晶體三極管的結(jié)構(gòu)和類型(存儲(chǔ)版)
【正文】 ，經(jīng)過(guò)P溝道流入輕摻雜N漂移區(qū)，最后垂直向下到達(dá)漏極D。 將萬(wàn)用表?yè)苤罵1k檔分別測(cè)量三個(gè)管腳之間的電阻。 由圖1可見(jiàn)，在源漏之間有一個(gè)PN結(jié)，因此根據(jù)PN結(jié)正、反向電阻存在差異，可識(shí)別S極與D極。例如用500型萬(wàn)用表R1檔實(shí)測(cè)一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=，（典型值）。（2）有少數(shù)VMOS管在GS之間并有保護(hù)二極管，本檢測(cè)方法中的2項(xiàng)不再適用。 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管均為耗盡型，絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管既有耗盡型的，也有增強(qiáng)型的。3. 焊接用的電烙鐵必須良好接地。下面以常用的3DJ型N溝道結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管為例解釋其測(cè)試方法：3DJ型結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管可看作一只NPN型的晶體三極管，柵極G對(duì)應(yīng)基極b，漏極D對(duì)應(yīng)集電極c，源極S對(duì)應(yīng)發(fā)射極e。先用MF10型萬(wàn)用表R*100KΩ擋（內(nèi)置有15V電池），把負(fù)表筆（黑）接?xùn)艠O（G），正表筆（紅）接源極（S）。 按上述方法接好后，如果萬(wàn)用表的表針指示在表盤(pán)的右端或靠近滿刻度的位置上（即阻值較小），那么所測(cè)的管子是鍺管；如果萬(wàn)用表的表針在表盤(pán)的中間或偏右一點(diǎn)的位置上（即阻值較大），那么所測(cè)的管子是硅管?！ 〖俣ㄎ覀儾⒉恢辣粶y(cè)三極管是NPN型還是PNP型，也分不清各管腳是什么電極。根據(jù)這個(gè)原理，用萬(wàn)用電表的黑、紅表筆顛倒測(cè)量?jī)蓸O間的正、反向電阻Rce和Rec，雖然兩次測(cè)量中萬(wàn)用表指針偏轉(zhuǎn)角度都很小，但仔細(xì)觀察，總會(huì)有一次偏轉(zhuǎn)角度稍大，此時(shí)電流的流向一定是：黑表筆→c極→b極→e極→紅表筆，電流流向正好與三極管符號(hào)中的箭頭方向一致(“順箭頭”)，所以此時(shí)黑表筆所接的一定是集電極c，紅表筆所接的一定是發(fā)射極e。這里介紹如何用萬(wàn)用表來(lái)快速判別它高頻管與低頻管?！ ∪?順箭頭，偏轉(zhuǎn)大 找出了基極b，另外兩個(gè)電極哪個(gè)是集電極c，哪個(gè)是發(fā)射極e呢?這時(shí)我們可以用測(cè)穿透電流ICEO的方法確定集電極c和發(fā)射極e。圖2繪出了萬(wàn)用電表歐姆擋的等效電路。 我們知道，硅管和鍺管的PN結(jié)正向電阻是不一樣的，即硅管的正向電阻大，鍺管的小。目前常用的結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管和MOS型絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管的管腳順序如圖2所示。在檢修電路時(shí)應(yīng)注意查證原有的保護(hù)二極管是否損壞。MOS器件出廠時(shí)通常裝在黑色的導(dǎo)電泡沫塑料袋中，切勿自行隨便拿個(gè)塑料袋裝。按溝道半導(dǎo)體材料的不同，結(jié)型和絕緣柵型各分溝道和P溝道兩種。適用于高速開(kāi)關(guān)電路和廣播、通信設(shè)備中。 將GS極短路，選擇萬(wàn)用表的R1檔，黑表筆接S極，紅表筆接D極，阻值應(yīng)為幾歐至十幾歐。2．判定源極S、漏極D 1．判定柵極G表1列出六種VMOS管的主要參數(shù)。 眾所周知，傳統(tǒng)的MOS場(chǎng)效應(yīng)管的柵極、源極和漏極大大致處于同一水平面的芯片上，其工作電流基本上是沿水平方向流動(dòng)。 3．檢查放大能力（跨導(dǎo)） 2．判定電極 圖1（a）符號(hào)中的前頭方向是從外向電，表示從P型材料（襯底）指身N型溝道。所謂增強(qiáng)型是指：當(dāng)VGS=0時(shí)管子是呈截止?fàn)顟B(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強(qiáng)”了該區(qū)域的載流子，形成導(dǎo)電溝道。 1912年，德弗雷斯特又成功地做了幾個(gè)三極管的連接實(shí)驗(yàn)，得到了比單個(gè)三極管大得多的放大能力。 如果一次沒(méi)找到，則紅表筆換到三極管的另一個(gè)腳，再測(cè)兩次；如還沒(méi)找到，則紅表筆再換一下，再測(cè)兩次。電流放大倍數(shù)對(duì)于某一只三極管來(lái)說(shuō)是一個(gè)定值，但隨著三極管工作時(shí)基極電流的變化也會(huì)有一定的改變。發(fā)射極箭頭向外。基區(qū)很薄，而發(fā)射區(qū)較厚，雜質(zhì)濃度大，PNP型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是空穴，其移動(dòng)方向與電流方向一致，故發(fā)射極箭頭向里；NPN型三極管發(fā)射區(qū)發(fā)射的是自由電子，其移動(dòng)方向與電流方向相反，故發(fā)射極箭頭向外。我們將ΔIc/ΔIb的比值稱為晶體三極管的電流放大倍數(shù)，用符號(hào)“β”表示。具體方法是將多用電表調(diào)至電阻擋的R1k擋，先用紅表筆放在三極
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