝置 ,工藝簡單 ,制備費(fèi)用 低。 20 世紀(jì)80 年代是溶膠 2 凝膠科學(xué)技術(shù)發(fā)展的高 峰時(shí)期。用射頻 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 18 磁控濺射的方法在透明聚酯膠片沉積 ITO 透明導(dǎo)電膜，所用的靶材有銦錫氧化混合燒結(jié)而成。本文對以上 5 種主要制膜工藝的特點(diǎn)進(jìn)行了分析和比較 ,并在此基礎(chǔ)上探討了 ITO 工業(yè)。近年來 ,由于 ITO 薄膜 材料所具有的優(yōu)異光電特性 ,其應(yīng)用得到迅速發(fā)展 ,特別是在薄膜晶體管 ( TFT)制造、平板液晶顯示 (LCD) 、太陽能電池透明電極以及紅外輻射反射鏡涂層、火車飛機(jī)用玻璃除霜、建筑物幕墻玻璃等方面 ,其應(yīng)用得到迅速推廣。反之，對于耐腐蝕場合，針眼狀缺陷會(huì)導(dǎo)致涂層失效。目前，已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了靶材功率密度超過 100W/㎝178。雖然這些薄膜可以用反應(yīng)性 磁控濺射技術(shù)制備，也可利用射頻磁控濺射技術(shù)制備，但射頻磁控濺射法的沉積速率較低，而且反應(yīng)性磁控濺射技術(shù)容易發(fā)生異常放電和“微液滴濺射”現(xiàn)象，影響膜層的成分、性能以及系統(tǒng)的穩(wěn)定性。這樣，就有一部分電子可以沿磁力線運(yùn)動(dòng)至基底，等離子體不再被緊緊約束在靶表面，而另一部分在電子負(fù)電位的帶動(dòng)下流向基底，同時(shí)也 在沒有偏壓的情況下實(shí)現(xiàn)了等離子體中離子流的引出。射頻磁控濺射中，射頻電源的頻率通常在 50~30MHz。在低氣壓下，離子是在遠(yuǎn)離陰極的地方產(chǎn)生，從而它們的熱壁損失較大，同時(shí)，有很多初始電子可以以較大的能量碰撞陽極，所引起的損失又不能被碰撞引起 的次級發(fā)射電子抵消，這時(shí)離化效率很低，以至于不能達(dá)到自持的輝光放電所需的離子。 (4)入射離子方向與靶面法線方向的夾角增大，濺射率增大 (傾斜入射比垂直入射時(shí)濺射率大 )。實(shí)驗(yàn)上已經(jīng)證明 Cu, Ag,黃銅 (Brass)和 Al青銅 (Al bronze )能夠?qū)崿F(xiàn)自濺射。被濺射材料粒子的電離以及減少甚至 取消惰性氣體 ,將明顯地影響薄膜形成的機(jī)制 ,加強(qiáng)沉積薄膜過程中合金和化合物形成中的化學(xué)反應(yīng)。中頻交流濺射技術(shù)還應(yīng)用于孿生靶 (TwinMag)濺射系統(tǒng)中 ,中頻交流孿生靶濺射是將中頻交流電源的兩個(gè)輸出端 ,分別接到閉合磁場非平衡濺射雙靶的各自陰極上 ,因而在雙靶上分別獲得相位相反的交流電壓 (見圖),一對磁控濺射靶則交替成為陰極和陽極。而對陶瓷等介質(zhì)材料靶 ,則只能采用射頻磁控濺射方法沉積薄膜 ,射頻磁控濺射方法能對任何材料包括各種導(dǎo)體、半導(dǎo)體和絕緣介質(zhì)進(jìn)行濺射鍍膜。 3)一弧多用。 1. 1972 年 ,Bunshah 提出了在真空放電蒸鍍時(shí) ,導(dǎo)入反應(yīng)氣體生成化合物的方法 ,即 (活性反應(yīng)蒸鍍法 )( Activated Reactive Evaporation 一般簡稱 ARE 法 )。 高頻感應(yīng)蒸發(fā)源的特點(diǎn)： 1. 