【正文】 ，其他多采用 65nm，后年 40nm會成為主流；片上邏輯門數(shù)量為千萬級，程序代碼 20萬行以上 40nm功耗和運算性能滿足數(shù)據(jù)卡商用要求，手持終端要求更高 兲鍵技術實現(xiàn) 大多數(shù)芯片實現(xiàn) MIMO的簡單模式，高級模式（ 7）仍在開發(fā)或優(yōu)化、上行反饋機制不完善或欠優(yōu)化，信道估計算法優(yōu)化有較大空間 初步實現(xiàn) LTE基本關鍵技術，尚未充分發(fā)揮 LTE技術優(yōu)勢 終端形態(tài) 目前主要是 CPE和 USB數(shù)據(jù)卡 ,部分芯片尚未解決芯片耗電問題，需要外接直流電 下一代芯片能夠比較徹底解決耗電問題 功能情況 少量芯片實現(xiàn) LTE功能較完整，大部分芯片僅實現(xiàn) LTE單小區(qū)業(yè)務，切換等移動性功能計劃年底實現(xiàn) 整體功能實現(xiàn)有限，明年初能普遍支持車載移動和切換 性能表現(xiàn) 個別芯片速率較高，延時較短，室內(nèi)性能接近理想情況，大多數(shù)芯片峰值速率不到理論值 1/2，死機、重啟現(xiàn)象較多 關鍵算法性能還有待提高，穩(wěn)定性待改進 路標（ ESCS） 產(chǎn)品分析 (基礎能力，實現(xiàn)程度，研發(fā)計劃，技術差距 ) 單模dongle 多模dongle 多模手機 海思 10Q110Q4 （ 65nm） 11Q312Q3 （ 65/45nm） 2023 (45/28nm) 公司實力和研發(fā)水平強，有華為系統(tǒng)配合，基本已支持全部功能，基帶芯片已量產(chǎn)，硬件支持 TDD/FDD，芯片功耗需要繼續(xù)降低 ,10月下旬參加 創(chuàng)毅 視訊 09Q411Q1 (65/40nm) —— —— 較早發(fā)布樣片，但遺留問題較多，實現(xiàn)功能不到一半，規(guī)模較小，設計能力較弱，暫無研發(fā)多模計劃，預計 12月參加 ，明年 Q2全面支持單模 重郵 —— 11Q111Q4 (65/45nm) 2023 (45/nm) 有 TDSCDMA研發(fā)背景， TD/TDLTE雙模芯片有一定優(yōu)勢，剛進行 TDLTE流片，進度較慢，規(guī)模較小，預計 1月參加測試，明年 Q2全面支持單模 聯(lián)芯 —— 11Q1Q4 (65/) 2023 有 TDSCDMA研發(fā)背景，有系統(tǒng)配合，多模芯片有一定優(yōu)勢，剛進行 TDLTE流片，進度較慢，公司規(guī)模較小，預計 Q1參加測試， Q2全面支持單模 中興 10Q111Q1 (55/45nm) 11Q212Q2 (45/ nm) 2023 公司整體實力較強，有系統(tǒng)配合，進入芯片設計領域較晚，剛進行 TDLTE流片，進度較慢，預計明年 Q1參加測試， Q2全面支持單模 高通 —— 09Q411Q2 (45nm) 12Q1Q4 (28nm) 芯片研發(fā)和公司實力最強，芯片硬件直接多模設計，優(yōu)先開發(fā) FDD， TDLTE目前僅支持 10M帶寬，預計明年 Q1Q2全面支持 TDLTE單模 三星 11Q412Q1 (65nm) 12Q2Q4 (45nm) 12Q2Q4 (—— ) LTE芯片研發(fā)先鋒， FDD已經(jīng)量產(chǎn)出貨， TDLTE態(tài)度謹慎，計劃滯后，現(xiàn)有 DSP方案支持功能次于海思，已經(jīng)支持切換，但僅支持 10M帶寬，速率偏低 STE 09Q311Q1 (65nm) 11Q212Q2 (40nm) 12Q2Q4 (40nm) 芯片研發(fā)和公司實力強，技術先進，芯片硬件直接多模設計，優(yōu)先開發(fā) FDD，國內(nèi)團隊負責 TDLTE研發(fā)，預計年底參加測試，明年 Q1全面支持單模 Sequans 10Q111Q1 (65nm) 11Q1Q4 (40nm) —— WIMAX芯片第 2大供貨商，有 OFDMMIMO芯片設計基礎，投片頻率高，現(xiàn)有 TDLTE芯片設計處于完善階段，預計年底參加測試，明年 Q2全面支持單模 ——各家路標在 NGMN （ 2023年 4月）數(shù)據(jù)和與廠家調研基礎上分析得出 各公司 TDLTE芯片研發(fā)路標 ——FDD LTE 路標引自 NGMN 2023年 4月的調研結果 附： FDD LTE主要芯片研發(fā)路標 FDD芯片路標 三星 高通 STEricsson 單模數(shù)據(jù)卡芯片（樣片） 