【正文】 裝的顯卡顯存部位的MOSFET從這種開(kāi)關(guān)電源的基本工作原理就可看出，開(kāi)關(guān)電源一般由脈沖寬度調(diào)制(PWM)控制IC、2個(gè)及多個(gè)MOSFET、電容、電感等元器件構(gòu)成，在工作時(shí)，由PWM芯片進(jìn)行控制，電流先通過(guò)上橋MOSFET流入，利用線圈的存儲(chǔ)功能，將電能集聚在線圈中，然后關(guān)閉上橋MOSFET管，打開(kāi)下橋的MOSFET，線圈和電容持續(xù)給外部供電。而為了更好散熱，一般都將漏極(D)的引腳剪斷不用，而用底部連通的漏極散熱片做漏極(D)，這樣可以將該元件直接焊接在PCB線路板上，利用PCB板擴(kuò)大散熱范圍。近幾年，又出現(xiàn)了QFN(Quad Flat Nonleaded package，方形扁平無(wú)引腳封裝)形式的MOSFET，QFN是一種無(wú)引腳封裝，呈正方形或矩形，封裝底部中央位置有一個(gè)大面積裸露的焊盤(pán)，具有導(dǎo)熱的作用，在大焊盤(pán)的封裝外圍有實(shí)現(xiàn)電氣連接的導(dǎo)電焊盤(pán)。并且還出現(xiàn)了雙面都可以散熱的設(shè)計(jì)，如威世的PolarPAK封裝。在MOSFET發(fā)展的過(guò)程中，還出現(xiàn)了“MOSFET driver(MOSFET驅(qū)動(dòng)芯片)”這樣的外圍元件，這種驅(qū)動(dòng)IC可有效地與低導(dǎo)通電阻功率MOSFET配合使用。此外，新手需要注意MOSFET driver和PWM芯片的一些不同，不要混為一談，雖然兩者都能通過(guò)互集成來(lái)實(shí)現(xiàn)更低的成本。，每相供電電路常會(huì)使用2～4個(gè)MOS管，而不僅是2個(gè)。連通一段時(shí)間后，撤掉電池，用萬(wàn)用表測(cè)量鋁箔之間的電壓。除此之外，電容還需要絕緣體來(lái)阻止陰極和陽(yáng)極接觸，這個(gè)絕緣體被稱作介質(zhì)。雖然電容的原理很簡(jiǎn)單，但本身的用途非常廣泛。我們常說(shuō)的液態(tài)電容、固態(tài)電容以及鉭電容其實(shí)都是電解電容。實(shí)際上這些電容絕大部分都是鋁電解電容，它們的差別就是—液態(tài)電容的陰極使用了液體狀的電解液，而固態(tài)電容的陰極則使用了固體的導(dǎo)電高分子材料。如果你經(jīng)常去維修店，也會(huì)看到“死狀各異”的固態(tài)電容，比如擊穿、高溫?zé)龤У?。鉭電容的自修復(fù)能力說(shuō)起鉭電容，它還有一個(gè)特別優(yōu)異的性能—自修復(fù)。陶瓷電容由于容值較小，因此往往需要數(shù)個(gè)在一起并聯(lián)使用。，外形獨(dú)特，但并不是所有外形類似的電容都是鉭電容。沒(méi)錯(cuò)，無(wú)論主板還是顯卡，供電部分的存在，都是為了將外部電壓較高、甚至不夠平穩(wěn)的外接供電，通過(guò)供電部分的轉(zhuǎn)化，成為最終能滿足CPU和GPU電壓和電流需求的，能夠放心使用的純凈、穩(wěn)定的電流。我們上一期向大家介紹過(guò)的所有原理和考察方法在顯卡上依舊適用。我們依舊用自來(lái)水廠來(lái)對(duì)供電設(shè)計(jì)做比喻。數(shù)字供電模塊所采用的數(shù)字式PWM芯片本身?yè)碛休^高的工作頻率，能夠?qū)γ恳幌喙╇婋娐愤M(jìn)行偵測(cè)和調(diào)節(jié)。