開關(guān)電源保護(hù)電路(存儲(chǔ)版)
【正文】 作閾值。 在短路電流出現(xiàn)時(shí)，為了避免關(guān)斷電流的 di/dt過大形成過電壓，導(dǎo)致 IGBT 鎖定無效和損壞，以及為了降低電磁干擾，通常采用軟降柵壓和軟關(guān)斷綜合保護(hù)技術(shù)。 圖 7是利用 IGBT 過流時(shí) Vce增大的原理進(jìn)行保護(hù)的電路，用于專用驅(qū)動(dòng)器 EXB841。電位器 RP1調(diào)整比較器過流動(dòng)作閾值。發(fā)生短路故障時(shí)， IGBT集電極電壓增大，由于 Vce 增大，比較器 IC1輸出高電平， V5導(dǎo)通， IGBT 實(shí)現(xiàn)軟降柵壓，降柵壓幅度由穩(wěn)壓管 VD2決定，軟降柵壓時(shí)間由 R6C1形成 2μs 。 文中所述的保護(hù)電路可以靈活組合使用，以簡化電路結(jié)構(gòu)和降低成本。驗(yàn)收技術(shù)指標(biāo)時(shí)，應(yīng)對保護(hù)功能進(jìn)行驗(yàn)證。 圖 10 正常工作狀態(tài)，驅(qū)動(dòng)輸入信號(hào)為低電平時(shí)， 光耦 IC4不導(dǎo)通， V1， V3導(dǎo)通，輸出負(fù)驅(qū)動(dòng)電壓。當(dāng)出現(xiàn)過流時(shí)，電流傳感器檢測的整流電壓升高， VAVref， VB為高電平， C3充電使 VCVref， IC2輸出高電平（大于 ），關(guān)閉 PWM控制電路。 為了使電源在短路故障狀態(tài)不中斷工作，又能避免在原工作頻率下連續(xù)進(jìn)行短路保護(hù)產(chǎn)生熱積累而造成 IGBT 損壞，采用降柵壓保護(hù)即可不必在一次短路保護(hù)立即封鎖電路，而使工作頻率降低（比如 1Hz 左右），形成間歇 “ 打嗝 ” 的保護(hù)方法，故障消除后即恢復(fù)正常工作。 為了實(shí)現(xiàn) IGBT的短路保護(hù)，則 必須進(jìn)行過流檢測。 圖 5 三相四線制的缺相保護(hù)電路 圖 6是一種用于三相三線制電源缺相保護(hù)電路， A、 B、 C缺任何一相，光耦器輸出電平低于比較器的反相輸入端的基準(zhǔn)電壓，比較器輸出低電平，封鎖 PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)，關(guān)閉電源。檢測電網(wǎng)缺相通常采用電流互感器或電子缺相檢測電路。 圖 4是僅用一個(gè) 4比較器 LM339及幾個(gè)分立元器件構(gòu)成的過壓、欠壓、過熱保護(hù)電路。 圖 1 采用晶閘管和限流電阻組成的軟啟動(dòng)電路 圖 2是采用繼電器 K1和限流電阻 R1構(gòu)成的防浪涌電流電路。在電氣技術(shù)指標(biāo)滿足正常使用要求的條件下，為使電源在惡劣環(huán)境及突發(fā)故障情況下安全可靠地工作，必須設(shè)計(jì)多種保護(hù)電路，比如防浪涌的軟啟動(dòng)，防過壓、欠壓、過熱、過流、短路、缺 相等保護(hù)電路。上述現(xiàn)象均會(huì)造成開關(guān)電源無法正常工作，為此幾乎所有的開關(guān)電源都設(shè)置了防止流涌電流的 軟啟動(dòng)電路，以保證電源正常而可靠運(yùn)行。為了提高延遲時(shí)間的準(zhǔn)確性及防止 繼電器動(dòng)作抖動(dòng)振蕩，延遲電路可采用圖 3所示電路替代 RC延遲電路。 ，當(dāng)其正向端輸入低電平時(shí)，比較器輸 出低電平封鎖 PWM驅(qū)動(dòng)信號(hào)。三相平衡時(shí)， R1～ R3結(jié)點(diǎn) H電位很低，光耦合輸出近似為零電平。
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