基于at89c51單片機的變頻調(diào)速控制系統(tǒng)設計(存儲版)
【正文】 的調(diào)速控制，UPS電源以及其他需要脈寬調(diào)制作為一種有效電源控制的電力電子器件[4]?！ 」ぷ鞣绞届`活，在電路不變的情況下，直接通過軟件設定載波頻率、調(diào)制頻率、調(diào)制比、最小脈寬、死區(qū)時間等工作參數(shù)就可改變逆變器的性能指標，驅(qū)動不同負載或工作于不同工況?！ 恼麄€電路來說，實現(xiàn)對SA828l的控制是通過按鍵輸入相應的信息?！ 〕跏蓟拇嫫饔糜谠O定和電機及逆變器有關的一些基本參數(shù)。主程序流程圖如圖8所示：調(diào)制波頻率與幅值對比如表1所示。因而，對于變頻調(diào)速控制系統(tǒng)的研究具有重要的學術意義和應用價值。 SA8281初始化子程序流程如圖9所示： 調(diào)速子程序 調(diào)速子程序包括加速子程序和減速子程序，本文只介紹加速子程序，減速子程序類似于加速子程序。2鍵按下轉入減速子程序?！ A8281芯片的控制是通過微處理器接口將相應的參數(shù)送入芯片內(nèi)部兩24位的寄存器RR3來實現(xiàn)的，它們是初始化寄存器和控制寄存器。 正弦波發(fā)生器的原理圖如圖7所示，它以SA828l作為三相正弦波的發(fā)生芯片，單片機AT89C51作為SA8281的控制芯片?！ ∮?個標準的TTL電平輸出，用來驅(qū)動逆變器的6個功率開關器件?！ ∪郤PWM發(fā)生器是控制電路的核心部分。IGBT的過電流保護電路如圖5所示?！ ?）用內(nèi)阻小的驅(qū)動源對柵極電容充放電，以保證柵極控制電壓Uge,有足夠陡的前后沿，使IGBT的開關損耗盡量小。第4個T/6:V4,V3,V2導通,V1,V6,V5截至。這樣，在任一瞬間，將有三個橋臂同時導通。但是采用可控整流電路會使得系統(tǒng)成本上升，并且控制電路復雜?！ 。?）無零點漂移，控制精度高?！ 。?）單片機具有更強的邏輯功能，運算速度快，精度高，有大容量的存儲單元，可以實現(xiàn)較為復雜的控制。可控整流可以使系統(tǒng)的功率因數(shù)接近l，并且具有較小的紋波，頻率高，可降低較小幅值的濾波電容?！ ‰妷盒腿嗄孀儤虻幕竟ぷ鞣绞脚c單相逆變橋相同，是 導電方式，即每個橋臂的導電角度為 ，同一相（同一半橋）上下兩個臂交替導電，各相開始導電的時間依次相差 ?！ 〉?個T/6:V1,V3,V2導通,V4,V6,V5截至?！ ︱?qū)動電路的要求，可歸納如下： 1）IGBT和MOSFET都是電壓驅(qū)動，～5V值電壓，有一個容性輸入阻抗，
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