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年產(chǎn)3000噸電子級多晶硅建設(shè)項目多晶硅可研報告-文庫吧在線文庫

2024-09-01 20:58上一頁面

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【正文】 高溫燙傷及低溫凍傷 ..................................103 觸電及機械傷害 ......................................103 粉塵危害 ............................................104 其他危害 ............................................104 勞動安全衛(wèi)生設(shè)計中采用的主要防范措施 .....................104 建筑及場地布置 ......................................1048 工藝及自控 ..........................................105 消防 ................................................105 電氣及電信 ..........................................105 其它 ................................................106第十三章 消防 ....................................................108 設(shè)計依據(jù) .................................................108 設(shè)計范圍與分工 ...........................................108 項目概況 .................................................108 火險分析 .................................................109 防火安全措施 ..........................................112 有火災(zāi)爆炸危險介質(zhì)的設(shè)備安全控制措施及異常情況的緊急控制措施 .....................................................112 總圖 ................................................113 建、構(gòu)筑物防火 ......................................115 排水 ................................................116 電氣 ................................................116 通風(fēng)與采暖 ..........................................119 消防設(shè)計 ..................................................120 概述 ................................................120 水消防 ..............................................120 泡沫消防 ............................................121 干粉消防 ............................................121 移動消防設(shè)施 ........................................121 系統(tǒng)控制 ............................................121第十四章 工廠組織與勞動定員 ......................................123 工廠體制及組織機構(gòu) .......................................123 生產(chǎn)班制及定員 ............................................123 工人、技術(shù)人員和管理人員的來源 ........................124第十五章 項目實施計劃 ............................................1259 項目實施階段的劃分 .......................................125 項目實施進度計劃 ..........................................125第十六章 投資估算與資金籌措 ......................................126 投資估算 .................................................126 工程概況及投資分析 ..................................126 編制依據(jù) ............................................126 其它 ................................................127 資金籌措 ..................................................127 投資估算表 ............................................128第十七章 技術(shù)經(jīng)濟分析 ............................................129 項目概況 .................................................129 編制依據(jù) .................................................129 基本經(jīng)濟數(shù)據(jù) .............................................129 生產(chǎn)成本和費用估算 .......................................130 銷售收入 ..................................................131 利潤 .....................................................131 財務(wù)評價 .................................................132 財務(wù)盈利能力分析 ....................................132 清償能力分析 ........................................132 不確定性分析 ........................................132 財務(wù)評價結(jié)論 ..............................................133附表 ..........................................................134附圖 ..........................................................1341第一章 總論 概述 項目名稱、主辦單位、建設(shè)地點項目名稱:xxxxxx年產(chǎn) 3000 噸電子級多晶硅建設(shè)項目;主辦單位:xxxxxx;建設(shè)地址:xxxxxx; 編制依據(jù)和原則(1)編制依據(jù)a.