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【正文】 00 ℃ 時(shí)，晶粒直徑增加到 60 nm，比正電子擴(kuò)散長(zhǎng)度要大，會(huì)導(dǎo)致正電子主要在晶體內(nèi)發(fā)生自由湮沒(méi)，減少了正電子被缺陷俘獲的概率． 經(jīng)過(guò) 1000 ℃ 高溫退火后， ZnO 的粒徑增大至 165 nm 左右，此時(shí)界面成分比例仍比較大，考慮到正電子有達(dá) 50 nm 的擴(kuò)散長(zhǎng)度，只要界面存在 ＬａＢａＣｕＯ系超導(dǎo)體１／８反?，F(xiàn)象及 正電子壽命譜的研究 Ｌａ被替代含量等于０．１２５（即１／８）時(shí)，超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度Ｔｃ被抑制 τ１， τ２，和Ｉ２分別表示短壽命、長(zhǎng)壽命及長(zhǎng)壽命的相對(duì)強(qiáng)度．由兩態(tài)捕獲模型可知， 短壽命 τ１ 主要反映在樣品 完整晶格 結(jié)構(gòu)中正電子的湮沒(méi)特征，可用于探測(cè)材料內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)的電子分布； 而長(zhǎng)壽命 τ２則反映了在樣品缺陷（空位、空位團(tuán)及微空洞 ）中正電子的湮沒(méi)特征，其變化特征反映出樣品的本征結(jié)構(gòu)．由圖３中可以看出 τ１， τ２在ｘ＝０．１２５處均出現(xiàn)異常，說(shuō)明在ｘ＝０．１２５處的樣品較其它摻雜含量的樣品具有較高的電子密度分布、較完整的晶格結(jié)構(gòu)以及較小的缺陷濃度． ｘ＝０．１２５處替代所引起的晶格結(jié)構(gòu)畸變而在Ｌａ－Ｏ鏈上形成的 能量勢(shì)壘是造成超導(dǎo)轉(zhuǎn)變溫度退化 低溫物理學(xué)報(bào) 2023 二、 一維長(zhǎng)縫角關(guān)聯(lián)裝置 電子結(jié)構(gòu) 缺 陷 Mo中子輻照前后角關(guān)聯(lián)曲線 點(diǎn)缺陷－芯電子湮滅幾率降低 拋物線增強(qiáng) 高斯部分 ????? /22 2)()( ???? BeAN F 多普勒展寬測(cè)量裝置框圖 三、多普勒展寬測(cè)量裝置 電子 X方向動(dòng)量分布 儀器展寬 多普勒增寬曲線 Cu退火及變形 511Kev 多普勒展寬線形參數(shù)定義 S=A/(B+C) W=(B+C)/Δ H=A/Δ Δ：曲線積分面積 圖 3 S 參數(shù)及 W 參數(shù)變化． 400℃ 退火溫度以前 :S， W 參數(shù)基本不變，說(shuō)明在這一階段 缺陷保持穩(wěn)定 ，正電子被缺陷所俘獲，與低動(dòng)量電子湮沒(méi)的概率沒(méi)有明顯變化． 400 到 900 ℃ 間時(shí)，可以看到隨著退火溫度逐漸升高， S 參數(shù)逐漸減小，W 參數(shù)逐漸增大，結(jié)合壽命譜分析，這是由于 Zn 空位開(kāi)始恢復(fù)，空位團(tuán)逐漸收縮 直至消失，從而導(dǎo)致正電子與低動(dòng)量電子發(fā)生湮沒(méi)的概率降低所造成的． 退火溫度高于 900℃ ， S 參數(shù)、 W 參數(shù)保持不變也說(shuō)明了此時(shí)樣品中 空位型缺陷已經(jīng)基本被清除 ． 退火處理 Fe43 Co43 Hf7 B6 Cu1非晶合金的正電子湮沒(méi)研究 金屬的 S參數(shù)與溫度 T的關(guān)系 T＝ 空位處湮滅 )/exp( kTHACvv ??捕獲率同單空位濃度成正比 Co合金 S參數(shù)隨退火溫度的變化
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