mos管工作原理和驅(qū)動(dòng)電路(存儲(chǔ)版)
【正文】 路時(shí)所耗散的功率限制在350V2ID25℃，盡可能地減少短路時(shí)管芯發(fā)熱。 COOLMOS與IGBT的比較 600V、800V耐壓的COOLMOS的高溫導(dǎo)通壓降分別約6V，關(guān)斷損耗降低1/2，總損耗降低1/2以上，使總損耗為常規(guī)MOSFET的40%50%。 開關(guān)管關(guān)斷過程中，CISS通過ROFF放電，COSS由RL充電，COSS較大，VDS（T）上升較慢，隨著VDS(T)上升較慢，隨著VDS（T）的升高COSS迅速減小至接近于零時(shí)，VDS（T）再迅速上升。由于MOSFET存在結(jié)電容，關(guān)斷時(shí)其漏源兩端電壓的突然上升將會(huì)通過結(jié)電容在柵源兩端產(chǎn)生干擾電壓。R2為防止功率管柵極、源極端電壓振蕩的一個(gè)阻尼電阻。 ?、壅伎毡裙潭〞r(shí)，通過合理的參數(shù)設(shè)計(jì)，此驅(qū)動(dòng)電路也具有較快的開關(guān)速度。當(dāng)脈寬變化時(shí)，驅(qū)動(dòng)的關(guān)斷能力不會(huì)隨著變化。一般載波頻率小于600kHz，4腳和6腳兩端產(chǎn)生高頻調(diào)制波，經(jīng)高頻小磁環(huán)變壓器隔離后送到UC3725芯片8兩腳經(jīng)UC3725進(jìn)行調(diào)制后得到驅(qū)動(dòng)信號，UC3725內(nèi)部有一肖特基整流橋同時(shí)將8腳的高頻調(diào)制波整流成一直流電壓供驅(qū)動(dòng)所需功率。我不知道年少輕狂，我只知道勝者為王。學(xué)習(xí)參考。歡迎您的光臨，！希望您提出您寶貴的意見，你的意見是我進(jìn)步的動(dòng)力?！ 。?）集成芯片UC3724/3725構(gòu)成的驅(qū)動(dòng)電路 電路構(gòu)成如圖11所示。為保證導(dǎo)通期間GS電壓穩(wěn)定C值可稍取大些。該電路具有以下優(yōu)點(diǎn)： ?、匐娐方Y(jié)構(gòu)簡單可靠，實(shí)現(xiàn)了隔離驅(qū)動(dòng)?！ 。?）正激式驅(qū)動(dòng)電路。這兩種電路特點(diǎn)是結(jié)構(gòu)簡單。由于 CISS的存在，靜態(tài)時(shí)柵極驅(qū)動(dòng)電流幾乎為零，但在開通和關(guān)斷動(dòng)態(tài)過程中，仍需要一定的驅(qū)動(dòng)電流。IR公司也推出了SUPPER220，SUPPER247封裝的超級MOSFET，額定電流分別為35A，59A，150℃。從圖6可以看到，當(dāng)VGS＞8V時(shí)，COOLMOS的漏極電流不再增加，呈恒流狀態(tài)。 抗雪崩擊穿能力與SCSOA。在額定結(jié)溫、額定電流條件下，；導(dǎo)通損耗下降到常規(guī)MOSFET的1/2和1/3。因此N的低摻雜、高電阻率是必需的。 以上兩種辦法不能降低高壓MOSFET的導(dǎo)通電阻，所剩的思路就是如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開解決。不同耐壓的MOSFET，其導(dǎo)通電阻中各部分電阻比例分布也不同。此時(shí)這個(gè)寄生的雙極性晶體管就會(huì)起動(dòng)，有可能給MOSFET帶來損壞。它們和我們一般理解PN結(jié)正向時(shí)導(dǎo)通反向時(shí)阻斷的簡單概念很不相同。除了器件的幾乎每一部分存在電容以外，還必須考慮MOSFET還并聯(lián)著一個(gè)二極管?！ ? 在器件應(yīng)用時(shí)除了要考慮器件的電壓、電流、頻率外，還必須掌握在應(yīng)用中如何保護(hù)器件，不使器件在瞬態(tài)變化中受損害?！ ￠_通時(shí)間ton—開通延遲時(shí)間與上升時(shí)間之和?！ 。黄滢D(zhuǎn)移特性和輸出特性如圖2所示。 功率MOSFET的內(nèi)部結(jié)構(gòu)和電氣符號如圖1所示；其導(dǎo)通時(shí)只有一種極性的載流子（多子）參與導(dǎo)電，是單極型晶體管。. . . .功率場效應(yīng)晶體管MOSFET技術(shù)分類： 電源技術(shù)按柵極電壓幅值可分為；耗盡型；當(dāng)柵極電壓為零時(shí)漏源極之間就存在導(dǎo)電溝道，增強(qiáng)型；對于N（P）溝道器件，柵極電壓大于（小于）零時(shí)才存在導(dǎo)電溝道，功率MOSFET主要是N溝道增強(qiáng)型。但柵極的正電壓會(huì)將其下面P區(qū)中的空穴推開，而將P區(qū)中的少子—電子吸引到柵極下面的P區(qū)表面 當(dāng)UGS大于UT（開啟電壓或閾值電壓）時(shí)，柵極下P區(qū)表面的電子濃度將超過空穴濃度，使P型半導(dǎo)體反型成N型而成為反型層，該反型層形成N溝道而使PN結(jié)J1消失，漏極和源極導(dǎo)電。UGSP的大小和iD的穩(wěn)態(tài)值有關(guān)，UGS達(dá)到UGSP后，在up作用下繼續(xù)升高直至達(dá)到穩(wěn)態(tài)，但iD已不變。開關(guān)頻率越高，所需要的驅(qū)動(dòng)功率越大。 圖4是功率MOSFET的結(jié)構(gòu)和其相應(yīng)的等效電路。作為任一種PN結(jié)二極管來說，仔細(xì)研究其動(dòng)態(tài)特性是相當(dāng)復(fù)雜的。然而在嚴(yán)峻的動(dòng)態(tài)條件下，因dv/dt通過相應(yīng)電容引起的橫向電流有可能足夠大。 不同耐壓的MOSFET的導(dǎo)通電阻分布。引入少數(shù)載流子導(dǎo)電雖能降低導(dǎo)通壓降，但付出的代
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