幾種常用的功率器件電力半導(dǎo)體及其應(yīng)用-文庫(kù)吧在線文庫(kù)
【正文】 整流電流意義相同 。 在常溫下 ， 陽(yáng)極電壓為 6V時(shí) ， 使晶閘管能完全導(dǎo)通所需的門(mén)極電流 ， 一般為毫安級(jí) 。因?yàn)橹挥虚T(mén)極 G與陰極 K之間正向電阻較小 ， 而其他均為高阻狀態(tài) ， 故一旦測(cè)出兩管腳間呈低阻狀態(tài) ， 則黑表筆所接為門(mén)極 G， 紅表筆所接為陰極 K， 另一端為陽(yáng)極 A。 （ 5） 關(guān)于門(mén)極觸發(fā)電壓和電流的考慮 。 它和單向晶閘管的區(qū)別是：第一 ， 它在觸發(fā)之后是雙向?qū)ǖ?；第?， 在門(mén)極中所加的觸發(fā)信號(hào)不管是正的還是負(fù)的都可以使雙向晶閘管導(dǎo)通 。 即相對(duì)于電極 MT MT2 的電壓為負(fù)；門(mén)極 G的觸發(fā)電流為正 。 功率 MOSFET是一種單極型導(dǎo)電器件 ， 無(wú)固有存儲(chǔ)時(shí)間 ， 其開(kāi)關(guān)速度僅取決于極間寄生電容 ， 故開(kāi)關(guān)時(shí)間很短（ 小于 50～ 100ns） ， 因而具有更高的工作頻率 （ 100kHz以上 ） 。 （ 5） 抗干擾能力強(qiáng) 。 通態(tài)電阻越大耗散功率越大 ， 越容易損壞器件 。 漏源擊穿電壓 U(BR)DSS是在 UGS=0時(shí)漏極和源極所能承受的最大電壓 。 這些都是表示 MOSFET開(kāi)關(guān)速度的參數(shù) ， 對(duì)功率開(kāi)關(guān)器件來(lái)說(shuō)是非常重要的 。 一般手冊(cè)中給出的是 TC=25℃ 時(shí)的最大耗散功率 。 指漏極流過(guò)一個(gè)特定量的電流所需的最小柵源控制電壓 。 2．功率 MOSFET的主要參數(shù) （ 1） 漏極額定電流 ID。 （ 3） 安全工作區(qū)域?qū)?。 光敏電阻應(yīng)用電路：光控閃爍安全警示燈 當(dāng)觸發(fā)二極管導(dǎo)通時(shí)，電容通過(guò) R2放電，可控硅再次截止；電容又被充電，等等 . VCC_CIRCLEVCC_CIRCLEVCC_CIRCLE12121 21 274LS07+5VR1150MOC30211246R2330C2KKSZf～220VR3可控硅器件的接口 功率場(chǎng)效應(yīng)管 功率場(chǎng)效應(yīng)管 （ MOSFET） 是 20世紀(jì) 70年代中期發(fā)展起來(lái)的
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