alpha譜儀實(shí)驗(yàn)(存儲(chǔ)版)
【正文】 擇探測器偏壓應(yīng)考慮哪些因素。141Gross/Net Count Rate(cps)分辨率：===% 數(shù)據(jù)二Peak(Kev)=FWHMFW組Gross Area10711Net Area1623177。譜儀的能量分辨率也用譜線的半寬度FWHM表示。是直線截距（keV）。實(shí)驗(yàn)上最佳能量分辨率可通過測量不同偏壓下的譜線求得。確定半導(dǎo)體探測器偏壓對N型硅，探測器靈敏區(qū)的厚度和結(jié)電容與探測器偏壓的關(guān)系如下： （ 2 ） （ 3 ） 其中為材料電阻率（。 探測器的結(jié)電容是探測器偏壓的函數(shù)，如果核輻射在探測器中產(chǎn)生電荷量為Q，那么探測器輸出脈沖幅度是。形成一對電子空穴所需的能量，與半導(dǎo)體材料有關(guān)，與入射粒子的類型和能量無關(guān)。半導(dǎo)體譜儀：半導(dǎo)體譜儀的組成如圖1所示 金硅面壘探測器是用一片N型硅，蒸上一薄層金（100200），接近金膜的那一層硅具有P型硅的特性，這種方式形成的PN結(jié)靠近表面層，結(jié)區(qū)即為探測粒子的靈敏區(qū)。如果電路中存在電容性的寄生參量，將高能端將產(chǎn)生拖尾。電流信號經(jīng)前置放大器、主放大器放大，出來的電信號通過多道分析器進(jìn)行數(shù)據(jù)采集，最后通過計(jì)算機(jī)采集并顯示其儀器譜（實(shí)驗(yàn)用α譜儀硬件連接及內(nèi)部結(jié)構(gòu)框圖如圖1所示）。α譜儀工作原理α粒子通過物質(zhì)時(shí)，主要是與物質(zhì)的原子的殼層電子相互作用發(fā)生電離損失，使物質(zhì)產(chǎn)生正負(fù)離子對，對于一定物質(zhì)，α在其內(nèi)部產(chǎn)生一對離子所需的平均能量是一定的（即平均電能w），所以在物質(zhì)中產(chǎn)生的正負(fù)離子對數(shù)與α粒子損失的能量成正比，即：N= 公式中N為α粒子在物質(zhì) 中產(chǎn)生的正負(fù)離子對數(shù)目，E是在物質(zhì)中損失的α粒子能量。通訊：。脈沖產(chǎn)生器；范圍0到10MeV，穩(wěn)定性50ppm/186。常用α放射源核素?cái)?shù)據(jù)核素半衰期主要α粒子能量(MeV)及分支比(%)比活度(GBq/g)來源210Po（100）105233U105a（）（）235U108a（6）（12）（6）（56）天然放射性核素238Pu（）（）239Pu104a（11）（15）（73）241Am432a（）（86）238U多次中子俘獲生成241Pu242Cm（）（）105238U多次中子俘獲加衰變?chǔ)磷V儀本次試驗(yàn)儀器擬采用西南科技大學(xué)國防重點(diǎn)試驗(yàn)室α能譜儀，該α譜儀為美國ORTEC公司生產(chǎn)的8通道α能譜儀，型號為：ALPHAENSEMBLE.ORTEC在α譜儀上采用超低本底和PIPS工藝（表面鈍化、離子注入、可擦洗）硅探測器，同時(shí)真空艙室也為超低本底材料。測量獲取表中各種放射源在不同真空度下的能譜圖，為不同放射源、不同真空度、不同探源距下α能譜的解譜方法研究準(zhǔn)備數(shù)據(jù)，同時(shí)為α能譜庫的建立做一些探索性工作。三、實(shí)驗(yàn)原理α放
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