ads課程設(shè)計(jì)移相器的設(shè)計(jì)(存儲(chǔ)版)
【正文】 移相性能；另一種方法主要是采用半導(dǎo)體活MEMS器件。下面我們將進(jìn)行一個(gè)改進(jìn)的負(fù)載線型移相器的設(shè)計(jì)。圖2【LineCale】對(duì)話框，計(jì)算微帶線的數(shù)據(jù)。在“LumpedComponents”元器件面板列表里選擇兩個(gè)電容“C”以及兩個(gè)電感“L”添加到原理圖中。如圖7圖78. 運(yùn)行仿真，結(jié)果如下。（關(guān)閉電感）微帶線參數(shù)W= mm，L= mm，C= pF,不考慮電感參數(shù)。我學(xué)到了不少設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)。日子如流水嘩啦啦流逝，可是我們的設(shè)計(jì)卻停滯不前，一再掙扎，組后總算設(shè)計(jì)出符合要求的移相器。[2].一個(gè)有高度競(jìng)爭(zhēng)力的組織，包括企業(yè)，不但要求有完美的個(gè)人，更要有完美的團(tuán)隊(duì)。去圖書館借閱了些書籍，才整理出點(diǎn)眉目。7． 設(shè)計(jì)感想為期一個(gè)月的專業(yè)綜合訓(xùn)練終于落下帷幕，一路走來(lái)磕磕碰碰，遇到了各種困難，在摸索中緩慢爬行。（關(guān)閉電容）微帶線參數(shù)W= mm ，L= mm，L=5 nH，此情況下不考慮電容C的參數(shù)。圖6，一次點(diǎn)擊兩個(gè)電感與兩個(gè)電容。注意單位為mm。 仿真過(guò)程，新建原理圖，在“TLinesMicrostrip”元器件面板列表中選擇微帶線“MLIN”和“MSUB”添加到原理圖中。至于單端口反射型移相器的設(shè)計(jì)，可以采用開關(guān)長(zhǎng)度型和開關(guān)電抗型設(shè)計(jì)。相位控制信號(hào)加到真累的各個(gè)單元，使得輻射波束受控于電子掃面方向。EDA 引言移相器是能夠?qū)Σǖ南辔贿M(jìn)行調(diào)整的一種裝置。[2]2013/12/29——2013/12/304. 采用并聯(lián)電感形式時(shí)，4GHz處兩端口間的相位差為78176。實(shí)驗(yàn)選題人民郵電出版社指導(dǎo)教師簽字基層教學(xué)單位主任簽字說(shuō)明：此表一式四份，學(xué)生、指導(dǎo)教師、基層教學(xué)單位、系部各一份。電控移相器有足夠的移相精度，移相穩(wěn)定性高，不隨溫度、信號(hào)電平等變化；插入損耗小，端口駐波小，移相速度快，所需控制功率小。一般來(lái)說(shuō)，采用半導(dǎo)體活MEMS器件的移相器與鐵氧體移相器相比更緊湊，具有更小的開關(guān)時(shí)間和較低的激勵(lì)功率。在電長(zhǎng)度為90176。如圖3。用導(dǎo)線將各元器件鏈接起來(lái)，并且加入接地點(diǎn)。見(jiàn)圖8圖8 誤差分析及更改關(guān)閉電感，電容通路的時(shí)候，仿真回波損耗S11參數(shù)
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