晶體硅太陽能電池的基本原理-文庫吧在線文庫
【正文】 響的另一因素是摻雜濃度 。 當 Nd和 Na或 （ Nd） eff和 （ Na） eff不均勻且朝著結(jié)的方向降低時 ，就會建立起一個電場 ， 其方向能有助于光生載流子的收集 ， 因而也改善了 ISC。 PN 結(jié)收集的電流必須經(jīng)過表面薄層再流入最靠近的金屬導(dǎo)線 ， 這就是一條存在電阻的路線 ， 顯然通過金屬線的密布可以使串聯(lián)電阻減小 。 對于垂直地投射到電池上的單波長的光 ， 用一種厚為 1/4 波長 、 折射率等于n 1/2（ n 為 Si 的折射率 ） 的涂層能使反射率降為零 。 為了使 RS小 ， 一般是使金屬柵做成又密又細的形狀 。 一種稱為背表面場 （ BSF） 電池設(shè)計為 ， 在沉積金屬接觸之前 ， 電池的背面先擴散一層 P＋ 附加層 。 如圖 。 在加工過程中 ， 適當而且經(jīng)常進行工藝處理 ， 可以使復(fù)合中心移走 ， 因而延長壽命 。 又如 GaAs電池 ， 溫度每升高 10C， VOC降低 或降低 %。 confidential 在太陽能電池中 ， 受溫度影響最大的參數(shù)是開路電壓 。 01LOC In k TV lnqI ???? ???? 通過把輸出電流設(shè)置成零，便可得到太陽能電池的開路電壓方程： confidential 填充因子 被定義為電池的最大輸出功率與開路 VOC和 ISC的乘積的比值 。 開路電壓的大小相當于光生電流在電池兩邊加的正向偏壓 。 理想情況下 ， Rsh→∞ ,Rse→ 0 ??????seq( V + IR )n kTL0I = I I e 1 confidential 太陽電池的主要技術(shù)參數(shù) 伏安特性曲線（ IV曲線） 當負載 RL從 0 變化到無窮大時 ， 輸出電壓 V 則從 0 變到 VOC，同時輸出電流便從 ISC變到 0， 由此得到電池的輸出特性曲線 太陽能電池的伏安曲線 電池產(chǎn)生 的電能 M vm Im 0 confidential 最大功率點 m m m axP = IU = PM點為改太陽電池的最佳工作點 太陽能電池的伏安曲線 電池產(chǎn)生 的電能 M vm Im 0 confidential 短路電流 是指當穿過電池的電壓為零時流過電池的電流 （ 或者說電池被短路時的電流 ） 。 這些非平衡載流子在內(nèi)建電場的作用下 ， 空穴順著電場運動 ， 電子逆著電場運動 ， 最后在 n區(qū)邊界積累光生電子 ， 在 p區(qū)邊界積累光生空穴 ， 產(chǎn)生一個與內(nèi)建電場方向相反的光生電場 ， 即在 p區(qū)和 n區(qū)之間產(chǎn)生了光生電壓 UOC， 這就是 pn結(jié)的光生伏特效應(yīng) 。 confidential 空 帶 滿 帶 施主能級 ?ED ?Eg 空 帶 ?Ea 滿 帶 受主能級 ?Eg confidential 摻入少量五價雜質(zhì)元素磷 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 P 多出一個電子 出現(xiàn)了一個正離子 電子是多數(shù)載流子 ， 簡稱 多子 。 使原來處于相同能級上的電子 ， 不再有相同的能量 ， 而處于 N個很接近的新能級上 。cm)） 絕緣體 : 石英 （ SiO2(1016/(? 自由電子產(chǎn)生的同時 ，在其原來的共價鍵中就出現(xiàn)一個空位 ， 稱為 空穴 。從能級圖上來看，是因為滿帶與空帶之間有一個較寬的禁帶（ Eg 約 3～ 6 eV），共有化電子很難從低能級
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