數(shù)字供電所采用的數(shù)字式PWM、連排電感和特殊的MOSFET的成本都比普通模擬式供電的料件高很多，因此我們往往只能在千元級(jí)別以上的顯卡上才能看到數(shù)字供電。比如使用了數(shù)字供電的顯卡往往很少看到大量直立的電解電容，也沒(méi)有一個(gè)一個(gè)小方塊式的電感，MOSFET也變得更為小巧。因此電容和電感的外觀并不能成為判斷一款顯卡是否采用數(shù)字供電的標(biāo)準(zhǔn)，最重要的還是PWM芯片。32 / 32。數(shù)字供電之所以使用類似于排感、陶瓷電容等元件，主要是由于傳統(tǒng)的電解電容、普通電感難以在高頻率下工作。反之，PWM芯片不是數(shù)字式的，那么顯卡就采用的是模擬供電設(shè)計(jì)。數(shù)字供電對(duì)電壓、電流偵測(cè)較為精確，圖為GeForce GTX 260+ P651版本的數(shù)字供電部分，并沒(méi)有采用連排電感。一般模擬供電模塊給出的電壓和電流都是范圍值，比如GPU要求1V電壓，～，不夠精確的電壓為超頻以及高頻率的運(yùn)行帶來(lái)了麻煩。而顯卡由于受到最高頻率、散熱、PCB板型等諸多限制，超頻幅度普遍不像CPU動(dòng)輒50%那樣巨大，因此在供電設(shè)計(jì)上預(yù)留幅度一般不會(huì)太多。目前大部分顯卡依舊采用模擬供電方式，和主板模擬供電設(shè)計(jì)基本相同需要特別說(shuō)明的是，顯卡和主板的供電設(shè)計(jì)原理是完全相同的。在本文中，類似內(nèi)容將不再過(guò)多介紹，我們將重點(diǎn)向大家介紹顯卡上使用的供電方案的特點(diǎn)以及數(shù)字供電的相關(guān)內(nèi)容。本期看點(diǎn)，是儲(chǔ)存電荷的容器，它能隔斷直流，導(dǎo)通交流，是板卡上最重要的電器元件之一。單憑外觀是無(wú)法分辨兩者差異的。因此，鉭電容并不適合應(yīng)用在大電流和高電壓的場(chǎng)合，因此它往往出現(xiàn)在CPU附近以及供電電路的低電壓部分?？煲獡p壞的液態(tài)電容頂部鼓起，這是提醒用戶及時(shí)維修的明顯標(biāo)志。那么它的陰極是什么呢？我們先從實(shí)際產(chǎn)品說(shuō)起。很多主板在供電部分使用了固態(tài)電容，在其它部分則使用液態(tài)電容，實(shí)際上它們都是鋁電解電容，結(jié)構(gòu)基本相同。換句話來(lái)說(shuō)，電流的頻率轉(zhuǎn)換速度越快，電容就越可視為導(dǎo)線。而在電容中，存儲(chǔ)的就是電荷。首先把兩片鋁箔壓平，然后將它們平行放置，但不要接觸。本期看點(diǎn)。Microchip推出的低功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)IC，采用SOT封裝。一款低端顯卡，只配備了1相核心+1相顯存的供電模式，采用的是DPAK封裝。并且，如何更好的為MOSFET散熱也成為近幾年發(fā)展的一個(gè)動(dòng)向。例如，Philps的LFPAK和QLPAK封裝，意法半導(dǎo)體的Power SO8封裝，安森美的WDFN8封裝，威世的PowerPAK和PolarPAK封裝，瑞薩的WPAK、LFPAK封裝等。SOT封裝，可以看做是被小型化了的DPAK早期常見(jiàn)的MOSFET多采用DPAK封裝，它是一種簡(jiǎn)單的的表面貼片封裝。采用DPAK封裝的主板內(nèi)存部位的MOSFETMOSFET與開(kāi)關(guān)電源技術(shù)的廣泛應(yīng)用密切相關(guān)?