華東交通大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)模版(存儲(chǔ)版)
【正文】 題報(bào)告內(nèi)容： 方法及預(yù)期目的： 指導(dǎo)教師簽名： 日期：課題類型：（1）A—工程設(shè)計(jì)；B—技術(shù)開(kāi)發(fā)；C—軟件工程；D—理論研究； （2）X—真實(shí)課題；Y—模擬課題；Z—虛擬課題 （1）、（2）均要填，如AY、BX等。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)評(píng)閱書(1)姓名學(xué)號(hào)專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目指導(dǎo)教師評(píng)語(yǔ)：得分指導(dǎo)教師簽字：年 月 日評(píng)閱人評(píng)語(yǔ)：得分評(píng)閱人簽字：年 月 日等級(jí) 華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)評(píng)閱書(2)姓名學(xué)號(hào)專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目答辯小組評(píng)語(yǔ)：等級(jí) 組長(zhǎng)簽字：年 月 日答辯委員會(huì)意見(jiàn)： 等級(jí) 答辯委員會(huì)主任簽字：年 月 日（學(xué)院公章）注：答辯小組根據(jù)評(píng)閱人的評(píng)閱簽署意見(jiàn)、初步評(píng)定成績(jī)，交答辯委員會(huì)審定，蓋學(xué)院公章。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1．首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長(zhǎng)單晶膜的思想，并在GaN外延生長(zhǎng)上得以實(shí)現(xiàn)。III－Ⅴ族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時(shí)30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。10470059GaN/Al2O3光致發(fā)光180。電子文獻(xiàn)載體類型標(biāo)志：磁帶 MT；磁盤 DK；光盤 CD；聯(lián)機(jī)網(wǎng)絡(luò) OL?！诙?氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝 MOCVD材料生長(zhǎng)機(jī)理…………轉(zhuǎn)換控制 頻率信 號(hào) 源 頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲(chǔ) 器Ｄ／Ａ轉(zhuǎn)換器濾波器 頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖21 DDS方式AWG的工作流程…………標(biāo)題：中文宋體，4號(hào)，居中；英文Times New Roman，4號(hào)，居中。10499661GaN/Al2O3光致發(fā)光190。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明。本文在自制常壓MOCVD和英國(guó)進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)上對(duì)III－Ⅴ族氮化物的生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。如在文中涉及抄襲或剽竊行為，本人愿承擔(dān)由此而造成的一切后果及責(zé)任?！暗燃?jí)”用優(yōu)、良、中、及、不及五級(jí)制（可按學(xué)院制定的畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)成績(jī)?cè)u(píng)定辦法評(píng)定最后成績(jī)）。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低
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