單相橋式可控整流電路的結構設計(存儲版)
【正文】 護器件，例如，RC阻容吸收回路、限流電感、快速熔斷器、壓敏電阻或硒堆等?？烊垡话闩c電力半導體器件串聯(lián)連接，在小容量裝置中也可串接于閥側交流母線或直流母線中。電容C的單位為μF，電阻的單位為歐姆電容C的交流耐壓≥U：正常工作時阻容兩端交流電壓有效值。 參數(shù)設置（1）電源參數(shù)設置（2）波形發(fā)生器參數(shù)設置①觸發(fā)角α=30176。、120176。時的波形 α=90176。它們各自有自己的優(yōu)點。通過這次課程設計我對于文檔的編排格式有了一定的掌握，這對于以后的畢業(yè)設計及工作需要都有很大的幫助，在完成課程設計的同時我也在復習一遍電力電子這門課程，把以前一些沒弄懂的問題這次弄明白了一部分，當然沒有全部。這次的課程設計是我收獲最大的一次，雖然中途遇到了不少困難，但還是被我逐步解決了。整流電路的設計方法多種多樣，且根據(jù)負載的不同，又可以設計出很多不同的電路。時的波形 α=60176。、60176。： 并聯(lián)RC阻容吸收回路第四章 仿真分析與調(diào)試 仿真電路圖（1）將DJK01電源控制屏的電源選擇開關打到“直流調(diào)速”側使輸出線電壓為200V,用兩根導線將200V交流電壓接到DJK031的“外接220V”端，按下“啟動”按鈕，打開DJK031的電源開關，用雙蹤示波器觀察“Tca785鋸齒波移相觸發(fā)電路”各觀察孔的波形。單相阻容保護的計算公式如下： （） （）S:變壓器每相平均計算容量（VA）U：變壓器副邊相電壓有效值 （V）i%:變壓器激磁電流百分值U%：變壓器的短路電壓百分值。在選擇快熔時應考慮：1）電壓等級應根據(jù)熔斷后快熔實際承受的電壓來確定。保護方法：阻容保護過電壓產(chǎn)生過程：當某一橋臂的晶閘管在導通狀態(tài)突然因果載使快速熔斷器熔斷時，由于直流住電路電感中儲存能量的釋放，會在電路的輸出端產(chǎn)生過電壓。當增大時，單結晶體管發(fā)射極充電到峰點電壓的時間增大，第一個脈沖出現(xiàn)的時刻推遲，即控制角α增大，實現(xiàn)了移相。隨著電容C放電，電壓Ue小于一定值，管子BT又由導通轉(zhuǎn)入截止，然后電源又重新對電容C充電，上述過程不斷重復。 4）、觸發(fā)脈沖必須與晶閘管的陽極電壓同步，脈沖移相范圍必須滿足電路要求。晶閘管承受最大電壓為=141V，考慮到2倍裕量，取300V.晶閘管的選擇原則：Ⅰ、所選晶閘管電流有效值ITn 大于元件 在電路中可能流過的最大電流有效值。其定義是在室溫40176。內(nèi)部結構:、內(nèi)部結構、電氣圖形符號和模塊外形a)晶閘管外形 b)內(nèi)部結構 c)電氣圖形符號 d)模塊外形（3）晶閘管的工作原理圖晶閘管由四層半導體（PNPN2）組成，形成三個結J1（P1N1）、J2（N1P2）、J3（P2N2），并分別從PPN2引入A、G、K三個電極，(左)所示。VT1和VT2反向截止時漏電流為零，只要另一組晶閘管導通，也就把整 個電壓加到VT1或VT2上，故兩個晶閘管承受的最大反向電壓也為。輸出電壓的波形出現(xiàn)了負值部分。綜上所述，針對他們的優(yōu)缺點，我們采用方案二，即單相橋式全控整流電路。單相半波相控整流電路因其性能較差，實際中很少采用，在中小功率場合采用更多的是單相全控橋式整流電路。下面分析兩種單相橋式整流電路在帶電感性負載的工作情況。因此在做設計之前我們主要考慮了以下幾種方案：方案一：單相橋式半控整流電路： 對每個導電回路進行控制，相對于全控橋而言少了一個控制器件，用二極管代替，有利于降低損耗！如果不加續(xù)流二極管，當α突然增大至180176。然后將經(jīng)變壓和保護后的信號輸入整流電路中。1）整流輸出電壓的平均值可按下式計算===當α=0時，取得最大值,即= =90V，當α=90o時，=0。能承受的電壓和電流容量最高，工作可靠，以被廣泛應用于相控整流、逆變、交流調(diào)壓、直流變換等領域
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