模電總結(jié)復(fù)習(xí)資料全(存儲(chǔ)版)
【正文】 意圖和電路符號(hào)2. 特性曲線*NEMOS的輸出特性曲線* NEMOS的轉(zhuǎn)移特性曲線式中，IDO是UGS=2UT時(shí)所對(duì)應(yīng)的iD值。各級(jí)靜態(tài)工作點(diǎn)不獨(dú)立，互相有影響。 任意狀態(tài)：Uom≈Uim 216。 動(dòng)態(tài)指標(biāo)按乙類狀態(tài)估算，只是用VCC/2代替。 二. 長(zhǎng)尾差放電路的原理與特點(diǎn)1. 抑制零點(diǎn)漂移的過(guò)程 當(dāng)T↑→ iCiC2↑→ iEiE2 ↑→ uE↑→ uBEuBE2↓→ iBiB2↓→ iCiC2↓。2. 反饋的性質(zhì)交流、直流或交直流。 Rs越小反饋效果越好。 2. 產(chǎn)生自激振蕩的條件 若表示為幅值和相位的條件則為： 第八章 信號(hào)的運(yùn)算與處理分析依據(jù) “虛斷”和“虛短”1. 基本運(yùn)算電路1. 反相比例運(yùn)算電路 R2 =R1//Rf 2. 同相比例運(yùn)算電路 R2=R1//Rf 3. 反相求和運(yùn)算電路 R4=R1//R2//R3//Rf 4. 同相求和運(yùn)算電路 R1//R2//R3//R4=Rf//R55. 加減運(yùn)算電路 R1//R2//Rf=R3//R4//R52. 積分和微分運(yùn)算電路1. 積分運(yùn)算2. 微分運(yùn)算 第九章 信號(hào)發(fā)生電路1. 正弦波振蕩電路的基本概念1. 產(chǎn)生正弦波振蕩的條件(人為的直接引入正反饋)自激振蕩的平衡條件 : 即幅值平衡條件： 相位平衡條件： 2. 起振條件: 幅值條件 ：相位條件:、分類正弦波振蕩器的組成(1) 放大電路建立和維持振蕩。? 整流電路：將正負(fù)交替的交流電壓整流成為單方向的脈動(dòng)電壓。不奮斗就是每天都很容易，可一年一年越來(lái)越難。是狼就要練好牙，是羊就要練好腿。(3) 石英晶體振蕩器振蕩頻率高且穩(wěn)定。 三. 反饋形式的描述方法 某反饋元件引入級(jí)間（本級(jí)）直流負(fù)反饋和交流電壓（電流）串 聯(lián)（并聯(lián)）負(fù)反饋。Rs越大反饋效果越好。放大器處于 “ 自激振蕩”狀態(tài)。 。 216。 導(dǎo)通角為180o~360o，效率較高，失真較大。體積大，成本高，無(wú)法采用集成工藝；不利于傳輸?shù)皖l和高頻信號(hào)。 * 輸入電阻高，輸出電阻低。（2） 飽和失真*產(chǎn)生原因Q點(diǎn)設(shè)置過(guò)高 *失真現(xiàn)象NPN管削底，PNP管削頂。*電路參數(shù)對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響 1）改變Rb ：Q點(diǎn)將沿直流負(fù)載線上下移動(dòng)。 截止區(qū)發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反偏。 若 V陽(yáng) V陰( 反偏 )，二極管截止(開(kāi)路)。 *二極管伏安特性同ＰＮ結(jié)。 *P型半導(dǎo)體: 在本征半導(dǎo)體中摻入微量的三價(jià)元素（多子是空穴，少子是電子）。、熱敏和摻雜特性。 *體電阻通常把雜質(zhì)半導(dǎo)體自身的電阻稱為體電阻。，分析二極管兩端電位的高低: 若 V陽(yáng) V陰( 正偏 )，二極管導(dǎo)通(短路)。第二章 三極管及其基本放大電路一. 三極管的結(jié)構(gòu)、類型及特點(diǎn)。三. 低頻小信號(hào)等效模型（簡(jiǎn)化）hie輸出端交流短路時(shí)的輸入電阻， 常用rbe表示； hfe輸出端交流短路時(shí)的正向電流傳輸比， 常用β表示；四. 基本放大電路組成及其原則1. VT、 VCC、 Rb、 Rc 、CC2的作用。 2. 交流通路與動(dòng)態(tài)分析*概念交流電流流通的回路*畫(huà)法電容視為短路,理想直流電壓源視為短路。 （2）范圍 *當(dāng)（UCEQ－UCES）＞（VCC’ － UCEQ ）時(shí)，受截止失真限制，UOPP=2UOMAX=2ICQRL
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