2023Q2Q3（ 65nm） —— 2023Q3（ 65nm） 單模數(shù)據(jù)卡芯片（量產(chǎn)） 2023Q4（ 65nm） —— 2023Q3Q4（ 65nm） 多模數(shù)據(jù)卡芯片（樣片） 2023Q2(—— ) 2023Q4（ 45nm） 2023Q2（ 40nm） 多模數(shù)據(jù)卡芯片（量產(chǎn)） 2023Q42023Q1（ 45nm） 2023Q1（ 45nm） 2023Q2（ 40nm） 多模智能終端芯片（樣片） 2023Q2Q4（ 45nm） 2023Q1（ 28nm） 2023Q2（ 40nm） 多模智能終端芯片（量產(chǎn)） 2023H22023H1（ —— ） 2023Q2Q4（ 28nm） 2023Q3Q4（ 40nm） TDLTE FDD LTE 產(chǎn)品路標 單模數(shù)據(jù)卡 10Q411Q3 多模數(shù)據(jù)卡 11Q313Q1 多模手機 12Q113Q3(國內(nèi)芯片普遍于 2023年后支持多模 ) 單模數(shù)據(jù)卡 09Q410Q4 多模數(shù)據(jù)卡 10Q311Q3 多模手機 10Q312Q2 工藝水平 2023年，芯片工藝一般在 65nm水平，可支持單模數(shù)據(jù)卡 2023年， 4045nm逐漸普及， MCU，支持多模數(shù)據(jù)卡，智能手機 2023年，芯片工藝規(guī)模使用 45nm， 28nm逐漸普及， MCU，支持高端多模智能手機和普及型低價智能手機， 2023年后， 28nm及更高工藝芯片制程規(guī)模使用 成本壓力要求 TDLTE芯片采用和 FDD 芯片相當?shù)墓に? 國內(nèi)設計水平和速度仍落后國際主流企業(yè)，多?；鶐Ш蜕漕l芯片水平差異較大 TDLTE和 FDD LTE 芯片研發(fā)路標對比 ? TDLTE終端芯片的成熟度預計落后 LTE FDD一年左右。 系統(tǒng)設備 TDLTE和 LTE FDD成熟度對比 ? LTE FDD由于采用較簡單的 MIMO模式（ 2 2天線 MIMO），在 2023年已經(jīng)實現(xiàn)功能和基本性能， 2023年通過試驗網(wǎng)和終端的互調試不斷進行算法版本升級和深入的優(yōu)化性能。 系統(tǒng)設備 算法性能還需進一步驗證和優(yōu)化 ? LTE系統(tǒng)性能比 3G更依賴軟件算法，算法優(yōu)化成為關鍵因素和研發(fā)難點。 系統(tǒng)設備 — 8通道硬件基本實現(xiàn) ? 系統(tǒng)設備 8通道硬件已突破技術難關，可以初步滿足 LTE大帶寬、高數(shù)據(jù)率和 8通道波束賦形多天線技術要求。 2023年開始建商用網(wǎng)絡， 11月提供服務 。 地區(qū) 數(shù)量 運營商 北美 1個 Clearwire 中美洲及拉丁美洲 1個 Telefonica (Movistar) 歐盟 /歐洲自由貿(mào)易區(qū) 4個 Vodafone, 德電等 東歐 /中東及非洲地區(qū) 7個 Rostele, AREO2等 日本及亞太地區(qū) 11個 軟銀 , Bharti等 總計 24個 地區(qū) 印度 40M 30M 德國 50M 芬蘭 50M 挪威 50M 瑞典 50M 香港 90M 50M 韓國 90M 70M (TBC) 日本 95M 新加坡 50M 184M 澳大利亞 100M 規(guī)劃中 越南 100M 20M 新西蘭 70M 65M 馬來西亞 100M 60M 美國 50M 巴西 50M ? 依托頻率資源和 LTE產(chǎn)業(yè)優(yōu)勢，TDLTE有望成為主流 TDD技術。 ? 系統(tǒng)設備 ： 2x10MHz FDD系統(tǒng)，下行峰值速率50Mbps。 ? 系統(tǒng)設備 ： 2x5MHz FDD系統(tǒng)，提供下行，上行 率。 ? 網(wǎng)絡規(guī)模較大 ：采用 700Mhz的頻率， 38個城市約 ，覆蓋 。 FDD LTE產(chǎn)業(yè)進程 ? LTE FDD 2023年啟勱，運營商發(fā)展策略丌同 ? HSPA還是發(fā)展主流， LTE需要 3~5年培育 2023年 LTE啟動，初期以熱點覆蓋為主 ? 截止 2023年 12月底，全球共開通 14個 LTE商用網(wǎng)絡，大部分為中小運營商，除Verizon以外，目前其余網(wǎng)絡規(guī)模較小，以熱點覆蓋為主。 ? RosTele， 俄羅斯國有運營商，年初得到 30M