array工藝技術(shù)基礎(chǔ)(存儲(chǔ)版)
【正文】 CD ?? B2 Project Team Etch Process Isotropic amp。 DICD:177。 PECVD 絕緣膜、有源膜成膜機(jī)理 (1)aSi:H： 低隙態(tài)密度 、 深能級(jí)雜質(zhì)少 、 高遷移率 、 暗態(tài)電阻率高 (2) aSiNx:H： ， 介電常數(shù)適中 ， 耐壓能力強(qiáng) ， 電阻率高 ， 固定電荷少 ， 穩(wěn)定性好 ， 含富氮材料 ， 針孔少 ， 厚度均勻 。 ?? B2 Project Team Sputter Chamber的主要構(gòu)成有： Platen：用來放玻璃基板 （ Gate 有 2個(gè) ,SD、 ITO為 1個(gè)） Cathode： 包括 Target 、 Shield 、 Mag Bar等構(gòu)成部分 Motor: 有 Plate轉(zhuǎn)動(dòng)的 Motor 、 Plate 升降的 Cylinder、 Cathode開關(guān)的 Motor 、 Magic Bar運(yùn)動(dòng)的 Motor等。 干法刻蝕主要以垂直方式刻蝕， CD BIAS較?。? 濕法刻蝕水平方向的刻蝕多于干法刻蝕， CD BIAS較大 CD ?? B2 Project Team CD機(jī)（ critical dimension）主要測(cè)試 mask后各種 CD（包括 DICD和 FICD）和 OL。 FICD:177。 Process Chamber 利用 Plassma原理在反應(yīng)艙中通入反應(yīng)氣體，生成的反應(yīng)氣體粒子撞擊鍍膜表面，達(dá)到刻蝕的目的。 Pressure增大， → 基板中心部分 E/R增大； → 周 邊 部分 E/R減 小。二、今天的工作總結(jié)：1. 通過追蹤Run sheet得知 1月3日 Array 產(chǎn)線 新進(jìn)了1AAAE10001～ 0003三個(gè) Lot，現(xiàn)在5Mask工 藝已經(jīng)做到了Gate Etch。3. 找到FTIR（紅 外光譜儀），了解其測(cè)試項(xiàng)目。 Temperature： 250℃ 下保持 20分鐘；將溫度降到 23℃ 用 7分鐘。4. Wet Strip的參 數(shù)： 三、明天的工作計(jì)劃：1. 關(guān)注新進(jìn)的ES Lot 1AAAE10001～ 0003。2. 目前Photo工藝 Scan Speed不確 定及PR膠厚 度與之前Spec不同 的原因。 RF Power越大， SiNx與 Mo的 Selectivity越小。 Glass進(jìn)入此Chamber以后， Valve關(guān)閉，開始抽真空。 FICD:177。 成膜機(jī)理 膜性能要求 ?? B2 Project Team Etch Etch Rate Requirement Items Uniformity Selectivity Profile CD Bias Requirement Items of Wet Etch ?? B2 Project Team FICD Size Glass SUBSTRATE FILM DICD Size PHOTOTESIST CD BIAS ＝ | DICD – FICD | 說明： CD： Critical Dimension DICD： Development Inspectio
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