多晶硅片生產(chǎn)工藝介紹-文庫吧在線文庫
【正文】 ，電阻率均勻度包括縱向均勻度、斷面均勻度、微區(qū)均勻度，多晶硅片的電阻率控制在。 半導體的性質(zhì) 電阻率隨溫度的增加而減小（稱為負溫度系數(shù)） 微量的雜質(zhì)對半導體的導電性能有很大的影響 光照可以改變半導體的電阻率 光生伏特效應 當入射光子的能量大于禁帶寬度時，光照射在距表面很近的 p－ n結(jié)，就會在 p－n結(jié)產(chǎn)生電動勢，接通外電路就可形成電流。米 ； 絕緣體只有滿帶和空帶，沒有導帶，且禁帶很大（ 3－ 6 eV） ，故不能導電。 硅錠經(jīng)剖方后進行少子壽命、電阻率、雜質(zhì)等的檢測，如左圖所示，為硅塊的少子壽命截面圖。長晶的方向為向上生長，熱流方向向下，如右圖所示。金屬導體的電阻率約為 108～ 10－ 6歐姆 n型和 p型半導體 雜質(zhì)半導體中以電子導電為主的稱為 n (negative)型半導體 (硅摻磷、砷等 Ⅴ 族元素 )，以空穴導電為主的稱為 p (positive)型半導體 (硅摻硼、鎵等 Ⅲ 族元素 ) 。多晶硅片導電類型要求為 P型。多晶硅塊檢測要求無雜質(zhì)。多晶硅片的少子壽命時間在 ≥2μs。 “硅材料” 硅：臺灣、香港稱為矽，化學元素符號 Si，相對原子質(zhì)量為 ，在地殼
教學課件相關(guān)推薦
鄂ICP備17016276號-1