，F(xiàn)代板卡為什么會(huì)首選MOSFET做為供電元器件呢？目前主流的MOSFET有何特點(diǎn)呢？在本期文章中我們就和大家一起來(lái)全面了解一下這個(gè)熟悉而又陌生的元件。為此，英特爾和AMD拿出了相應(yīng)的對(duì)策，為了保障新產(chǎn)品的性能，兩家公司都為處理器內(nèi)部集成的特殊模塊提供單獨(dú)的供電。假如這些產(chǎn)品在采用并聯(lián)方式以前，最大只能提供100A左右的電流，為了增加它的供電能力，我們?yōu)槊肯嚯娫炊嘣黾右活w電感和一顆MOSEFT，雖然無(wú)法成倍的提升性能，但也能為其提供多達(dá)140A甚至更多的電流，這也在很大幅度上提升了供電能力。傳統(tǒng)的一相供電有一顆電感、上橋和下橋共兩顆MOSFET，在全速25A電流工作時(shí)溫度較高，單相供電電流難以提升。這樣做有一定道理，但不完全正確。說(shuō)到這兒，我們不妨把供電電路想象成馬車，當(dāng)有一條馬拉著這輛車的時(shí)候，這輛馬車就叫做一相供電。供電電路的核心—PWM芯片單獨(dú)的一相開(kāi)關(guān)供電(以下簡(jiǎn)稱一相供電），包括了PWM芯片(也就是所說(shuō)的脈沖寬度調(diào)節(jié)芯片)，電容、電感、MOSFET以及必要的導(dǎo)線。CUDA發(fā)布后，AMD方面也發(fā)布了Stream通用加速技術(shù)，究其原理與CUDA非常相似，但二者之間沒(méi)有辦法融會(huì)貫通。NVIDIA的多路顯卡技術(shù)叫做SLI，而AMD的多路顯卡互聯(lián)技術(shù)叫做CrossFire。這符合人們追求更簡(jiǎn)約、更簡(jiǎn)單的生活的要求。合二為一還是兼并聯(lián)合—越來(lái)越“小”的芯片組CPU有了內(nèi)存控制器，芯片組的作用就大大弱化了。這樣做在早期的好處很多，比如數(shù)據(jù)設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單、傳輸速度也不錯(cuò)，集成化的北橋也能很好的滿足系統(tǒng)數(shù)據(jù)傳輸“分工明確”的需求。如果沒(méi)有北橋內(nèi)部的總線調(diào)度機(jī)構(gòu)，所有的數(shù)據(jù)都得擠在一起，誰(shuí)也別想落個(gè)好?？偩€的名字看起來(lái)很奇怪，實(shí)際上理解卻很簡(jiǎn)單。以往，參照在主板上所處位置的不同，芯片組又分為北橋芯片和南橋芯片，其中，北橋芯片又占據(jù)了主導(dǎo)地位，那么它們各自起到什么作用？而現(xiàn)在，芯片組又呈現(xiàn)了融合的趨勢(shì)，從雙芯片到單芯片，從單芯片到逐漸被CPU“吞噬”，這個(gè)過(guò)程又是怎么回事呢？PC系統(tǒng)中的物流中心—芯片組的作用大家都知道，CPU就像系統(tǒng)的大腦，負(fù)責(zé)處理各種各樣的數(shù)據(jù)。本期看點(diǎn)，我們始終記?。寒a(chǎn)品賦予了顏色含義，而不是顏色賦予了產(chǎn)品含義。采用兩倍銅后，PCB的銅箔會(huì)更厚一些，這就需要更厚的絕緣層材料。兩倍銅技術(shù)結(jié)構(gòu)使用更厚的銅箔可以有效降低電阻，并能提升PCB承載電流的數(shù)值。如果采用OST(有機(jī)保護(hù)膜)方式處理的焊盤(pán)，根本不會(huì)有多余厚度產(chǎn)生。PCB上暴露出來(lái)的焊盤(pán)，銅層直接裸露在外?？