固體物理學(xué)教案ppt課件(存儲版)
【正文】 擴散原子通過與周圍的空位交換位置 進行擴散 。因此，在雜質(zhì)原子周圍，容易產(chǎn) 生空位，有利于雜質(zhì)原子的擴散。 ? 晶體表面位錯露頭處最容易被腐蝕，選用適當(dāng)?shù)母g液，可觀察到形成錐形的腐蝕坑． ? 螺型位錯在晶體表面形成 一生長臺階，新凝結(jié)的原子 最容易沿臺階集結(jié)，所以晶 體生長中容易沿著螺旋面生長出新的一層，而且依次排序不會把臺階消滅． 返回 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 面缺陷 ? 堆垛層錯 ? 孿晶界面 ? 晶粒間界 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 堆垛層錯 ? 密堆積結(jié)構(gòu)晶體中的某個原子層發(fā)生堆積錯誤，稱為堆垛層錯（ stacking fault），如立方密積的fcc晶體中的正常堆積次序： 這些小晶粒本身可以近似看作單晶，且在多晶體內(nèi)做雜亂排列。C 時 ? ?1 (?cm)1 Na－ ?－ Al2O3 在 300 186。 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 離子晶體的導(dǎo)電性 ? AX型離子晶體中的點缺陷 ? 離子在外電場中的運動 ? 離子導(dǎo)電率 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? AX型離子晶體中的點缺陷 空位 正離子空位 （－） 負離子空位 （＋） 間隙離子 正填隙（＋） 負填隙（－） ? 離子在外電場中的運動 ? ?= 0時，離子晶體中的點缺陷作無規(guī)的布朗運動，所 以，不產(chǎn)生宏觀電流 . ? ?? 0時，離子晶體中帶電的點缺陷在外電場的作用下 發(fā)生定向遷移，從而產(chǎn)生宏觀電流． 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 以正填隙離子為例 ??? i設(shè)其電荷為 q，外電場： 離子在電場中受的力： F=q?，附加電勢能： U(x)=－ q?x 離子運動需越過的勢壘： 向左： 12E q a??向右： 12E q a??0 ? x U(x) q?a/2 E a 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 離子越過勢壘的頻率： 01216 e x pBE q akT?? ? ? ??????01216 e x pBE q akT?? ? ? ??????向右 向左 單位時間內(nèi)，離子凈向右越過勢壘的次數(shù)： 016 ex p ex p ex p22B B BE q a q ak T k T k T??? ??? ? ? ? ? ?? ? ???? ? ? ? ? ?? ? ? ? ? ???01 e x p32 BBE q ashk T k T?? ? ? ? ???? ? ? ?? ? ? ?貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 離子向右運動的漂移速度 d01v e x p32 BBE q aa s hk T k T?? ? ? ? ???? ? ? ?? ? ? ?弱場條件，即 12BqakT? ??22BBq a q ashk T k T???? ?????一般條件下： 103 1 0am??? 191 . 6 1 0 .q c o u l???231 .3 8 1 0 /Bk J K??? 300TK?51 0 V / m?貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 估算得： 45 . 8 1 0 12 BqakT? ?? ? ? ?d01v e x p32 BBq a Eak T k T?? ? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?? ? ? ?20 e x p6 BBaq Ek T k T? ? ? ???? ? ? ?????20 e x p6 BBaq Ek T k T?? ????????—— 離子遷移率 貴州大學(xué)新型光電子材料與技術(shù)研究所 ? 離子導(dǎo)電率 ? 離子定向遷移的電流密度 dvj n q n q ? ? ? ?? ? ? ?其中 n為單位體積中正填隙離子數(shù)目． ? 離子導(dǎo)電率： 220 e x p6 BBn q a Enqk T k T??? ??? ? ?????? 填隙離子的擴散系數(shù)： 201 e x p6 BEDa
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