【正文】 定、可靠?；贏T89C51單片機(jī)的變頻調(diào)速控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)來(lái)源：機(jī)電在線 圖1 系統(tǒng)結(jié)構(gòu)框圖 圖2 整流電路用T記為周期，只要注重三相之間互隔T/3（T是周期）就可以了，即B相比A相滯后T/3，C相又比B相滯后T/3?！　?）在大電感負(fù)載下，IGBT的開關(guān)時(shí)間不能太短，以限制出di/dt形成的尖峰電壓，確保IGBT的安全。引腳如圖6所示：本電路的設(shè)計(jì)要對(duì)SA8281輸入初始化參數(shù)和控制參數(shù)，所以用到了三個(gè)按鍵0鍵、1鍵和2鍵。圖8 主程序流程圖 圖9 SA8281初始化子程序流程圖目前，我國(guó)的變頻調(diào)速市場(chǎng)逐漸增長(zhǎng)，需求量日益廣泛。1鍵按下轉(zhuǎn)入加速子程序。其內(nèi)部含有128字節(jié)的RAM和4K字節(jié)的EPROM完全滿足系統(tǒng)需要，不用外加RAM或EPROM存放數(shù)據(jù)或程序，但需要設(shè)定和保存的參數(shù)則存放在一片EEPROM中[ 5]。　　過(guò)壓保護(hù)電路的原理與電流保護(hù)電路類似，另外在主電路上應(yīng)配裝一個(gè)10A的快速熔斷保險(xiǎn)，當(dāng)電路發(fā)生嚴(yán)重過(guò)流時(shí)，快速熔斷保險(xiǎn)燒斷切斷電網(wǎng)電源，盡可能的保證主電路的安全?！　?duì)驅(qū)動(dòng)電路的要求，可歸納如下：　　1）IGBT和MOSFET都是電壓驅(qū)動(dòng)，～5V值電壓，有一個(gè)容性輸入阻抗，因此IGBT對(duì)柵極電荷非常敏感，故驅(qū)動(dòng)電路必須很可靠，要保證有一條低阻抗值的放電回路，即驅(qū)動(dòng)電路與IGBT的連線要盡量短?！　‰妷盒腿嗄孀儤虻幕竟ぷ鞣绞脚c單相逆變橋相同，是 導(dǎo)電方式，即每個(gè)橋臂的導(dǎo)電角度為 ，同一相（同一半橋）上下兩個(gè)臂交替導(dǎo)電，各相開始導(dǎo)電的時(shí)間依次相差 ?！　。?）單片機(jī)具有更強(qiáng)的邏輯功能，運(yùn)算速度快，精度高，有大容量的存儲(chǔ)單元，可以實(shí)現(xiàn)較為復(fù)雜的控制。但是采用可控整流電路會(huì)使得系統(tǒng)成本上升，并且控制電路復(fù)雜。第4個(gè)T/6:V4,V3,V2導(dǎo)通,V1,V6,V5截至。IGBT的過(guò)電流保護(hù)電路如圖5所示?！　∮?個(gè)標(biāo)準(zhǔn)的TTL電平輸出，用來(lái)驅(qū)動(dòng)逆變器的6個(gè)功率開關(guān)器件?！　　　?duì)SA8281芯片的控制是通過(guò)微處理器接口將相應(yīng)的參數(shù)送入芯片內(nèi)部?jī)?4位的寄存器RR3來(lái)實(shí)現(xiàn)的，它們是初始化寄存器和控制寄存器。　　SA8281初始化子程序流程如圖9所示：　　 調(diào)速子程序　　調(diào)速子程序包括加速子程序和減速子程序，本文只介紹加速子程序，減速子程序類似于加速子程序。