偨Y(jié)一句話就是：產(chǎn)品賦予了顏色含義，而不是顏色賦予了產(chǎn)品含義。因此工程師們?cè)谧韬钙嶂屑尤肓烁鞣N各樣的顏色，最后就形成了黑色或者紅色、藍(lán)色的PCB。因?yàn)榭諝庵写嬖谘鯕夂退魵猓约冦~表面在和空氣接觸后很快會(huì)發(fā)生氧化反應(yīng)。另外，一些刀卡由于PCB面積狹小，只能使用6層甚至8層PCB來(lái)保證合理走線。如果PCB正面的每一個(gè)孔都能在背面找到相應(yīng)的孔，或這些孔都透亮，那么此PCB肯定是4層。不過(guò)PCB和餅干也有不一樣的地方，夾心餅干多為奇數(shù)層，而PCB則多為偶數(shù)層，比如4層、6層、8層等。導(dǎo)通孔是PCB上一些填充或者包裹了可導(dǎo)電材料的小洞。在多層PCB的導(dǎo)通孔中，除了上面講的貫通整個(gè)PCB的過(guò)孔，還有盲孔和埋孔。時(shí)至今日，PCB已經(jīng)進(jìn)化到難以想象的地步，但無(wú)論最終產(chǎn)品如何改變，Charles Ducas首次使用的“加成法”和Paul Eisler發(fā)明的“減成法”，依舊是PCB生產(chǎn)的最重要方法。怎么方便怎么來(lái)—PCB的誕生相信不少玩家肯定還記得物理電學(xué)課程上的情景：在電學(xué)課程上，學(xué)生需要手動(dòng)將各種各樣的線路連接起來(lái)直到完成工程。那么，PCB的層數(shù)對(duì)板卡又有什么影響？如何分辨PCB的層數(shù)？?jī)杀躲~等技術(shù)會(huì)帶來(lái)怎樣的好處？別急，看完本文，你將會(huì)得到完整的答案。愛(ài)斯勒(Paul Eisler)在英國(guó)首次展示了他的箔膜技術(shù)，這成為現(xiàn)代PCB的里程碑事件。絕緣層在PCB制造過(guò)程中通過(guò)高溫融化、高壓壓制后和銅層緊緊貼合在一起，最終成為我們看到的PCB。但如果PCB正面的線路想利用PCB背面的銅層來(lái)導(dǎo)通，應(yīng)該如何設(shè)計(jì)呢？其實(shí)仔細(xì)觀察下烤餅的結(jié)構(gòu)就可以發(fā)現(xiàn)，為了釋放烤餅內(nèi)部的壓力和氣體，烤餅上會(huì)被扎出許多小洞，于是導(dǎo)通孔開(kāi)始被設(shè)計(jì)在PCB上。只不過(guò)這種PCB用處不大——誰(shuí)喜歡吃20層餡料的餅干？一般使用10層、12層PCB的板卡產(chǎn)品已經(jīng)非常高端了。因此，在判斷PCB層數(shù)時(shí)可以查看PCB上的通孔情況。特別是顯存到GPU的走線極為密集，如果不出現(xiàn)在表層，則可以確定這款顯卡至少采用6層PCB。銅的化學(xué)性質(zhì)雖然不如鋁、鐵、鎂等活潑，但在有水的條件下，純銅和氧氣接觸是極易被氧化的。透明阻焊漆只能露出PCB本底色，無(wú)論是制造、維修還是銷售，外觀都不夠好看。之所以出現(xiàn)這種說(shuō)法，是因?yàn)閺S商喜愛(ài)使用黑色PCB來(lái)制造高端產(chǎn)品，用紅色、藍(lán)色、綠色、黃色等制造低端產(chǎn)品。比如鍍上惰性金屬金，或者在表面通過(guò)化學(xué)工藝覆蓋一層銀，要不然干脆用一種特殊的化學(xué)薄膜覆蓋銅層，阻止焊盤(pán)和空氣的接觸。電阻又和導(dǎo)體本身材質(zhì)、導(dǎo)體的橫截面積、長(zhǎng)度相關(guān)。而兩倍銅特點(diǎn)在于在同樣的面積()上使用了兩盎司重量的銅。同時(shí)需要注意的是，兩倍銅技術(shù)帶來(lái)的也不全