【正文】 ? 大家都已經(jīng)知道，堝升快了，晶體會(huì)直徑逐漸增大；堝升慢了，晶體直徑會(huì)逐漸減小。這時(shí)的事實(shí)雖然是聶爾跟的視點(diǎn)向晶體中心移動(dòng)了，但在聶爾跟“看”來(lái)卻是晶體長(zhǎng)大了（晶體光圈已經(jīng)長(zhǎng)到聶爾跟視點(diǎn) B的后方了），因?yàn)檫\(yùn)動(dòng)是相對(duì)的。 ? 判斷堝升比例是否正確，最有效的辦法是不斷地計(jì)算晶體長(zhǎng)度變化量與堝升變化量之比，是否與理論值相同。對(duì)于晶體生長(zhǎng)來(lái)說(shuō)， 1mm已經(jīng)是一個(gè)非常大的變化了，它會(huì)從兩個(gè)方面引起晶體直徑的縮?。菏紫仁且好嫦陆禃?huì)直接縮小晶體直徑；其次是液面下降后，液面溫度會(huì)上升，這又會(huì)縮小晶體直徑。當(dāng)晶體轉(zhuǎn)速非?？鞎r(shí)，這種方式的液體流動(dòng)就會(huì)很強(qiáng)烈，形成一種下部熔體被吸上來(lái)，然后被離心力甩出去的效果。因此，堝轉(zhuǎn)是調(diào)節(jié)徑向溫度梯度的重要手段。 ? ③ 帶走晶體表面的熱量，有利于增加縱向溫度梯度（對(duì)徑向梯度也有影響）。 ? 3)111：肩部有對(duì)稱(chēng)的 6條棱線，等徑部分晶體上沒(méi)有明顯的棱線，但有很密集的小“苞絲”。避免因表面沾有陰、陽(yáng)離子，造成測(cè)量錯(cuò)誤。因此需要經(jīng)過(guò)熱處理，消除氧施主效應(yīng)。在太陽(yáng)能級(jí)中一般要求大于 10微秒。直拉硅單晶中，氧的濃度在6 1017/cm3 ——2 1018/cm3 的范圍內(nèi)。把腐蝕好的樣品放在全相顯微鏡下，可進(jìn)行觀察， 〈 111〉 晶面上的位錯(cuò)腐蝕坑呈現(xiàn)三角形， 〈 100〉晶面上的位錯(cuò)腐蝕坑呈現(xiàn)四方形。自來(lái)水或普通蒸餾水中都含有一些雜質(zhì)離子，如：鈉（ Na+）、鉀（ K+）、鎂（ Mg+2）、鈣（ Ca+2）等陽(yáng)離子及氯（ Cl）、硫酸根（ SO42），碳酸根（ CO32）、硅酸根（ SiO32）等陰離子。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) ? 。 ? 沾污有以下幾種可能： ① 坩堝清洗時(shí)受到了堿金屬沾污。 21:18:5221:18:5221:18Wednesday, March 29, 2023 ? 1乍見(jiàn)翻疑夢(mèng)，相悲各問(wèn)年。 21:18:5221:18:5221:183/29/2023 9:18:52 PM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點(diǎn)點(diǎn)小小努力的積累。 下午 9時(shí) 18分 52秒 下午 9時(shí) 18分 21:18: ? 楊柳散和風(fēng)，青山澹吾慮。 2023年 3月 下午 9時(shí) 18分 :18March 29, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :18:5221:18:52March 29, 2023 ? 1意志堅(jiān)強(qiáng)的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 下午 9時(shí) 18分 :18March 29, 2023 ? 1少年十五二十時(shí)，步行奪得胡馬騎。 下午 9時(shí) 18分 52秒 下午 9時(shí) 18分 21:18: ? 沒(méi)有失敗，只有暫時(shí)停止成功！。 21:18:5221:18:5221:183/29/2023 9:18:52 PM ? 1以我獨(dú)沈久，愧君相見(jiàn)頻。 ? “析晶”輕微時(shí)，堝壁上出現(xiàn)白斑，看不出明顯的分層；嚴(yán)重時(shí)，“析晶”層很厚，而且在內(nèi)壁的“析晶”層與坩堝的夾層之間會(huì)滲入硅。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) ? 拉制單晶硅所使用的加熱器和保溫系統(tǒng)是用高純石墨制做的。 單晶硅的生產(chǎn)對(duì)高純氬氣的要求是： 純度＞ %，即所有雜質(zhì)的總含量＜ 10ppm； 其中氧含量＜ ，目前已經(jīng)提高到＜ ； 水份＜ （對(duì)應(yīng)的露點(diǎn)約為 70℃ ），通常測(cè)定露點(diǎn)，露點(diǎn)越低，水含量越低?，F(xiàn)在，一般都要求無(wú)錯(cuò)位單晶硅。 ? ? 直拉硅單晶中的氧和碳是很重要的雜質(zhì)，在晶體內(nèi)可能生成微沉淀，也可能在微沉淀的基礎(chǔ)上形成微缺陷，嚴(yán)重影響硅單晶的質(zhì)量。 P型單晶硅依靠空穴導(dǎo)電， N型單晶硅依靠電子導(dǎo)電。 ? 2）徑向電阻率變化（ RRV）。用專(zhuān)門(mén)的型號(hào)測(cè)試儀進(jìn)行檢測(cè)。 ? 1)100：肩部有 4條對(duì)稱(chēng)棱線，等徑部分晶體上有 4條對(duì)稱(chēng)棱線。否則，揮發(fā)物在爐膛上沉積，越來(lái)越厚，最終容易掉渣導(dǎo)致晶體鼓掉。 ? 