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正文內(nèi)容

基于51單片機(jī)的數(shù)字電容測(cè)量?jī)x設(shè)計(jì)實(shí)驗(yàn)報(bào)告-文庫(kù)吧在線(xiàn)文庫(kù)

  

【正文】 。如圖29所示。而利用中斷,可以直接在中斷函數(shù)中產(chǎn)生一個(gè)固定時(shí)間的低脈沖,保證了測(cè)量條件,避免發(fā)生錯(cuò)誤。圖22 工作時(shí)序圖根據(jù)RC 暫態(tài)電路理論可知, TW 的時(shí)間寬度計(jì)算公式為:TW = ln3RCX = 1. 1RCX由該公式可知,單穩(wěn)態(tài)的暫態(tài)1 持續(xù)時(shí)間與待測(cè)電容CX 的容量成正比 。VTR 電平變低后, 比較器OP 2 的輸出為低電平。圖21 系統(tǒng)測(cè)量原理圖由圖21可知, NE555 定時(shí)器內(nèi)部主要由電阻分壓器、電壓比較器OP1 ~ OP2 、與非門(mén)G1 ~ G輸出緩沖反相器G 4 和集電極開(kāi)路的三極管T 組成。在計(jì)數(shù)控制時(shí)間Tc等參數(shù)合適的條件下,數(shù)碼管顯示器的數(shù)字N與Cx的大小可符合題中所要求的函數(shù)關(guān)系。④ 顯示測(cè)量結(jié)果,測(cè)量誤差小于20%?!娟P(guān)鍵詞】 電容測(cè)量。涉密論文按學(xué)校規(guī)定處理。對(duì)本研究提供過(guò)幫助和做出過(guò)貢獻(xiàn)的個(gè)人或集體,均已在文中作了明確的說(shuō)明并表示了謝意。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外,本論文不包含任何其他個(gè)人或集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫(xiě)的成果作品。本設(shè)計(jì)詳細(xì)介紹了一種基于單片機(jī)的數(shù)字式電容測(cè)量?jī)x設(shè)計(jì)方案及實(shí)現(xiàn)方法。 單片機(jī)。為實(shí)現(xiàn)該設(shè)計(jì),達(dá)到相應(yīng)的設(shè)計(jì)要求,本次設(shè)計(jì)中考慮了三種設(shè)計(jì)方案,三種設(shè)計(jì)方案中主要區(qū)別在于硬件電路和軟件設(shè)計(jì)的不同,對(duì)于本設(shè)計(jì),三種方案均能夠?qū)崿F(xiàn),最后根據(jù)設(shè)計(jì)要求、可行性和設(shè)計(jì)成本的考慮選擇了基于STC89C52單片機(jī)和555芯片構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路測(cè)量電容的方案。測(cè)量過(guò)程中, 通過(guò)控制單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器的充電電阻阻值, 實(shí)現(xiàn)10pF~ 500uF 范圍內(nèi)電容的測(cè)量。復(fù)位之后, G3的輸出為高電平, 三極管T 處于飽和狀態(tài), 待測(cè)電容CX 被短路。當(dāng)VCX 上升到電源電壓的三分之二后, 比較器OP1翻轉(zhuǎn), 使得R = 0。具體電路如下: 圖23 單片機(jī)工作電路由圖23可知,9腳外接的是按鍵復(fù)位電路,18,19腳外接的是晶振電路,這樣,就構(gòu)成了單片機(jī)正常工作的必備電路。圖26 鍵盤(pán)電路 指示燈電路如圖27所示,指示燈主要用于給用戶(hù)以提示,如當(dāng)前量程提示,超量程提示等等。 軟件設(shè)計(jì)軟件編程平臺(tái)選擇最常用的keil軟件。同時(shí), 為減小量化誤差對(duì)結(jié)果的影響, 要求TW 1 微秒。 測(cè)量100nf的電容在此以100nf電容測(cè)試為例,演示整個(gè)測(cè)試過(guò)程。表31 測(cè)量值與標(biāo)準(zhǔn)值比較標(biāo)準(zhǔn)值測(cè)量值誤差300pf320pf%100nf%%100uf%由表31中數(shù)據(jù)可知,平均誤差是6%,低于設(shè)計(jì)擴(kuò)展要求的10%,測(cè)量范圍是10pf~500uf,滿(mǎn)足設(shè)計(jì)要求的100pf~100uf。通過(guò)設(shè)置充電電阻R 的阻值, 使TW 達(dá)到毫秒級(jí)時(shí), 量化誤差的影響非常小, 可以忽略。就這樣,一步一步,最后又選擇以ULN2003作為驅(qū)動(dòng)。endif(b) 程序清單:include void delay_us(uint t){ uchar i。t0。void LCD_write_(unsigned char )。endif(d) :include include void LCD_write_(unsigned char ) { RS_CLR。 RW_CLR。 LCD_write_(0x38)。 // 顯示光標(biāo)移動(dòng)設(shè)置 delay_ms(5)。 } LCD_write_Data(39。 