選修3第三章第四節(jié)離子晶體1(存儲(chǔ)版)
【正文】 [板 書(shū) ]： 二、晶格能 定義：氣態(tài)離子形成 1mol離子晶體時(shí)釋放的能量。 第四節(jié) 離子晶體 第 一 課時(shí) 教學(xué)內(nèi)容分析： 學(xué)生具備了離子鍵、離子半徑、離子化合物等基礎(chǔ)知識(shí)，本節(jié)直接給出氯化鈉、氯化銫晶胞，然后在科學(xué)探究的基礎(chǔ)上介紹影響離子晶體結(jié)構(gòu)的因素，通過(guò)制作典型的離子晶體模型來(lái)進(jìn)一步理解離子晶體結(jié)構(gòu)特點(diǎn)，為學(xué)習(xí)晶格能作好知識(shí)的鋪墊。 規(guī)律： （ 1）離子電荷越大，離子半徑越小的離子晶體的晶格能越大。 （ 2） NaF 的熔點(diǎn)比 NaBr的熔點(diǎn)高的原因是 。 （ 3）推測(cè)云母和橄欖石的熔點(diǎn)順序?yàn)? ，硬度大小為 。 教學(xué)重點(diǎn)、難點(diǎn)： 晶格能的定義和應(yīng)用。 教學(xué)目標(biāo) ： 1．掌握離子晶體的概念，能識(shí)別氯化鈉、氯化銫、氟化鈣的晶胞結(jié)構(gòu)。 （ 2）晶格能越大，形成的離子晶體越穩(wěn)定，熔點(diǎn) 越高，硬度越大。 SiF4 的熔點(diǎn)比 SiBr4的熔點(diǎn)低的原因是 。 （ 2）石英總是在各種硅酸鹽析出后才晶出的原因是 。 教學(xué)重點(diǎn) 難點(diǎn) ： 離子晶體的物理性質(zhì)的特點(diǎn) 離子晶體配位數(shù)及其影響因素 教學(xué)方法建議：分析、歸納、討論、探究 教學(xué)過(guò)程設(shè)計(jì)： [引入 ] 什么是離子鍵？什么是離子化合物？ 下列物質(zhì)中哪些是離子化合物？哪些是只含離子鍵的離子化合物？
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