從這一現(xiàn)象我們知道，堝轉(zhuǎn)對(duì)形成一定的徑向溫度梯度很重要。 ? 由于晶體的旋轉(zhuǎn)，起到了攪拌的作用，充分的攪拌可以起到兩方面的作用：一是使結(jié)晶界面變得平坦，這有利于單晶的穩(wěn)定生長(zhǎng)；二是使結(jié)晶界面的雜質(zhì)分布更均勻，有利于改善徑向電阻率均勻性。 ? 在轉(zhuǎn)肩時(shí)，如果堝升跟早了，轉(zhuǎn)肩不容易轉(zhuǎn)過(guò)來(lái)。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) ? 明白上述道理后，你就應(yīng)該知道：直徑大小的最終決定者是堝升比例是否正確，只要堝升比例正確，直徑大了，電腦會(huì)給你收?。恢睆叫×?，電腦會(huì)給你放大。 ? 液面下降后，聶爾跟的視線與液面的交點(diǎn)變到了 B點(diǎn)。對(duì)這一參數(shù)有兩點(diǎn)需要注意：一是正確的堝升數(shù)值，二是跟堝升的時(shí)機(jī)。對(duì)于 P型的晶體，也可以用此方法作初步判斷，但可信性要差些。 ? 拉速較慢時(shí)，一般不至于對(duì)晶體有危害。因此，結(jié)晶介面處的徑向梯度必須盡量地小。因此，縱向溫度梯度要適當(dāng)?shù)卮?。硅的結(jié)晶潛熱是 /克分子。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) ? 下面我們引入靜態(tài)熱場(chǎng)和動(dòng)態(tài)熱場(chǎng)的概念。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) 工藝參數(shù) ? 基礎(chǔ)知識(shí)：溫度梯度、熱場(chǎng) ? 所謂溫度梯度，就是溫度在空間某方向上的變化率，用dT/dr表示，指某點(diǎn)的溫度 T在 r方向的變化率。因此硅單晶的生長(zhǎng)界面平坦，則電阻率均勻。而單晶電阻率到底如何變化，必須考慮這三種因素的綜合作用。 ? 。 ? ? 平衡分凝過(guò)程中，固液兩相雜質(zhì)濃度的比值稱(chēng)為平衡分凝系數(shù)。如硅中含 1PPba的硼，可以理解為 10億個(gè)原子中，有 1個(gè)硼原子， 999999999個(gè)硅原子。 在太陽(yáng)能級(jí)單晶硅的拉制中，都要加入雜質(zhì)元素。目前一般要求籽晶與所要求的晶向無(wú)偏角，即所謂的“零度籽晶”。硅單晶生長(zhǎng)有雜質(zhì)析出時(shí) ，形成一新的固相，單晶冷卻過(guò)程中，它們體積收縮率和形成的新相不同，硅和新固交界處會(huì)產(chǎn)生足夠的應(yīng)力，形成位錯(cuò)；另一方面，單晶內(nèi)雜質(zhì)濃度高，使硅晶格變化較大，晶格常數(shù)的不均勻也可形成應(yīng)力，產(chǎn)生位錯(cuò)。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) ? 熔硅溫度較低，籽晶和熔硅熔接不好也會(huì)產(chǎn)生位錯(cuò)。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) ? 位錯(cuò)可以發(fā)生滑移和攀移運(yùn)動(dòng)并發(fā)生位錯(cuò)的增殖。當(dāng)溫度下降至接近絕對(duì)零度（ 273℃ ）時(shí)，半導(dǎo)體就成為絕緣體。但電阻率在 104—，半導(dǎo)體的電阻率受雜質(zhì)及溫度的影響。 圖 常用的三種晶面 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) ? 在晶體的同一面族中，相鄰兩晶面之間的距離叫面間距。晶體的原子可以看成是分列排列在平行等距的平面系上，這樣的平面成為晶面。 通常的工業(yè)硅（ %）不具有半導(dǎo)體性能，當(dāng)將硅提純到很高純度（ %）時(shí)，就顯示出優(yōu)異半導(dǎo)體性能。反之，硅原子在空間的排列呈無(wú)序或短程有序，稱(chēng)為多晶硅。 某一晶面指數(shù)為（ 123），或者更普遍地為（ hkl），它僅表示晶面指數(shù)為 h、 k、 l的一個(gè)晶面。單位體積晶體中原子總數(shù)是一定的，面間距較小的晶面族，晶面排列密，晶面的原子密度?。幻骈g距較大的面族，晶面排列較稀，晶面的原子密度大。例如，硅中磷雜質(zhì)濃度在 1021—1012cm3范圍內(nèi)變化時(shí)，它的電阻率則從 。 培訓(xùn)教育 學(xué)習(xí)成長(zhǎng) 2 直拉單晶硅的基礎(chǔ)理論 ? ? ? 實(shí)際晶體的空間點(diǎn)陣和理想的空間點(diǎn)陣不同，它無(wú)法作到絕對(duì)的理想的規(guī)則周期排列，而是點(diǎn)陣在排列上有這樣或那樣不規(guī)則性，存在著點(diǎn)陣畸變，偏離空間點(diǎn)陣。 ? 位錯(cuò)對(duì)硅單晶的電學(xué)性質(zhì)影響很大。 ? 2）硅單晶生長(zhǎng)中產(chǎn)生位錯(cuò) ? 硅單晶中的位錯(cuò)除籽晶中的位錯(cuò)延伸、增殖外，生長(zhǎng)過(guò)程中如果受到機(jī)械震動(dòng)，產(chǎn)生機(jī)械應(yīng)力，晶格的結(jié)點(diǎn)會(huì)發(fā)生畸變，生成位錯(cuò)。 ? 籽晶與引晶 ? 籽晶是生長(zhǎng)單晶的種子，也叫晶種