zm20xx光電導探測器(存儲版)
【正文】 ? 如果采用左圖簡單的恒流偏置電路要求 RLRd，又要 IL較大，則 VB要求很高電壓。 4. 三種偏置方式比較 （ 1）從響應度和偏置電壓源方面比較 恒流偏置（ RLRd，取 RL=10Rd) 21 dLg RIS?? dLB RIV 111 ?匹配偏置（ RL = Rd） 222dRIS Lg?? dLB RIV 22 ?恒壓偏置（ RLRd，取 RL=Rd/10） LdLg RRIS?? 3 dLB RIV ?322)( LdgLdBAv RRSRRVddV???? ?響應度 : 恒流偏置 匹配偏置 恒壓偏置 由于恒流偏置需要很高的 VB，在實用中可采用匹配偏置而獲得與恒流偏置相當?shù)捻憫取? ?一般按 S/N大為準則，優(yōu)先選用恒流偏置 ，即 RL Rd（一般為 RL≥10Rs），無必要或不便采用恒流偏置時，可用恒壓和匹配偏置。 CdS光敏電阻的光敏面常為蛇形光敏面結構。HzHz c. 用于光度量測試儀器時，必須對光譜特性曲線進行修正，保證其與人眼的光譜光視效率曲線符合。一般光敏電阻的電阻值不受光照時是受光照射時的 100～ 1000倍。照相機曝光控制電路是由光敏電阻 R、開關 K和電容 C構成的充電電路，時間檢出電路 (電壓比較器 )，三極管 T構成的驅動放大電路，電磁鐵 M帶動的開門葉片（執(zhí)行單元）等組成。ln Ubb/ Vth 。 三、 照相機電子快門 圖所示為利用光敏電阻構成的照相機自動曝光控制電路，也稱為照相機電子快門。 特點 環(huán)氧樹脂封裝 反應速度快 體積小 可靠性好 光譜特性好 靈敏度高 應用 照相機自動測光 光電控制 室內光線控制 光控音樂. 工業(yè)控制 光控開關 光控燈 電子玩具 怎樣檢查光敏電阻的好壞 光敏電阻的好壞可用萬用表測量。 實例一 Infrared detector module with preamp P4245 實例二 PbS photoconductive detector P921703 小結 a. 光電導探測器具有內增益 M特性， M與材料器件性質和外加電場大小有關。W1。W1。 幾種常用的光敏電阻 光敏電阻 紫外 硫化鎘 (CdS)和硒化鎘 (CdSe) 可見 硫化鉈 (TiS)、硫化鎘 (CdS)和硒化鎘 (CdSe) 紅外 硫化鉛 (PbS)、碲化鉛 (PbTe)、 銻化銦 (InSb)、碲汞鎘（ Hg1xCdxTe） 光敏電阻常用光電導材料 一、 CdS光敏電阻 CdS光敏電阻是最常見的光敏電阻，它的光譜響應特性最接近人眼光譜光視效率， 它在可見光波段范圍內的靈敏度最高，因此，被廣泛地應用于燈光的自動控制，照相機的自動測光等。通常在 S/N最大值范圍內選取。探測器暗阻（ 77K時）為 ，RL亦為 ，構成匹配偏置。 2. 信噪比最佳時偏置條件的確定 最佳偏流 abnf ffIki ??12fMIei rgn ??? 42 gr 噪聲 1/f 噪聲 LdBL RRVI??偏置電流 LdLBLLL RR RVRIV ???輸出點信號電壓 在滿足功耗的前提下，根據(jù)系統(tǒng)要求綜合考慮信號幅度和信噪比。由此可見，要達到穩(wěn)定輸出，頻率響應不會超過 10kHz，一般為 1kHz。 Si中不同摻雜濃度條件下費米能級與溫度的關系 八 . 響應時間和頻率響應 光敏電阻的響應時間 （ 又稱為慣性 ） 比其他光電器件要差些 （ 慣性要大 ） ， 頻率響應要低些 ， 而且具有特殊性 。 隨著溫度的升高 ， 其暗電阻和靈敏度下降 ， 光譜特性曲線的峰值向波長短的方向移動 。一般，工作電壓越低，光照度越低，則暗態(tài)前歷效應就越重。其中 (a)為 線性 直角坐標系中 電阻－照度曲線 ，而 (b)為 對數(shù) 直角坐標系下的 電阻－照度曲線 。如直接使用，與人的視覺還有一定的差距，所以必須 加濾光片進行修正 ，使其特性曲線與V(λ)曲線完全符合，這樣即可得到與人眼視覺相同的效果。 ? 靈敏度易受濕度的影響，因此要將導光電導體嚴密封裝在玻璃殼體中。 4電極 。 dAnLVM???? 020 ?? 如何提高 M 光電導內增益 ?選用平均壽命長、遷移率大的半導體材料； ?減少電極間距離； ?加大偏壓 dAnLVM???? 020 ??參數(shù)選擇合適時， M值可達 102量級 光敏電阻 分類 本征型 摻雜型 入射光子的能量大于或等于半導體的禁帶寬度時能激發(fā)電子－空穴對 Ec Ev Eg 入射光子的能量大于或等于雜質電離能時就能激發(fā)電子空穴對 Ec Ev ?Eg )(12400 nmEEhcgg???)(12400 nmEEhcgg ?????常用于可見光波段測試 常用于紅外波段甚至遠紅外測試 （非本征） 光電導器件材料 禁帶寬度 （ eV） 光譜響應范圍 （ nm） 峰值波長（ nm） 硫化鎘（ CdS） 400～ 800 515～ 550 硒化鎘（ CdSe） 680～ 750 720～ 730 硫化鉛（ PbS） 500～ 3000 2022 碲化鉛（ PbTe） 600～ 4500 2200 硒化鉛（ PbSe） 700～ 5800 4000 硅（ Si） 450～ 1100 850 鍺（ Ge） 550～ 1800 1540 銻化銦（ InSb） 600～ 7000 5500 砷化銦（ InAs） 1000～ 4000 3500 常用光電導材料 每一種半導體或絕緣體都有一定的光電導效應，但只有其中一部分材料經(jīng)過特殊處理，摻進適當雜質，才有明顯的光電導效應。在均勻的具有光電導效應的半導體材料的兩端加上電極便構成光敏電阻。 光敏電阻的工作原理和結構 光敏電阻的特性參數(shù) 光敏電阻的變換電路 常用光敏電阻 小結 應用實例 光敏電阻的工作原理和結構
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