【正文】 掉電模式：在掉電模式下，振蕩器停止工作，進(jìn)入掉電模式的指令是最后一條被執(zhí)行的指令，片內(nèi) RAM 和特殊功能寄存器的內(nèi)容在終止掉電模式前被凍結(jié)。 Ready／ Busy：字節(jié)編程的進(jìn)度可通過“ RDY／ BSY”輸出信號(hào)監(jiān)測(cè)，編程期間， ALE變?yōu)楦唠娖健?H”后 端電平被拉低，表示正在編程狀態(tài)（忙狀態(tài)）。擦除期間，用串行方式讀任何地址數(shù)據(jù)，返回值均為 00H。數(shù)據(jù)傳送是由產(chǎn)生串行時(shí)鐘和所有起始停止信號(hào)的主器件控制的， AT24C02 作為從器件。當(dāng)使用 24WC16 時(shí)最多只可連接 1 個(gè)器件所有地址管腳 A0 A1 A2 都未用管腳可以連接到 Vss 或懸空。如果需要對(duì)這兩種音頻同時(shí)支持的話，聲卡就需要有兩顆晶振。其產(chǎn)品一般用金屬外殼封裝，也有用玻璃殼、陶瓷或塑料封裝的。在進(jìn)行開鎖的時(shí)候，用戶需要進(jìn)行根據(jù)提示進(jìn)行使用按鍵輸入密碼，在輸入密碼的同時(shí)主控芯片單片機(jī)會(huì)根據(jù)程序的設(shè)定和輸入的密碼進(jìn)行比較，如果輸入每個(gè)密碼都正確的情況下，則液晶會(huì)提示用戶進(jìn)行相應(yīng)的操作，如進(jìn)行修改密碼。 如圖 34 所示 A01A12A23GND4SDA5SCL6WP7VCC8U2 24C02VCCGNDSCLSDAGNDR16R14VCC 圖 34 2AT24C02 原理圖電路 . 顯示部分 為了提高密碼鎖的密碼顯示效果能力。單片機(jī)的 RST 引腳是復(fù)位信號(hào)的輸入端，復(fù)位信號(hào)是高電平的時(shí)候才有效，其有效時(shí)間應(yīng)持續(xù) 24 個(gè)震蕩脈沖周期（即 2 個(gè)機(jī)器周期）以上；通常為了保證應(yīng)用系統(tǒng)能夠準(zhǔn)確地復(fù)位，復(fù)位電路應(yīng)使引腳 RST 腳保持 10ms 以上的高電平狀態(tài)。根據(jù)實(shí)際情況，本設(shè)計(jì)中采用 12MHz 做系統(tǒng)的外部晶振。 本設(shè)計(jì)按鍵數(shù)量較多，所以采用矩陣式按鍵以節(jié)省 I/O 口線。在運(yùn)行環(huán)境搭載好的前提下，打開 ISIS 直接進(jìn)入到主界面，在左邊欄框中有一個(gè)快捷鍵 P(從庫中選取 )，點(diǎn)擊后出現(xiàn)一個(gè)對(duì)話框然后輸入想要查找的元器件即可。之后再按照生成的的路徑去尋找這個(gè)文件。 Y按 下 按 鍵輸 入 原 密 碼輸 入 新 密 碼確 認(rèn) 程 序再 次 輸 入 新 密 碼確 認(rèn) 程 序兩 次 新 密 碼輸 入 相 同輸 入 次 數(shù) 加 1比 較 結(jié) 果相 同次 數(shù) 3報(bào) 警 程 序設(shè) 置 成 功返 回設(shè) 置 程 序YYNNN 圖 53 密碼設(shè)置流程圖 蘇州大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 23 第 節(jié) 開鎖流程圖 圖 54 為開鎖流程圖，開始時(shí)按開鎖鍵，輸入密碼，如果輸入正確， 則開鎖成功。 電路制作好了以后，我使用下載器把程序下載進(jìn)去以后，發(fā)現(xiàn)并沒有我想象的那么的成功，然后我只能逐一的調(diào)試各個(gè)模塊，最后發(fā)現(xiàn)還是存在許多的問題的，如業(yè)績(jī)顯示模塊在使用主控單片機(jī)的 P0 模塊是，還是要需要使用上拉電阻的。在我做論文的時(shí)候給了我很多的鼓勵(lì)與幫助。0x0f。 //讀入行線值 while((KeyPortamp。//0 按下相應(yīng)的鍵顯示相對(duì)應(yīng)的碼值 case 0x7d:return 1。 //輸出當(dāng)前列線值 cord_l=KeyPortamp。//行列值中間變量 KeyPort=0x0f。在此次論文的選題到最后論文定稿，老師 給了我很多的建議。我才開始進(jìn)行開始制作硬件電路。 蘇州大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 22 鍵 值 功 能密 碼 輸 入 程 序鍵 值 = ‘ 開 鎖 ’鍵 值 = ‘ 輸 入 ’鍵 值 = ‘ 清 除 ’ 清 除 程 序設(shè) 置 程 序YYY鍵 值 = ‘ 設(shè) 置 ’確 認(rèn) 程 序YY鍵 值 = ‘ 確 認(rèn) ’開 鎖 程 序返 回 圖 52 按鍵功能流程 第 節(jié) 密碼設(shè)置流程圖 如圖 53 為密碼設(shè)置流程圖，開始按下設(shè)置鍵，輸入舊密碼，如果錯(cuò)誤，累計(jì)三次錯(cuò)誤，進(jìn)行報(bào)警程序。在 這里比較重要的就是 .hex 文件的生成過程。此款軟件及繪制原理圖、 PCB 版圖和仿真于一身。鍵盤是由一組規(guī)則排列的按鍵組成，一個(gè)按鍵實(shí)際上就是一個(gè)開關(guān)元件，即鍵盤是一組規(guī)則排列的開關(guān)。手動(dòng)復(fù)位 如圖 36 所示 1KR15S171KR1710pFC3GNDVCCRST 圖 36 復(fù)位電路 . 