p++。) { LCD_write_Data(*p)。 } lcd_pos(0x40)。 enddat = 0。 } return enddat。 sbit key1 = P0^3。unsigned int tw。 //量程太高unsigned char zimu2[] = The value of Cap。 // gate置1,方式1,16位計(jì)時(shí), TH0 = 0x00。} void main(){ ledclc = 1。 dispchar2(zimu4)。 } } ftemp = tw / 。 ledclc = 0。 // tr端一個(gè)負(fù)脈沖 a = 1。 // 關(guān)閉先前的超量程提示 EX1 = 0。)。 39。n39。 LCD_write_Data(39。 LCD_write_Data(39。)。)。 39。 // 十位 temp[3] = c / 100 %10。 con3 = 1。 // 100k 的電阻 量程5nf~ 500nf con1 = 0。 R = 3。 if(key4 == 0) { while(key4==0)。 } } ledlight(R)。 led4 = 1。 led4 = 1。對(duì)本文的研究做出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體均已在文中以明確方式標(biāo)明。首先非常感謝學(xué)校開(kāi)設(shè)這個(gè)課題,為本人日后從事計(jì)算機(jī)方面的工作提供了經(jīng)驗(yàn),奠定了基礎(chǔ)。從他身上,我學(xué)到了許多能受益終生的東西。感謝老師四年來(lái)對(duì)我孜孜不倦的教誨,對(duì)我成長(zhǎng)的關(guān)心和愛(ài)護(hù)。在論文的撰寫(xiě)過(guò)程中老師們給予我很大的幫助,幫助解決了不少的難點(diǎn),使得論文能夠及時(shí)完成,這里一并表示真誠(chéng)的感謝。最后,我要特別感謝我的導(dǎo)師趙達(dá)睿老師、和研究生助教熊偉麗老師。最后,我要感謝我的父母對(duì)我的關(guān)系和理解,如果沒(méi)有他們?cè)谖业膶W(xué)習(xí)生涯中的無(wú)私奉獻(xiàn)和默默支持,我將無(wú)法順利完成今天的學(xué)業(yè)。這期間凝聚了很多人的心血,在此我表示由衷的感謝。畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)使用授權(quán)聲明本人完全了解濱州學(xué)院關(guān)于收集、保存、使用畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)的規(guī)定。本人完全意識(shí)到本聲明的法律結(jié)果由本人承擔(dān)。 led4 = 1。 led4 = 0。 con3 = 0。 ledclc = 1。 dispchar1(zimu3)。 dispchar2(zimu4)。}void keyscan(){ if(key1 == 0) { delay_ms(10)。)。 LCD_write_Data(39。 } if(R == 4) //100歐姆 的電阻 量程50uf ~ 500uf { c = c /100。f39。 // 擴(kuò)大了一百倍 單位 c = tw/500 uf lcd_pos(0x4a)。)。 LCD_write_Data(39。 LCD_write_Data(39。 39。 while(a)。 } keyscan()。 // 量程太高 ledclc = 0。 // 一次結(jié)束,計(jì)時(shí)器清零 TL0 = 0x00。 init_timer0()。 TR0 = 1。 void process(unsigned long int c)。 // 需要測(cè)量時(shí)置1,一次測(cè)量結(jié)束置0unsigned char R。sbit led1 = P2^3。 // 產(chǎn)生一個(gè)低電平脈沖 // 超量程提示燈sbit ledclc = P2^7。 if(mda amp。 39。 while(*p != 39。)。 } } void dispchar1(unsigned char *p) // 第一行顯示需要顯示的提示字符串{ lcd_pos(0x00)。 lcd_pos(0x43)。 LCD_write_(0x38)。 delay_us(5)。 P1 = 。 void disp(unsigned char *p)。 } }}(c) :ifndef __1602_h__define __1602_h__include sbit RS = P2^2。i12。實(shí)踐方面,提高了動(dòng)手能力,提高了解決實(shí)際問(wèn)題的能力等等。于是想到可以由用戶(hù)按鍵通知單片機(jī)選擇量程,用單片機(jī)控制某種芯片來(lái)選擇不同的路徑,從而引入不同的電阻。電容測(cè)量的誤差主要由NE555 定時(shí)器構(gòu)成的單穩(wěn)態(tài)觸發(fā)電路的非線(xiàn)性誤差T 、計(jì)數(shù)器的量化誤差??N 和標(biāo)準(zhǔn)計(jì)數(shù)脈沖的頻率偏移TC 產(chǎn)生[2] [ 3]
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