變頻器電流跟蹤pwm控制設(shè)計(jì)與仿真(存儲版)
【正文】 Relay2Relay14ifabc3Ic*2Ib*1Ia*Amplitude 20正弦波模塊 sine waveFrequence/(red/s) 2*pi*50圖 38 給定正弦波參數(shù) 圖 39 滯環(huán)控制 H 參數(shù)設(shè)置 圖 310 時(shí)間參數(shù)設(shè)置仿真之后得到下列波形，如下圖 311 到 316：0 1510505101520圖 311 三相電流給定值圖 312 A 相給定電流與輸出電流比較0 15105051015200 1510505101520圖 313 三相電流跟蹤逆變器電流波形圖 315 A 相電壓輸出0 10050050100150圖 316 三相輸出電壓 仿真結(jié)果分析通過 Matlab/Simulink 進(jìn)行了仿真，由仿真結(jié)果可見,電流滯環(huán)跟蹤 PWM 控制電流響應(yīng)快，動態(tài)性能好，不用載波，方法簡單，可以取代傳統(tǒng)的 SPWM電壓型逆變器，用于逆變器的控制系統(tǒng)中。 電流滯環(huán)跟蹤控制的特點(diǎn)電流滯環(huán)跟蹤控制方法的精度高，響應(yīng)快，且易于實(shí)現(xiàn)。以上過程重復(fù)進(jìn)行，這樣交替工作，實(shí)際電流與給定電流的偏差保 h+ 之間，并在給定電流上下作鋸齒狀變化，達(dá)到跟蹤電流的目的。在實(shí)際使用中，應(yīng)在器件開關(guān)頻率允許的前提下，盡可能選擇小的寬度。常用的全控型器件有絕緣柵極雙極型晶體管（IGBT)。為了克服這些缺點(diǎn)，本文利用 PWM 整流技術(shù)，介紹了以 TMS320F2812 為核心控制芯片的電路設(shè)計(jì)，用 MATLAB 軟件對雙 PWM 變頻器進(jìn)行了仿真研究。功率器件為晶閘管以晶閘管為功率器件的電流源型雙 PWM 變頻器的主電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。CFPWM 的控制方法是：在原來主回路的基礎(chǔ)上，采用電流閉環(huán)控制，使實(shí)際電流快速跟隨給定值，在穩(wěn)態(tài)時(shí)，盡可能使實(shí)際電流接近正弦波。2 設(shè)計(jì)框圖與原理 設(shè)計(jì)框圖三相異步電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)結(jié)構(gòu)圖如下圖 21：圖 21 三相異步電機(jī)調(diào)速系統(tǒng)框主電路采用交直交結(jié)構(gòu)如下圖 22：圖 22 交直交結(jié)構(gòu)主電路圖 23 三相電流跟蹤型 PWM 逆變電路控制電路采用單片機(jī)控制 EXB841 驅(qū)動芯片驅(qū)動 IGBT，如圖 24 所示：圖 24 單片機(jī)控制的 EXB841 驅(qū)動電路上圖所示芯片 EXB841 是日本富士公司提供的 300A/1200V 快速型IGBT 驅(qū)動模塊，整個(gè)電路延遲時(shí)間不超過 Ip，最高工作頻率達(dá) 40~50kHz，它只需外部提供一個(gè)+20V 單電源，內(nèi)部產(chǎn)生一個(gè) 5V 反偏壓，模塊采用高速光藕隔離且有短路保護(hù)和慢速關(guān)斷功能，利用單片機(jī)控制來控制它產(chǎn)生觸發(fā)脈沖來驅(qū)動 IGBT。電流滯環(huán)跟蹤控制波形的幾何關(guān)系如圖 27 所示：圖 27 電流滯環(huán)跟蹤控制波形的幾何關(guān)系由上圖可知逆變器的開關(guān)頻率與電流波動幅值成反比，即與環(huán)
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