探測器暗電流綜述報(bào)告(存儲(chǔ)版)
【正文】 ] 高性能硅光電探測器設(shè)計(jì)及溫度特性研究_閆陽[2] InGaAsPIN光電探測器的暗電流特性研究_郝國強(qiáng)[3] 低暗電流InGaAsPIN光電二極管_KatsuyaHasegawa[4] 具有低暗電流的全金屬化耦合封裝I_省略_As_InP平面PIN光電二極管_黃燕丹[5] 具有高量子效率_低暗電流_高可靠_省略_面InGaAs_PIN光電二極管_李保根[6] 雙異質(zhì)結(jié)擴(kuò)展波長InGaAsPIN光電探測器暗電流研究_李成[7] 中心帶雪崩光電二極管的InGaAsPIN四象限探測器_石柱[8] 一種低暗電流高響度InGaAs_InPpin光電探測器_車相輝[9] APD微弱光電信號探測技術(shù)研究_趙慧玲[10] Ge_Si異質(zhì)結(jié)及其光電探測器特性研究_魏瑩[11] 半導(dǎo)體光電探測器中載流子輸運(yùn)過程研究_馬麗芹[12] 光電探測器特性一體化實(shí)驗(yàn)系統(tǒng)研究_曲洪豐[13] 光探測器等效電路模型的建立與參數(shù)提取_許文彪[14] 硅基光電探測器的研究_周弘毅[15] 基于ADL5317雪崩二極管系統(tǒng)參數(shù)測試電路的設(shè)計(jì)_伍保紅。溫度上升會(huì)使半導(dǎo)體材料帶隙變窄,可能導(dǎo)致Voc下降[2]。Rs表示pn結(jié)串聯(lián)體電阻(由體電阻、電極接觸電阻和電極材料本身電阻構(gòu)成)。為了減少這類電流, 需要進(jìn)一步穩(wěn)定腐蝕速率和提高鈍化技術(shù)。此外,與電極壓焊區(qū)的大小及位置相關(guān)的表面漏電對探測器暗電流的影響不大,結(jié)區(qū)暗電流仍為器件暗電流的主要分量。 PIN隧道電流分為帶與帶間隧道電流和缺陷隧道電流,分別如式(4),(5)所示:參數(shù)γ決定于隧穿載流子的始態(tài)與終態(tài),對于帶與帶間隧道電流,γ=[(2 meEg)1/2 q3 EmV/4π2η2],me是InGaAs導(dǎo)帶電子的有效質(zhì)量,me= m0,m0是電子靜止質(zhì)量,Em是耗盡層電場強(qiáng)度,Em= 2(V+ Vb)/ W,Θ=α(2 me/ m0)1/2,α決定于隧穿勢壘的具體形狀,CC2為隧穿常數(shù),Et為缺陷隧穿勢壘。擴(kuò)散電流起源于耗盡區(qū)邊緣p區(qū)和n區(qū)熱激發(fā)產(chǎn)生的少數(shù)載流子向耗盡層的擴(kuò)散。暗電流的形成及其影響因素探測器暗電流由五部分部分構(gòu)成:擴(kuò)散電流、產(chǎn)生復(fù)合電流、歐姆電流、表面復(fù)合電流和隧道電流。雪崩光電二極管就是利用這種效應(yīng)而具有光電流的放大作用。因此,光電檢測技術(shù)是現(xiàn)代檢測技術(shù)最重要的手段和方法之一,是計(jì)量檢測技術(shù)的一個(gè)重要發(fā)展方向。光學(xué)檢測主要應(yīng)用在高分辨率測量、非破壞性分析、高速檢測、精密分析等領(lǐng)域,在非接觸式、非破壞、高速、精密檢測方面具有其他方法無比擬的。雪崩光電二極管是利用雪崩倍增效應(yīng)而具有內(nèi)增益的光電二極管,它的工作過程是在光電二極管的一結(jié)上加一相當(dāng)高的反向偏壓,使結(jié)區(qū)產(chǎn)生一個(gè)很強(qiáng)的電場,當(dāng)光激發(fā)的載流子或熱激發(fā)的栽流子進(jìn)入結(jié)區(qū)后,在強(qiáng)電場的加速下獲得很大的能量,與晶格原子碰撞而使
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