【正文】 ? 大家都已經(jīng)知道，堝升快了，晶體會直徑逐漸增大；堝升慢了，晶體直徑會逐漸減小。這時的事實雖然是聶爾跟的視點向晶體中心移動了，但在聶爾跟“看”來卻是晶體長大了（晶體光圈已經(jīng)長到聶爾跟視點 B的后方了），因為運動是相對的。 ? 判斷堝升比例是否正確，最有效的辦法是不斷地計算晶體長度變化量與堝升變化量之比，是否與理論值相同。對于晶體生長來說， 1mm已經(jīng)是一個非常大的變化了，它會從兩個方面引起晶體直徑的縮?。菏紫仁且好嫦陆禃苯涌s小晶體直徑；其次是液面下降后，液面溫度會上升，這又會縮小晶體直徑。當晶體轉(zhuǎn)速非?？鞎r，這種方式的液體流動就會很強烈，形成一種下部熔體被吸上來，然后被離心力甩出去的效果。因此，堝轉(zhuǎn)是調(diào)節(jié)徑向溫度梯度的重要手段。 ? ③ 帶走晶體表面的熱量，有利于增加縱向溫度梯度（對徑向梯度也有影響）。 ? 3)111：肩部有對稱的 6條棱線，等徑部分晶體上沒有明顯的棱線，但有很密集的小“苞絲”。避免因表面沾有陰、陽離子，造成測量錯誤。因此需要經(jīng)過熱處理，消除氧施主效應(yīng)。在太陽能級中一般要求大于 10微秒。直拉硅單晶中，氧的濃度在6 1017/cm3 ——2 1018/cm3 的范圍內(nèi)。把腐蝕好的樣品放在全相顯微鏡下，可進行觀察， 〈 111〉 晶面上的位錯腐蝕坑呈現(xiàn)三角形， 〈 100〉晶面上的位錯腐蝕坑呈現(xiàn)四方形。自來水或普通蒸餾水中都含有一些雜質(zhì)離子，如：鈉（ Na+）、鉀（ K+）、鎂（ Mg+2）、鈣（ Ca+2）等陽離子及氯（ Cl）、硫酸根（ SO42），碳酸根（ CO32）、硅酸根（ SiO32）等陰離子。 培訓教育 學習成長 ? 。 ? 沾污有以下幾種可能： ① 坩堝清洗時受到了堿金屬沾污。 21:18:5221:18:5221:18Wednesday, March 29, 2023 ? 1乍見翻疑夢，相悲各問年。 21:18:5221:18:5221:183/29/2023 9:18:52 PM ? 1成功就是日復(fù)一日那一點點小小努力的積累。 下午 9時 18分 52秒 下午 9時 18分 21:18: ? 楊柳散和風，青山澹吾慮。 2023年 3月 下午 9時 18分 :18March 29, 2023 ? 1業(yè)余生活要有意義，不要越軌。 :18:5221:18:52March 29, 2023 ? 1意志堅強的人能把世界放在手中像泥塊一樣任意揉捏。 2023年 3月 下午 9時 18分 :18March 29, 2023 ? 1少年十五二十時，步行奪得胡馬騎。 下午 9時 18分 52秒 下午 9時 18分 21:18: ? 沒有失敗，只有暫時停止成功！。 21:18:5221:18:5221:183/29/2023 9:18:52 PM ? 1以我獨沈久，愧君相見頻。 ? “析晶”輕微時，堝壁上出現(xiàn)白斑，看不出明顯的分層；嚴重時，“析晶”層很厚，而且在內(nèi)壁的“析晶”層與坩堝的夾層之間會滲入硅。 培訓教育 學習成長 ? 拉制單晶硅所使用的加熱器和保溫系統(tǒng)是用高純石墨制做的。 單晶硅的生產(chǎn)對高純氬氣的要求是： 純度＞ %，即所有雜質(zhì)的總含量＜ 10ppm； 其中氧含量＜ ，目前已經(jīng)提高到＜ ； 水份＜ （對應(yīng)的露點約為 70℃ ），通常測定露點，露點越低，水含量越低。現(xiàn)在，一般都要求無錯位單晶硅。 ? ? 直拉硅單晶中的氧和碳是很重要的雜質(zhì)，在晶體內(nèi)可能生成微沉淀，也可能在微沉淀的基礎(chǔ)上形成微缺陷，嚴重影響硅單晶的質(zhì)量。 P型單晶硅依靠空穴導電， N型單晶硅依靠電子導電。 ? 2）徑向電阻率變化（ RRV）。用專門的型號測試儀進行檢測。 ? 1)100：肩部有 4條對稱棱線，等徑部分晶體上有 4條對稱棱線。否則，揮發(fā)物在爐膛上沉積，越來越厚，最終容易掉渣導致晶體鼓掉。 ? 