晶振部分 AT89S52 引腳 XTAL1 和 XTAL2 與晶體振蕩器及電容 C C3 按圖 46 所示方式連接。通過 LCD 顯示屏，可以清楚的判 斷出密碼鎖所處的狀態(tài)。該器件通過 IIC 總線接口進(jìn)蘇州大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 15 行操作，有一個(gè)專門的寫保護(hù)功能。電路的輔助模塊有復(fù)位電路、矩陣按鍵電路、繼電器電路、報(bào)警電路。在單片機(jī)中為其提供時(shí)鐘頻率。 . 接口信號(hào)說明 1602 型 LCD 的接口信號(hào)說明如表 21 所示： 表 21 1602 型 LCD 的接口信號(hào)說明 編號(hào) 符號(hào) 引腳說明 編號(hào) 符號(hào) 引腳說明 1 VSS 電源地 9 D2 Data I/O 2 VDD 電源正極 10 D3 Data I/O 3 VO 液晶顯示偏壓信號(hào) 11 D4 Data I/O 4 RS 數(shù)據(jù) /命令選擇端（ H/L） 12 D5 Data I/O 5 R/W 讀寫選擇端（ H/L） 13 D6 Data I/O 6 E 使能信號(hào) 14 D7 Data I/O 7 D0 Data I/O 15 BLA 背光源正極 8 D1 Data I/O 16 BLK 背光源負(fù)極 1602 型 LCD 的主要技術(shù)參數(shù)如表 22 所示： 表 22 1602 型 LCD 的主要技術(shù)參數(shù) 顯示容量 芯片上作電壓 工作電流 模塊最佳工作電壓 字符尺寸 16X2 個(gè)字符 ～ () mm 基本操作程序 讀狀態(tài)：輸入： RS=L， RW=L， E=H 輸出： DOD7=狀態(tài)字 讀數(shù)據(jù)：輸入： RS=H， RW=H， E=H 輸出：無 寫指令：輸入： RS=L， RW=L， D0D7=指令碼， E=高脈沖 輸出： D0D7=數(shù)據(jù) 寫數(shù)據(jù)：輸入： RS=H， RW=L， D0D7=數(shù)據(jù)， E=高脈沖 輸出：無 第 節(jié) 晶振振蕩器 晶體振蕩器，簡(jiǎn)稱晶振，其作用在于產(chǎn)生原始的時(shí)鐘頻率，這個(gè)頻率經(jīng)過頻率發(fā)生器的放大或縮小后就成了電腦中各種不同的總線頻率。當(dāng)使用 24WC04 時(shí)最多可連接 4 個(gè)器件該器件僅使用 A1 A2 地址管腳 A0 管腳未用可以連接到 Vss 或懸空，如果只有一個(gè)24WC04 被總線尋址， A1 和 A2 地址管腳可懸空或連接到 Vss。 數(shù)據(jù)校驗(yàn)：數(shù)據(jù)校驗(yàn)也可在串行模式下進(jìn)行，在這個(gè)模式，在一個(gè)寫周期中，通過輸出引腳 MISO 串行回讀一個(gè)字節(jié)數(shù)據(jù)的最 高位將為最后寫入字節(jié)的反碼。在串行編程模式，芯片擦除操作是利用擦除指令進(jìn)行。 數(shù)據(jù)查詢： AT89S5l 單片機(jī)用數(shù)據(jù)查詢方式來檢測(cè)一個(gè)寫周期是否結(jié)束，在一個(gè)寫周期中，如需讀取最后寫入的那個(gè)字節(jié)，則讀出的數(shù)據(jù)的最高位（ ）是原來寫入字節(jié)最高位的反碼。 需要注意的是，當(dāng)由硬件復(fù)位來終止空閑工作模式時(shí)， CPU 通常是從激活空閑模式那條指令的下一條 指令開始繼續(xù)執(zhí)行程序的，要完成內(nèi)部復(fù)位操作，硬件復(fù)位脈沖要保持兩個(gè)機(jī)器周期（ 24 個(gè)時(shí)鐘周期）有效，在這種情況下，內(nèi)部禁止 CPU 訪問片內(nèi) RAM，而允許訪問其它端口。 10pF，而如使用陶瓷諧振器建議選擇 40pF177。這些中斷源各自的禁止和使能位參見特殊功能寄存器的 IE。當(dāng)由中斷退出掉電模式則有所不同，中斷低電平狀態(tài)持續(xù)到晶體振蕩穩(wěn)定，當(dāng)中斷電平變?yōu)?高即響應(yīng)中斷服務(wù)。 WDT 打開時(shí)，它會(huì)隨晶體振蕩器在每個(gè)機(jī)器周期計(jì)數(shù)，這意味著用戶必須在小于每個(gè) 16383 機(jī)器周期內(nèi)復(fù)位 WDT，也即寫 01EH 和 0E1H 到 WDTRST 寄存器，WDTRST 為只寫寄存器。 存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)： MCS51 單片機(jī)內(nèi)核采用程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器空間分開的結(jié)構(gòu)，均具有 64KB 外部程序和數(shù)據(jù)的尋址空間。 XTAL2：振蕩器反相放大器的輸出端。 PSEN：程序儲(chǔ)存允許（ PSEN）輸出是外部程序存儲(chǔ)器的讀選通信號(hào)，當(dāng) AT89S51 由外部程序存儲(chǔ)器取指令（或數(shù)據(jù)）時(shí)，每個(gè)機(jī)器周期兩次 PSEN 有效，即輸出兩個(gè)脈沖。 DISRT0 位缺省為 RESET 輸出高電平打開狀態(tài)。 