【摘要】第1章常用半導(dǎo)體器件半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識半導(dǎo)體二極管作業(yè)(一個(gè)二極管的計(jì)算,二極管的直流模型)(一個(gè)二極管的計(jì)算,二極管的直流模型)(二極管的交流模型)(穩(wěn)壓管的計(jì)算)半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識一、本征半導(dǎo)體二、雜質(zhì)半導(dǎo)體三、PN結(jié)的形成及其單向?qū)щ娦晕?、PN結(jié)的電容效應(yīng)四、PN結(jié)的電流方程和伏安特性一、本征半導(dǎo)體導(dǎo)
2025-01-05 04:14
【摘要】綱要?半導(dǎo)體材料是什么?半導(dǎo)體材料的物理基礎(chǔ)?什么樣的半導(dǎo)體材料適合作為光伏材料?光生伏特效應(yīng)1?何謂半導(dǎo)體?半導(dǎo)體材料的分類?半導(dǎo)體材料的性質(zhì)2何謂半導(dǎo)體?導(dǎo)體,電阻率在,如各種金屬?半導(dǎo)體,電阻率在10-5到,如硅,鍺,硫化鋅等等?絕緣體:電阻率在10-6到,如云母,水泥,玻璃,橡膠,塑料等等3半導(dǎo)體材料
2025-01-01 06:44
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝半導(dǎo)體制造工藝l微電子學(xué):Microelectronicsl微電子學(xué)——微型電子學(xué)l核心——半導(dǎo)體器件l半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)與制造的主要流程框架設(shè)計(jì)芯片檢測單晶、外延材料掩膜版芯片制造過程封裝測試物理原理—制造業(yè)—芯片制造過程由氧化、淀積、離子注入或蒸發(fā)形成新的薄膜或膜層曝光刻蝕
2025-03-01 12:19
【摘要】五、半導(dǎo)體篇——我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的現(xiàn)狀和發(fā)展前景電子信息產(chǎn)業(yè)已成為當(dāng)今全球規(guī)模最大、發(fā)展最迅猛的產(chǎn)業(yè),微電子技術(shù)是其中的核心技術(shù)之一(另一個(gè)是軟件技術(shù))?,F(xiàn)代電子信息技術(shù),尤其是計(jì)算機(jī)和通訊技術(shù)發(fā)展的驅(qū)動(dòng)力,來自于半導(dǎo)體元器件的技
2025-06-29 11:06
【摘要】第二章半導(dǎo)體材料特性1提綱2原子結(jié)構(gòu)化學(xué)鍵材料分類硅可選擇的半導(dǎo)體材料新型半導(dǎo)體電子與光電材料原子結(jié)構(gòu)原子由三種不同的粒子構(gòu)成:中性中子和帶正電的質(zhì)子組成原子核,以及圍繞原子核旋轉(zhuǎn)的帶負(fù)電核的電子,質(zhì)子數(shù)與電子數(shù)相等呈現(xiàn)中性。圖碳原子的基本模型
2025-03-10 23:56
【摘要】第三章半導(dǎo)體中載流子的統(tǒng)計(jì)分布載流子的運(yùn)動(dòng)載流子參與導(dǎo)電的電子和空穴統(tǒng)稱為半導(dǎo)體的載流子。載流子的產(chǎn)生本征激發(fā)電子從價(jià)帶躍遷到導(dǎo)帶,形成導(dǎo)帶電子和價(jià)帶空穴雜質(zhì)電離當(dāng)電子從施主能級躍遷到導(dǎo)帶時(shí)產(chǎn)生導(dǎo)帶電子;當(dāng)電子從價(jià)
2025-01-13 12:28
【摘要】華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系先進(jìn)制造技術(shù)半導(dǎo)體制造裝備華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系華中科技大學(xué)機(jī)械學(xué)院機(jī)械電子信息工程系微電子封裝一般可分為4級,如圖所示,即:0級封裝———芯
2025-02-26 08:37
【摘要】EE?4345?-?Semiconductor?Electronics?Design?ProjectSiliconManufacturingGroupMembersYoungSoonSongNghiaNguyenKeiWongEyadFanousHannaKimStevenHsu