從這一現(xiàn)象我們知道，堝轉(zhuǎn)對形成一定的徑向溫度梯度很重要。 ? 由于晶體的旋轉(zhuǎn)，起到了攪拌的作用，充分的攪拌可以起到兩方面的作用：一是使結(jié)晶界面變得平坦，這有利于單晶的穩(wěn)定生長；二是使結(jié)晶界面的雜質(zhì)分布更均勻，有利于改善徑向電阻率均勻性。 ? 在轉(zhuǎn)肩時，如果堝升跟早了，轉(zhuǎn)肩不容易轉(zhuǎn)過來。 培訓教育 學習成長 ? 明白上述道理后，你就應(yīng)該知道：直徑大小的最終決定者是堝升比例是否正確，只要堝升比例正確，直徑大了，電腦會給你收??；直徑小了，電腦會給你放大。 ? 液面下降后，聶爾跟的視線與液面的交點變到了 B點。對這一參數(shù)有兩點需要注意：一是正確的堝升數(shù)值，二是跟堝升的時機。對于 P型的晶體，也可以用此方法作初步判斷，但可信性要差些。 ? 拉速較慢時，一般不至于對晶體有危害。因此，結(jié)晶介面處的徑向梯度必須盡量地小。因此，縱向溫度梯度要適當?shù)卮?。硅的結(jié)晶潛熱是 /克分子。 培訓教育 學習成長 培訓教育 學習成長 培訓教育 學習成長 ? 下面我們引入靜態(tài)熱場和動態(tài)熱場的概念。 培訓教育 學習成長 工藝參數(shù) ? 基礎(chǔ)知識：溫度梯度、熱場 ? 所謂溫度梯度，就是溫度在空間某方向上的變化率，用dT/dr表示，指某點的溫度 T在 r方向的變化率。因此硅單晶的生長界面平坦，則電阻率均勻。而單晶電阻率到底如何變化，必須考慮這三種因素的綜合作用。 ? 。 ? ? 平衡分凝過程中，固液兩相雜質(zhì)濃度的比值稱為平衡分凝系數(shù)。如硅中含 1PPba的硼，可以理解為 10億個原子中，有 1個硼原子， 999999999個硅原子。 在太陽能級單晶硅的拉制中，都要加入雜質(zhì)元素。目前一般要求籽晶與所要求的晶向無偏角，即所謂的“零度籽晶”。硅單晶生長有雜質(zhì)析出時 ，形成一新的固相，單晶冷卻過程中，它們體積收縮率和形成的新相不同，硅和新固交界處會產(chǎn)生足夠的應(yīng)力，形成位錯；另一方面，單晶內(nèi)雜質(zhì)濃度高，使硅晶格變化較大，晶格常數(shù)的不均勻也可形成應(yīng)力，產(chǎn)生位錯。 培訓教育 學習成長 ? 熔硅溫度較低，籽晶和熔硅熔接不好也會產(chǎn)生位錯。 培訓教育 學習成長 ? 位錯可以發(fā)生滑移和攀移運動并發(fā)生位錯的增殖。當溫度下降至接近絕對零度（ 273℃ ）時，半導體就成為絕緣體。但電阻率在 104—，半導體的電阻率受雜質(zhì)及溫度的影響。 圖 常用的三種晶面 培訓教育 學習成長 ? 在晶體的同一面族中，相鄰兩晶面之間的距離叫面間距。晶體的原子可以看成是分列排列在平行等距的平面系上，這樣的平面成為晶面。 通常的工業(yè)硅（ %）不具有半導體性能，當將硅提純到很高純度（ %）時，就顯示出優(yōu)異半導體性能。反之，硅原子在空間的排列呈無序或短程有序，稱為多晶硅。 某一晶面指數(shù)為（ 123），或者更普遍地為（ hkl），它僅表示晶面指數(shù)為 h、 k、 l的一個晶面。單位體積晶體中原子總數(shù)是一定的，面間距較小的晶面族，晶面排列密，晶面的原子密度?。幻骈g距較大的面族，晶面排列較稀，晶面的原子密度大。例如，硅中磷雜質(zhì)濃度在 1021—1012cm3范圍內(nèi)變化時，它的電阻率則從 。 培訓教育 學習成長 2 直拉單晶硅的基礎(chǔ)理論 ? ? ? 實際晶體的空間點陣和理想的空間點陣不同，它無法作到絕對的理想的規(guī)則周期排列，而是點陣在排列上有這樣或那樣不規(guī)則性，存在著點陣畸變，偏離空間點陣。 ? 位錯對硅單晶的電學性質(zhì)影響很大。 ? 2）硅單晶生長中產(chǎn)生位錯 ? 硅單晶中的位錯除籽晶中的位錯延伸、增殖外，生長過程中如果受到機械震動，產(chǎn)生機械應(yīng)力，晶格的結(jié)點會發(fā)生畸變，生成位錯。 ? 籽晶與引晶 ? 籽晶是生長單晶的種子，也叫晶種