《投資項目可行性研究指南》 ,國家計委,2022 年 1 月;b.《當(dāng)前國家重點鼓勵發(fā)展的產(chǎn)業(yè)、產(chǎn)品和技術(shù)目錄》 ,2022 年修訂;c.《化工建設(shè)項目可行性研究報告內(nèi)容和深度的規(guī)定》化學(xué)工業(yè)部1997 年 8 月。多晶硅是單晶硅的主要原料,其深加工產(chǎn)品被廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè),是當(dāng)代人工智能、自動控制、信息處理、光電轉(zhuǎn)換等半導(dǎo)體器件和集成電路的基礎(chǔ)材料,國際集成電路芯片及各類半導(dǎo)體器件 95%以上是用硅材料制造的。世界各國積極支持太陽能光伏產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,包括日本、德國、美國在內(nèi)的許多發(fā)達國家都出臺了旨在鼓勵太陽能光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展的政策,例如“太陽能屋頂計劃” 、 “新能源法”等,發(fā)展中國家政府也是如此。目前多晶硅材料 2022 年全年的期貨已經(jīng)售完,這些材料的現(xiàn)貨價格近期超過了350 美元/公斤。既避免了高品質(zhì)多晶硅生產(chǎn)技術(shù)門檻高的難點,又能利用現(xiàn)有成熟技術(shù)在較短時間完成工廠建設(shè),抓住市場時機,也能部分參與電路級市場競爭,具有風(fēng)險小,見效快,適應(yīng)性強的特點。園區(qū)目前土地費用主要是土地出讓金最低標準為 萬元/畝、建設(shè)用地批轉(zhuǎn)約為 萬元/畝、征地費約為 4 萬元/畝。主河道流經(jīng)甸子、雙廟、必斯?fàn)I子、榆樹林子、大明、鐵匠營子、城關(guān)、二龍、汐子等九個鄉(xiāng)(鎮(zhèn)) ,至汐子與坤兌匯流后出境,境內(nèi)主河道長 公里?,F(xiàn)在全縣 2648 個村民組全部通電。在過去較長的時間內(nèi),多晶硅材料的產(chǎn)品定位為電子行業(yè)需要的多晶硅材料,并不針對太陽能光伏行業(yè),其產(chǎn)品 85%用于芯片和集成電路,只有少量邊角料或次品等用于太陽能光伏行業(yè):多晶硅等外品:約為多晶硅產(chǎn)量的 5%;結(jié)晶過程的等外品硅:約為單晶硅產(chǎn)量的 13%左右;切片過程產(chǎn)生的次廢品:約為硅片產(chǎn)量的 8%左右;電子級硅的次級產(chǎn)品;隨著石油、煤等資源的逐漸匱乏,太陽能在世界能源中的地位越來越重要,太陽能光伏發(fā)電行業(yè)得到世界各國前所未有的高度重視,美國能源部計劃到 2022 年累計安裝的太陽能發(fā)電裝置所能達到的容量會超12過 4500MW,歐盟的目標是到 2022 年光伏發(fā)電裝機容量要達到 3600MW 以上,日本政府提出 2022 年光伏發(fā)電裝機容量要達到 5000MW。上述太陽能電池中,晶體硅電池占總產(chǎn)量的 85%。許多生產(chǎn)企業(yè)采取消除生產(chǎn)薄弱環(huán)節(jié)、生產(chǎn)線滿負荷運作、降低庫存等措施來滿足電子行業(yè)和太陽能行業(yè)飚升的需求,但是15遠遠不能滿足快速增長的太陽能行業(yè)的需求。據(jù)不完全統(tǒng)計,2022 年我國太陽能電池的生產(chǎn)能力已經(jīng)超過了 200MW,對多晶硅材料的需求量將超過 2022 噸。截止 2022 年底,我國高純度多晶硅材料的生產(chǎn)廠家只有兩?家,即峨嵋半導(dǎo)體廠、洛陽中硅及江蘇中能,產(chǎn)能 2500 噸,而實際的產(chǎn)量不足 1500 噸(見表 23) ,同時國內(nèi)的需求量超過 3000 噸,使得我國企業(yè)不得不從國外大量進口多晶硅。19第三章 生產(chǎn)規(guī)模和產(chǎn)品方案 生產(chǎn)規(guī)模2022 年我國的多晶硅需求超過 10500 噸,預(yù)計 2022 年我國太陽能光伏行業(yè)和電子行業(yè)的多晶硅料需求量將超過 30700 噸左右,而 07 年我國的生產(chǎn)能力只有 1400 噸/年,因此適當(dāng)引進國外先進技術(shù)工藝,通過集成和消化創(chuàng)新,項目建設(shè) 3000 噸/年多晶硅生產(chǎn)廠,從工藝和規(guī)模經(jīng)濟,以及市場容量而言,是比較合適的規(guī)模。表面進行酸腐蝕、清洗 塊狀多晶硅規(guī)格規(guī) 格 尺 寸 長 度 重 量 備 注0~20mm20~110mm110~150mm1%(最大)90%(最?。?0%(最大)從電極上取下硅棒時,不包括任何小于 20mm 的部分21第四章 工藝技術(shù)方案 工藝技術(shù)方案的選擇 工藝技術(shù)概況自西門子發(fā)明采用提純的三氯氫硅在氫氣氣氛下,在加熱的硅芯表面反應(yīng)沉積多晶硅的方法(西門子法)后,經(jīng)過多年的改進,逐步增加了四氯化硅的綜合利用(四氯化硅熱氫化為其中之一)和還原尾氣的“干法回收”系統(tǒng),工藝技術(shù)已趨于完善,即目前廣泛采用的改良西門子法。本裝置的設(shè)計能力為年產(chǎn)高純多晶硅 3000 噸(以年操作時間 330天為基準) 。氯化氫合成工序的流程由初始原料輸入、氯化氫合成系統(tǒng)和廢氣處理系統(tǒng)三部分組成。溫度不超過 450℃。定時向二級吸收液罐中補充工藝水。氯氣被送進二級尾氣洗滌塔內(nèi),用質(zhì)量濃度為 10%的氫氧化鈉溶液洗滌。三氯氫硅合成工序包括以下幾個系統(tǒng):——原料處理系統(tǒng);——三氯氫硅合成系統(tǒng);——汽氣混合氣“干法”除塵系統(tǒng);——汽氣混合氣“濕法”除塵系統(tǒng);a.原料處理系統(tǒng)原料處理系統(tǒng)完成對原料氯化氫的預(yù)熱,及對三氯氫硅合成爐啟動和停爐時使用的氮氣的加熱。硅粉由接收槽放入安裝于下方的硅粉計量罐,再放入下方的硅粉供料罐。出夾套的水汽混合物用循環(huán)水進行冷凝和冷卻,返回到熱水循環(huán)槽,并從這里經(jīng)熱水循環(huán)泵重新送入反應(yīng)爐夾套。然后吹入冷氮氣以將爐溫降至 50℃。氣體鼓泡溢出,隨后由下而上進入鼓泡塔,與從塔頂流下的液體四氯化硅逆流接觸,被進一步冷卻并最終除去細小的硅塵和金屬雜質(zhì)。大部分低沸點雜質(zhì)隨同二氯氫硅烷在塔頂餾出,所有高沸點雜質(zhì)則隨同三氯氫硅由塔釜排出,并進入塔脫高塔。第二個塔塔頂為三氯氫硅,去還原車間,塔釜含四氯化硅的三氯氫硅返回到粗三氯氫硅進料槽。31第一個塔脫除四氯化硅。三氯氫硅精餾包括八個塔,其中六個塔分離三氯氫硅合成車間來的粗三氯氫硅,另外兩個塔分離還原系統(tǒng)來的氯硅烷。從塔下部送入用脫鹽水增濕的氫氣,與塔內(nèi)的氣液混合物接觸,促使汽氣混合氣中所含的金屬氯化物發(fā)生部分水解,同時,汽氣混合氣中的部分細小硅塵被液體四氯化硅洗下,混合氣亦被四氯化硅冷卻。在從輸?shù)優(yōu)檩斅然瘹湟约胺磻?yīng)爐進入規(guī)定狀態(tài)期間,廢氣通過“干法”除塵系統(tǒng)進入氯化氫合成工序的氯化氫廢氣處理系統(tǒng)。在反應(yīng)過程中生成大量的熱,用蒸發(fā)反應(yīng)爐夾套內(nèi)的
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