【正文】 ML ?????besLV S M rRRA???? ??)(π21bes1L1 rRCf ??)(π21Lcb2L2 RRCf ??中頻區(qū) (即通常內(nèi) )源電壓增益 當 則 下限頻率取決于 L1f2. 低頻響應 ② 低頻響應 ? ? ? ?Lcb2bes1bes L 1 11 1 RRCjrRCjrR R ??????? ?? ??? //39。eesH1 π2 1||||π2 1 CrCrRRf ?? 單級共集電極和共基極放大電路的高頻響應 2. 共集電極放大電路的上限頻率 1. 多級放大電路的增益 )j()j()j(io???VVAV ??? ?)j()j()j()j()j()j( 1 )o(oo1o2io1??????nnVVVVVV???????????)j()j()j( 21 ??? VnVV AAA ???? ????? 前級的開路電壓是下級的信號源電壓 ? 前級的輸出阻抗是下級的信號源阻抗 ? 下級的輸入阻抗是前級的負載 多級放大電路的頻率響應 2. 多級放大電路的頻率響應 ? 多級放大電路的通頻帶比它的任何一級都窄。 例 3: 電路如圖所示，晶體管導通時 UBE＝ ， β=50。 2. 電路如圖所示。beRRRrRRRRrRRAIrru????∥∥∥? 動態(tài)分析 （ 2） Ri增大， Ri≈ ； 減小， uA?ef39。 已知 ?=50。 例題 （ a）所示，圖（ b）是晶體管的輸出特性，靜態(tài)時 UBEQ＝ 。 多級放大電路的頻率響應 end 一 . 二 . 三 . ,11,12 四 . 五 . 六 . 七 . 作 業(yè) 例 1:已知兩只晶體管的電流放大系數(shù) β分別為 50和 100， 現(xiàn)測得放大電路中這兩只管子兩個電極的電流如圖 所示。π21CRf ?eeseeLmSM ||||39。39。Lm 1π2 1 CRgCRRrrrRR rRrrRg 39。)/ HMj(1 ffA VS???M1eb CCC ?? ? ebbbbs ???? rrRRR //)//(seb j11 VRCV ??????bebsbebbeeb39。是假想的基區(qū)內(nèi)的一個點 互導 CECE EBCEBCm VViig?? ??????vvBJT的高頻小信號模型 ② 簡化模型 混合 ?型高頻小信號模型 cecb rr 和忽略 ?1. BJT的高頻小信號模型 2. BJT高頻小信號模型中元件參數(shù)值的獲得 低頻時，混合 ?模型 與 H參數(shù) 模型等價 ebbbbe ?? ?? rrrEQbbebbbe )1()1( IVβrrβrr T????????又所以 EQeb )1( IVβr T???ebbebb ?? ?? rrr又因為 ebbeb ?? ? rIV ??bebm IVg ?? ???Tmeb π2 fgC ??從手冊中查出 Tcb fC 和?所以 TVIrβg EQebm ???2. BJT高頻小信號模型中元件參數(shù)值的獲得 低頻時，混合 ?模型 與 H參數(shù) 模型等價 3. BJT的頻率參數(shù) 由 H參數(shù)可知 CEBCfe Viih???即 0bcce ?? VII?????根據(jù)混合 ?模型得 cbebebmc 1 /j??? ?? CVVgI????)]///()///([ cbebebbeb j1j1 ???? ? CCrIV ????低頻時 ebm0 ?? rg?所以 )(j1/jcbebebcbmbc?????????CCrCgII??????當 cbm ??? Cg ? 時， ebcbeb0)(j1 ??? ??? rCC????ebcbeb0)(j1 ??? ??? rCC????令 ebcbebβ 2 π1??? ?? rCCf )(?的幅頻響應 2β01 )/( ffββ???—— 共發(fā)射極截止頻率 βf—— 特征頻率 Tfebmcbebmβ0T 2 π2 π??????? CgCC gff )(?αTβ fff ??—— 共基極截止頻率 ?f3. BJT的頻率參數(shù) βa r c tg ff????的相頻響應 f?＝ (1＋ ?0)f?≈f?＋ fT 單級共射極放大電路的頻率響應 1. 高頻響應 ① ?型高頻等效電路 單級共射極放大電路的頻率響應 1. 高頻響應 ① ?型高頻等效電路 對節(jié)點 c 列 KCL得 0j)( cbeboLoebm ????? ??? CVVRVVg ?????由于輸出回路電流比較大，所以可以 cb?C忽略 的分流，得 ebLmo ???? VRgV ??cboeb j)( cb ?? ??? CVVI C ????