fmea失效分析的步驟與方法-文庫吧在線文庫
【正文】 N LITE ON 四、失效分析技術(shù) 電測技術(shù) –質(zhì)量檢驗的電測 ? 采用標(biāo)準化的測試方法，判定該器件是否合格，目的是確定器件是否滿足預(yù)期的技術(shù)要求 –失效分析的電測 ? 采用非標(biāo)準的測試方式，目的是用于確定器件的失效模式、失效部位并估計可能的實效機理 ? 測試儀器、測試步驟及參數(shù)的種類都可以簡化 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) 失效分析的電測 –管腳測試 ? 管腳測試可以確定失效的模式和管腳，無法確定失效的確切部位 例 1： GBJ 的 +AC1電性失效，其余管腳 OK，則可以只對 +AC1的晶粒做后續(xù)分析，如 XRAY等 例 2： TO220AB的一端測試顯示 HIVF，我們可以估計可能的失效模式為晶粒橫裂等。 ? 除電測技術(shù)分析外，有 X射線和反射式聲學(xué)掃描顯微技術(shù)等 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) ? XRAY –原理與醫(yī)用的 X射線透視技術(shù)完全相同，器件的不同材料造成不同的吸收系數(shù)，收集穿透的X射線通過圖象處理可反映不同部位的影象 –可以觀察器件內(nèi)部結(jié)構(gòu)，焊錫的狀況，本體氣孔等 例： DFM的焊錫氣孔（手動與自動制程的差異） LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) 手動制程 自動制程 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 四、失效分析技術(shù) ? CSAM –原理：利用超聲脈沖探測樣品內(nèi)部的空隙缺陷等，超聲波對于不同的介質(zhì)都會產(chǎn)生發(fā)射波，如果遇到空氣即 100反射，該技術(shù)是對器件分層最有效的檢測方法 –可以檢測材料結(jié)構(gòu)界面的粘連和分層狀況，及塑封材料的空洞、芯片開裂等。 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON ? 失效模式的分類 –按失效的持續(xù)性 ? 致命性 、間歇性、緩慢退化 –按失效時間 ? 早期失效 、隨機失效 、磨損失效 –按電測結(jié)果 ? 開路、短路、漏電、參數(shù)漂移 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON ? 失效機理 – 失效的物理和化學(xué)根源叫失效機理。 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 二、失效分析的目的及作用 ? 目的 –找出器件失效的物理和化學(xué)根源，確定產(chǎn)品的失效機理 ? 作用 –獲得改進工藝、提出糾正措施，防止失效重復(fù)出現(xiàn)的依據(jù) –確定失效的責(zé)任方，避免不必要的損失賠償 –評估產(chǎn)品的可靠度 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 三、一般步驟 ? 收集失效數(shù)據(jù) ? 烘焙 ? 測試并確定失效模式 ? 非破壞性分析 ? DECAP ? 失效定位 ? 對失效部分進行物理化學(xué)分析 ? 綜合分析，確定失效原因，提出改善措施 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 失效數(shù)據(jù)收集 ? 作用：根據(jù)失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)估計失效原因和 失效責(zé)任方 ? 失效現(xiàn)場數(shù)據(jù)的內(nèi)容 ? 失效環(huán)境：潮濕、輻射 ? 失效應(yīng)力：過電、靜電、高溫、低溫、高低溫 ? 失效發(fā)生期 :早期、隨機、磨損 ? 失效歷史：以往同類器件的失效狀況 LITEON SEMICONDUCTOR CORP. DISCRETE DIVISION LITE ON 烘焙 ? 對于一些經(jīng)過潮濕環(huán)境下失效，或從其電性上表現(xiàn)為漏電大或不穩(wěn)定的器件，有必要進行烘焙后測試 ? 方法： –溫度： 150℃ 常壓 –時間
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