蒸發(fā)速率大 ，可比電阻蒸發(fā)源大 10 倍左右； 2. 蒸發(fā)源的溫度均勻穩(wěn)定，不易產(chǎn)生飛濺現(xiàn)象； 3. 蒸發(fā)材料是金屬時(shí)，蒸發(fā)材料可產(chǎn)生熱量； 它的缺點(diǎn)是： 1）必須采用抗熱震性好，高溫化學(xué)性能穩(wěn)定的氮化硼坩鍋； 2）蒸發(fā)裝置必須屏蔽，并需要較復(fù)雜和昂貴的高頻發(fā)生器； 3）線圈附近的壓強(qiáng)是有定值的，超過這個(gè)定值，高頻場就會(huì)使殘余氣體電離，使功耗增大。空心陰極電子槍對真空室的真空度要求比 e 型電子槍低，而且是使用低電壓工作，相對來說，設(shè)備較簡單和安全，造價(jià)也低。直槍的功率從幾百瓦至幾百千瓦的都有，有的可用于真空蒸發(fā)，有的可用于真空冶煉。近年來，為了提高加熱器的壽命，國內(nèi)外已采用壽命較長的氮化硼合成的導(dǎo)電陶瓷材料作為加熱器。 在平衡狀態(tài)下，若物質(zhì)克分子蒸發(fā)熱 H? 與溫度無關(guān)，則飽和蒸氣壓 sP 和絕對溫度 T 有如下關(guān)系： RTΔHs eKP ?? ?? 式中 R 為氣體普適常數(shù)， K 為積分常數(shù)。當(dāng)真空度高，分子自由程 λ遠(yuǎn)大于蒸發(fā)器到被鍍物的距離 d 時(shí)（一般要求? ?d32λ ?? ，材料的蒸氣分子在散射途中才能無阻當(dāng)?shù)刂本€達(dá)到被鍍物和真空室表面。 鏡片的應(yīng)力溫度。 抗斷開點(diǎn)：采用由歐洲標(biāo)準(zhǔn)化委員會(huì)制定的100 牛頓 CEN 靜態(tài)變形測試。同時(shí)鏡片內(nèi)部的菜射也非常有限，只在偶爾情況下，可能會(huì)使鏡片呈現(xiàn)黃色或乳白色。例如， 30%的光線吸收相當(dāng)于 30%的光通量在鏡片內(nèi)部的減少。盡管所有鏡片都存在色散，但在鏡片中心，這個(gè)因素可以被忽略，只有在用高色散材料制造的鏡片周邊部，色散現(xiàn)象才易被察覺。但這個(gè)區(qū)別并沒有造成實(shí)際影響，因?yàn)樗? 區(qū)別僅僅反映在折射率值的第三位小數(shù)上。 武 漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 2 第 2 章 基礎(chǔ)理論 光學(xué)鍍膜技術(shù)的特性 一、 光學(xué)性質(zhì)，計(jì)算屈光作用和控制光學(xué)性能； 二、 機(jī)械和熱性質(zhì)； 三、 電性質(zhì)材料； 化學(xué)性質(zhì)通過外界所可能接觸的化學(xué)物質(zhì)了解材料的相應(yīng)變化。 Tessar 及施耐特 Xenar3款鏡頭成為羅萊最早鍍膜鏡頭。 1938 年：美國依斯曼，柯達(dá)公司在 HECTA 鏡頭上完成鍍膜工藝。在此帶動(dòng)下，中國擴(kuò)散膜市場空前發(fā)展，目前已占全球市場的近 50%。它們都要求淀積薄膜的空間要有一定的真空度。 武漢職業(yè)技術(shù)學(xué)院畢業(yè)論文 I 幾種膜系特點(diǎn)及應(yīng)用研究 摘要 薄膜是一種物質(zhì)形態(tài)，它所使用的膜材料非常廣泛，可以是單質(zhì)元素或化合物，也可以是無機(jī)材料或有機(jī)材料。所以，真空技術(shù)是薄膜制作技術(shù)的基礎(chǔ)，獲得并保持所需的真空環(huán)境，是鍍膜的必要條件。 關(guān)鍵詞： 薄膜；氣相生成法