P3 口： P3 口是一組帶有內(nèi)部上拉電阻的 8 位雙向 I／ 0 口。對(duì)端口寫“ l”，通過內(nèi)部的上拉電阻把端口拉到高電平，此時(shí)可作輸入口。同時(shí)， AT89S51 可降至 0Hz的靜態(tài)邏輯操作，并支持兩種軟件可選的節(jié)電工作模式。我國于 90 年代初開始對(duì)密碼鎖進(jìn)行初步的探索。 3)誤碼輸入保護(hù)，當(dāng)輸入密碼多次錯(cuò)誤時(shí)，報(bào)警系統(tǒng)自動(dòng)啟動(dòng)。電子密 碼鎖與傳統(tǒng)密碼鎖想比較，擁有海量的密齒，通常從 10000 到 10000000 不等，克服了機(jī)械式密碼鎖密碼量少、安全性能差的缺點(diǎn)，使密碼鎖無論在技術(shù)上還是在性能上都大大提高一步。密碼可以由用戶自己修改設(shè)定，鎖打開后才能修改密碼。 蘇州大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） 1 前言 隨著科學(xué)技術(shù)的不斷提高，人們對(duì)日常生活中的安全防盜器件的要求越來越高。蘇州大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文） i 基于 AT89S51 與 AT24C02 密碼鎖的設(shè)計(jì) （蘇州大學(xué)應(yīng)用技術(shù)學(xué)院） 目 錄 前言 .................................................................................................................................................1 第一章 緒論 ...................................................................................................................................2 第 節(jié) 研究背景 ........................................................................................................................2 第 節(jié) 電子密碼控制簡(jiǎn)介 ........................................................................................................2 第 節(jié) 國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì) ........................................................................................2 第 節(jié) 本設(shè)計(jì)所要實(shí)現(xiàn)的目標(biāo) ................................................................................................3 第二章 主要元器件介紹及 IIC 總線說明 ...................................................................................4 第 節(jié) 主控芯片 AT89S52 ........................................................................................................4 . 主要性能參數(shù) ...................................................................................................................4 . 功能特性概述 ...................................................................................................................4 . 引腳功能說明 ...................................................................................................................5 . 特殊功能寄存器 ...............................................................................................................6 第 節(jié) AT24C02 ................................................................................................................