基于mosfet的單相半橋無源逆變電路的的設(shè)計(jì)論文(存儲(chǔ)版)
【正文】 10）里面取值。α角的移相范圍為90o。晶閘管的額定電壓 UTn ≥（2～3）UTM （27） UTM ：工作電路中加在管子上的最大瞬時(shí)電壓 ②額定電流IT(AV) IT(AV) 又稱為額定通態(tài)平均電流。 （210）額定狀態(tài)下， 晶閘管的電流波形系數(shù) （211）=== （212）當(dāng)α=0時(shí)，取得最大值100V即= =100V從而得出=111V，α=90o時(shí)，=0。指在常溫門極開路時(shí)，晶閘管從較大的通態(tài)電流降到剛好能保持通態(tài)所需要的最小通態(tài)電流。在規(guī)定條件下，晶閘管能承受的最大通態(tài)電流上升率。同時(shí)有大量的第三方軟件和硬件可應(yīng)用于或被要求應(yīng)用Simulink。 要想完成一個(gè)電力電子課程設(shè)計(jì)，要想自己做是不可能的，要有團(tuán)隊(duì)合作意識(shí)，同時(shí)，你也要對(duì)各種工程軟件進(jìn)行學(xué)習(xí)，不然無法進(jìn)行電路的仿真。A1個(gè)晶閘管KP2044個(gè)電阻1個(gè)電容若干個(gè)Mosfet管2個(gè)二極管若干個(gè)脈沖發(fā)生器2個(gè)芯片SG35251塊熔斷器6個(gè)26 。 對(duì)于一個(gè)電路的設(shè)計(jì)，首先應(yīng)該對(duì)它的理論知識(shí)很了解，這樣才能設(shè)計(jì)出性能好的電路。在該環(huán)境中，無需大量書寫程序，而只需要通過簡(jiǎn)單直觀的鼠標(biāo)操作，就可構(gòu)造出復(fù)雜的系統(tǒng)。一般為每微秒幾十伏。指在規(guī)定的工作溫度條件下，使晶閘管導(dǎo)通的正弦波半個(gè)周期內(nèi)陽極與陰極電壓的平均值，～。在實(shí)際使用時(shí)不論流過管子的電流波形如何、導(dǎo)通角多大，只要其最大電流有效值ITM ≤ ITn ,散熱冷卻符合規(guī)定，則晶閘管的發(fā)熱、溫升就能限制在允許的范圍。1).晶閘管的主要參數(shù)如下：①額定電壓UTn通常取UDRM和URRM中較小的，再取靠近標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級(jí)作為晶閘管型的額定電壓。為抑制du/dt的作用，可以在晶閘管兩端并聯(lián)RC阻容吸收回路。在此我們采用儲(chǔ)能元件保護(hù)即阻容保護(hù)。過電流保護(hù)采用快速熔斷器是電力電子裝置中最有效、應(yīng)用最廣的一種過電流保護(hù)措施。交流側(cè)過電壓保護(hù)過電壓產(chǎn)生過程：電源變壓器初級(jí)側(cè)突然拉閘，使變壓器的勵(lì)磁電流突然切斷，鐵芯中的磁通在短時(shí)間內(nèi)變化很大，因而在變壓器的次級(jí)感應(yīng)出很高的瞬時(shí)電壓。光耦合器是70年代發(fā)展起來產(chǎn)新型器件，現(xiàn)已廣泛用于電氣絕緣、電平轉(zhuǎn)換、級(jí)間耦合、驅(qū)動(dòng)電路、開關(guān)電路、斬波器、多諧振蕩器、信號(hào)隔離、級(jí)間隔離 、脈沖放大電路、數(shù)字儀表、遠(yuǎn)距離信號(hào)傳輸、脈沖放大、固態(tài)繼電器(SSR)、儀器儀表、通信設(shè)備及微機(jī)接口中。光耦合器一般由三部分組成：光的發(fā)射、光的接收及信號(hào)放大。 各部分功能：a 基準(zhǔn)電壓源: 基準(zhǔn)電壓源是一個(gè)三端穩(wěn)壓電路，其輸入電壓VCC 可在（8～35）V 內(nèi)變化，通常采用+15V，其輸出電壓VST＝，精度177。 （3）振蕩器工作頻率范圍寬：100Hz172。該端可輸出一溫度穩(wěn)定性極好的基準(zhǔn)其中，腳16 為SG3525 的基準(zhǔn)電壓源輸出，精度可以達(dá)到（177。 A（引腳11）：輸出端A。該端與引腳5之間外接一只放電電阻，構(gòu)成放電回路。在閉環(huán)系統(tǒng)和開環(huán)系統(tǒng)中，該端接給定信號(hào)。我們采用PWM控制方法，進(jìn)行連續(xù)控制，我們采用了SG3525芯片，它是一款專用的PWM控制集成芯片，它采用恒頻調(diào)寬控制方案，內(nèi)部包括精密基準(zhǔn)源，鋸齒波振蕩器，誤差放大器，比較器，分頻器和保護(hù)電路等。由于VT2和VT4導(dǎo)通，VT2和VT4承受u2的負(fù)半周期電壓，至此一個(gè)周期工作完畢，下一個(gè)周期，充復(fù)上述過程，單項(xiàng)橋式整流電路兩次脈沖間隔為180176。晶閘管承受的最大正向電壓和反向電壓分別為U2和U2。 1 基于MOSFET的單相半橋無源逆變電路的設(shè)計(jì)設(shè)計(jì)目的：1 （1）輸入直流電壓：Ui=200V （2）輸出功率：500W （3）輸出電壓波形：1KHz方波總體目標(biāo)及任務(wù)：選擇整流電路，計(jì)算整流變壓器額定參數(shù)，選擇全控器件的額定電壓電流， 計(jì)算平波電抗器感值，設(shè)計(jì)保護(hù)電路 ，全控器件觸發(fā)電路的設(shè)計(jì)，畫出主電路原理圖和控制電路原理圖，進(jìn)行Matlab的仿真，畫出輸出電壓，電流模擬圖。此后又是VT1和VT4導(dǎo)通，如此循環(huán)的工作下去，整流電壓ud和晶閘管VTVT4兩端的電壓波形如下圖（2）所示。 第4階段（ωt2 ~π）：在ωt2 時(shí)，u2電壓為負(fù)，VT2和VT4受正向
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