又因為稱為 密勒電容 M1CcbLmebM j)1(1cb ??????? CRgIVZC ???則表示若用之間存在一個電容和相當于 e b M1 ,C?cbLmM1 )1( ???? CRgC而輸入回路電流比較小，所以不能 cb?C忽略 的電流。 放大電路三種組態(tài)的比較 end 組合放大電路 共射 — 共基放大電路 共集 — 共集放大電路 共射 — 共基放大電路 共射－共基放大電路 共射 — 共基放大電路 21o1oio1iovvv vvvvvv AAA?? ???)1( 2be1 be21be1 L11 βrrβrRβA??????vb e2Lc22b e2L222 )||(39。Rβi??vbebi ri??vbeLio 39。 要想使 ICQ基本穩(wěn)定不變，就要求在溫度升高時，電路能自動地適當減小基極電流 IBQ 。 rbe= rbb’ + (1+ ? ) re 其中對于低頻小功率管 rbb’≈200? 則 )mA()mV(26)1(200EQbe Ir ?????)mA()mV(26)mA()mV(EQEQe IIVr T ??而 (T=300K) 一般也用公式估算 rbe （忽略 r’e ） 小信號模型分析法 2. 用 H參數(shù)小信號模型分析基本共射極放大電路 （ 1）利用直流通路求 Q點 共射極放大電路 bBEBBB RVVI ??一般硅管 VBE=，鍺管 VBE=， ? 已知 。 ? H參數(shù)與工作點有關，在放大區(qū)基本不變。 這可不是好辦法！ 圖解分析法 — 波形失真 4. 圖解分析法的適用范圍 適用范圍 ： 幅度較大 而工作 頻率不太高 的情況 優(yōu)點： ? 直觀、形象 ? 有助于建立和理解交、直流共存，靜態(tài)和動態(tài)等重要概念； ? 有助于理解正確選擇電路參數(shù)、合理設置靜態(tài)工作點的 重要性 ? 能全面地分析放大電路的靜態(tài)、動態(tài)工作情況。 注意：對于 PNP管，由于是負電源供電，失真 的表現(xiàn)形式，與 NPN管正好相反。 PNP型管組成一個共射放大電路。已知 BJT的 223。 輸入正弦信號 vs后，電路將處在動態(tài)工作情況。 (2) 溫度對 ? 的影響 溫度每升高 1℃ ， ? 值約增大 %~1%。 放大區(qū)： iC平行于 vCE軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。 實現(xiàn)這一傳輸過程的兩個條件是： （ 1） 內(nèi)部條件： 發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。 IC= ICN+ ICBO IB =IEP+ IBN ICBO = IEP+ IEN ICN – ICBO = IE IC 放大狀態(tài)下 BJT中載流子的傳輸過程 IE=IEN+ IEP 2. 電流分配關系 發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流設 ?? CNE II? ?即根據(jù)傳輸過程可知 IC= ICN+ ICBO 通常 IC ICBO ECII?? 則有 ? 為電流放大系數(shù)。 半導體三極管 放大電路的分析方法 放大電路靜態(tài)工作點的穩(wěn)定問題 共集電極放大電路和共基極放大電路 共射極放大電路的工作原理 組合放大電路 放大電路的頻率響應 BJT的電流分配 、 放大原理 、 特性曲線和主要參數(shù)； 重點 ， 掌握工作點的設置與非線性失真的關系； 、 共集電路的組成 、 工作原理和計算； H參數(shù)小信號等效電路計算放大電路的電壓增益 、 輸入電阻和輸出電阻； 、 動態(tài)指標的計算； ， 重點掌握放大電路的高頻特性； 難點 1. H參數(shù)小信號等效電路的分析和計算； 2. 放大電路的頻率特性及高頻響應 。它只與管子的結構尺寸和摻雜濃度有關，與外加電壓無關。 （ 2） 外部條件： 發(fā)射結正向偏置，集電結反向偏置。此時， 發(fā)射結正偏，集電結反偏 。 (3) 溫度對反向擊穿電壓 V(BR)CBO、 V(BR)CEO的影響 溫度升高時， V(BR)CBO和 V(BR)CEO都會有所提高。此時， BJT各極電流及電壓都將在靜態(tài)值的基礎上隨輸入信號作相應的變化。=80， Rb=300k? ， Rc=2k?， VCC= +12V，求： （ 1）放大電路的 Q點。 照葫蘆畫瓢！ 討論 2 end 放大電路的分析方法 圖解分析法 小信號模型分析法 1. 靜態(tài)工作點的圖解分析 2. 動態(tài)工作情況