2025-03-01 04:35
【摘要】擴(kuò)散半導(dǎo)體制造工藝基礎(chǔ)本章重點(diǎn)?摻雜的目的;?摻雜的方法;?恒定源擴(kuò)散;?有限源擴(kuò)散;?摻雜:摻雜技術(shù)是在高溫條件下,將雜質(zhì)原子以一定的可控量摻入到半導(dǎo)體中,以改變半導(dǎo)體硅片的導(dǎo)電類型或表面雜質(zhì)濃度。?形成PN結(jié)、電阻?磷(P)、砷(As)——N型硅?硼(B)
2025-02-28 11:58
【摘要】半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)分析報(bào)告金融0701第六組目錄一、節(jié)能照明行業(yè)概述二、半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)概述三、半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀四、半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)未來發(fā)展五、重點(diǎn)上市公司介紹一、節(jié)能照明行業(yè)概述?節(jié)能照明節(jié)能照明是國際上通用的對采用節(jié)約能源、
2025-01-08 03:46
【摘要】半導(dǎo)體制造工藝第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況第2章 半導(dǎo)體制造工藝概況 引言 器件的隔離 雙極型集成電路制造工藝 CMOS器件制造工藝 引言集成電路的制造要經(jīng)過大約450道工序,消耗6~8周的時(shí)間,看似復(fù)雜,而實(shí)際上是將幾大工藝技術(shù)順序、重復(fù)運(yùn)用的過程,最終在硅片上實(shí)現(xiàn)所設(shè)計(jì)的圖形和電學(xué)結(jié)構(gòu)。在講述各個(gè)工藝之前,介紹一下集成電路芯片的加工工藝過程
2025-03-01 04:30
【摘要】第一章半導(dǎo)體二極管內(nèi)容簡介本章首先介紹半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能和特點(diǎn),進(jìn)而從原子結(jié)構(gòu)給與解釋。先討論P(yáng)N結(jié)的形成和PN結(jié)的特性,然后介紹半導(dǎo)體二極管特性曲線和主要參數(shù)。分析這些管子組成的幾種簡單的應(yīng)用電路,最后列出常用二極管參數(shù)及技能訓(xùn)練項(xiàng)目。知識教學(xué)目標(biāo)??,掌握PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦裕??、伏安特性和主要參數(shù);?
2025-04-17 00:00
【摘要】《半導(dǎo)體器件電子學(xué)》教學(xué)大綱課程編號:MI3221009課程名稱:半導(dǎo)體器件電子學(xué)英文名稱:ElectronicsofSemiconductorDevices學(xué)時(shí):46學(xué)分:3課程類型:限選課程性質(zhì):專業(yè)課適用
【摘要】晶體生長和外延現(xiàn)代半導(dǎo)體器件物理與工藝PhysicsandTechnologyofModernSemiconductorDevices2023,7,30晶體生長與外延對分立器件而言,最重要的半導(dǎo)體是硅和砷化鎵。本小節(jié)主要討論這兩種半導(dǎo)體單晶最常用的技術(shù)。一種是單晶生長,獲得高質(zhì)量的襯底材料;另外一種時(shí)“外延生長”,即在
2025-03-03 20:17
【摘要】半導(dǎo)體材料的拋光摘要磨削和研磨等磨料處理是生產(chǎn)半導(dǎo)體晶片必要方式,然而磨削和研磨會(huì)導(dǎo)致單晶硅晶片的表面完整性變差。因此拋光和平面化對生產(chǎn)微電子原件來說是十分重要的。這次講座將會(huì)介紹到寄出的拋光過程以及不同的過程模型。另外也會(huì)對硅、砷化鎵等不同的半導(dǎo)體襯底材料進(jìn)行討論。關(guān)鍵字:化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)三軸拋光機(jī)床半導(dǎo)體拋光1簡介,但拋光和平展化任然是制備微電子原
2025-07-25 13:57